「だいけっかんてんい」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ウェハーの断面をＴＥＭで観察した結果、第一窒化物半導体層のＧａＮの転位（欠陥）が第二窒化物半導体層に伝播していないことが確認された。例文帳に追加

As a result of observing the section of the wafer by a TEM, it is confirmed that the dislocation (defect) of GaN of a first nitride semiconductor layer is not propagated to a second nitride semiconductor layer. - 特許庁

事故や先天異常、治療などの結果として生じた瘢痕や外観上の問題を改善することを専門にする外科医。例文帳に追加

a surgeon who specializes in reducing scarring or disfigurement that may occur as a result of accidents, birth defects, or treatment for diseases.  - PDQ®がん用語辞書 英語版

第２導電型半導体結晶層４の活性層３とは反対側の表面に貫通転位欠陥１１が露出し、貫通転位欠陥１１の内表面及びその周囲を、第２導電型半導体結晶層４に対して非オーミックコンタクト性の材料で被覆（被覆部１３）した。例文帳に追加

On the surface of an opposite side to an active layer 3 of a second conduction type semiconductor crystal layer 4, a penetrating dislocation defective 11 is exposed, the internal surface of the penetrating dislocation defective 11 and its periphery are covered with a material (a coating portion 13) which has non-ohmic contact nature to a second conduction type semiconductor crystal layer 4. - 特許庁

その結果、本体筐体は、底足２３ｄ、２３ａの設けられた角部が回転台２の相隣り合う２面からはみ出すことなく、回転移動する。例文帳に追加

As a result, the main body housing is rotated and moved without protruding corner parts provided with the bottom feet 23d, 23a from two mutually adjacent surfaces of the rotary stand 2. - 特許庁

その結果、ダイヤモンド１３およびタングステン１４により積層構造のＸ吸収体が形成される。例文帳に追加

Consequently, the X-ray absorbing body of a laminated structure is formed by the diamonds 13 and tungsten 14. - 特許庁

転位欠陥の少ない良質の大口径SiC単結晶ウェハを再現性良く製造するための、SiC単結晶育成用坩堝を提供する。例文帳に追加

To provide a crucible for the growth of a SiC single crystal for producing a high quality SiC single crystal wafer which is reduced in transfer defect and has a large diameter, with high reproducibility. - 特許庁

積層欠陥及び貫通転位の密度が十分に低いダイヤモンド薄膜構造とその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a diamond thin film structure having sufficiently low density of lamination defects and threading dislocations, and to provide a method for producing the same. - 特許庁

また、集計結果は原則として小数点以下第2位を四捨五入し表記しているため、合計が100％にならない場合がある。例文帳に追加

In addition, totals cited based on the results of these surveys do not always sum to 100% due to rounding to the first decimal place.  - 経済産業省

活性層６の下地層の一部をなすｎ型窒化ガリウム系半導体からなる第２クラッド層５の転位欠陥密度が１０^９〜１０^１１／ｃｍ^２であることが好ましく、第２クラッド層５における転位欠陥の間隔が１２０〜１７０ｎｍであることが好ましい。例文帳に追加

Preferably, the dislocation defect density of a second clad layer 5 composed of an n-type gallium nitride series semiconductor forming a part of an underlaying layer of the active layer 6 is 10^9 to 10^11/cm^2, and preferably, the gap of a dislocation defect in the second clad layer 5 is 120 to 170 nm. - 特許庁

また、集計結果は原則として小数点以下第2位を四捨五入し表記しているため、合計が100%にならない場合がある。例文帳に追加

In addition, totals cited based on the results of these surveys do not always sum to 100% due to rounding to the first decimal place.  - 経済産業省

シフタ１０７は、減算結果を１ビット右シフトすることで、第２の演算器群１０２による演算結果を、１／２にすると共に、その小数点以下を切り捨てる丸め処理を行なう。例文帳に追加

A shifter 107 halves a calculation result of the second calculation unit group by shifting the subtraction result 1 bit to the right, and executes round processing for truncating a fractional part of the halved data. - 特許庁

したがって、外周部から中心部に向かって多系などのマクロ欠陥、基底面転位などのミクロ欠陥が伸展するという問題が発生することを防止できる。例文帳に追加

Therefore, the emergence of problems including the extension of macroscopic defects such as polycrystalline systems headed to the center from the outer periphery and the extension of microscopic defects such as basal surface dislocation is prevented. - 特許庁

したがって、外周部から中心部に向かって多系などのマクロ欠陥、基底面転位などのミクロ欠陥が伸展するという問題が発生することを防止できる。例文帳に追加

Therefore, the occurrence of problems including the extension of macroscopic defects such as polycrystalline systems headed to the center from the outer periphery and the extension of microscopic defects such as basal surface dislocation is prevented. - 特許庁

第２焦点調節部は、第２焦点検出部による検出結果に基づいて、焦点位置変更部材の液体層の厚さを変更し、焦点位置の微調節を行う。例文帳に追加

A 2nd focus adjustment part finely adjusts the focal position by changing the thickness of the liquid layer of a focal position changing member based on the result of detection by the 2nd focus detection part. - 特許庁

マイクロパイプ欠陥，螺旋転位，及び刃状転位をほとんど含まず，大口径高品質の炭化珪素単結晶、炭化珪素基板及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a silicon carbide single crystal with a large diameter and high quality, including little micropipe defects, screw dislocation and edge dislocation, a silicon carbide substrate and a method for manufacturing the substrate. - 特許庁

制御手段は、第１検出手段及び第２検出手段による検出結果を用いて、動力伝達機構が振動又は騒音を発生するときの、当該回転軸の回転位置を特定する。例文帳に追加

The control means specifies the rotational position of the rotary shaft when the power transmission mechanism generates the vibration or the noise, using detection results detected by the first detecting means and the second detecting means. - 特許庁

第１焦点検出部は、撮影光学系を通過した被写体光束を用いて焦点検出を行い、検出結果に基づいて、第１焦点調節部はフォーカスレンズを移動して焦点位置の粗調節を行う。例文帳に追加

A 1st focus detection part detects the focus by using subject luminous flux passing through the photographic optical system, and a 1st focus adjustment part coarsely adjusts a focal position by moving a focus lens based on the result of detection. - 特許庁

比較の結果、指の動きを特定できなかった場合、所定時点１０１から第二時間Ｂ経過後の時点を新たな所定時点１０２として、解析対象データを抽出する。例文帳に追加

As a result of comparison, if the move of the finger cannot be specified, the time point from the predetermined time point 101 after passing a second time B is made a predetermined time point 102 and the analysis object data is extracted. - 特許庁

第１及び第２のセンサ群Ｈ１，Ｈ２によるロータ回転位置検出結果に基づき、同極性の励磁相を重複形成しつつ転流を行うオーバーラップ通電を実施する。例文帳に追加

On the basis of detected result of a rotor rotating position which is obtained by using the first and the second sensor groups H1, H2, overlap current flow is performed wherein commutation is conducted while exciting phases of same polarity are formed doubly. - 特許庁

この際、第１あるいは第２のうち少なくともいずれか一方のＦｅ（００１）層と単結晶ＭｇＯ（００１）との間の界面に存在する転位欠陥の密度が２５〜５０個／μｍ以下である。例文帳に追加

In this case, a dislocation defect density existing in an interface between at least any one of the first and second Fe(001) layers and the single crystal MgO(001) is 25-50 pcs./μm or low. - 特許庁

露呈部の上でファセットの下に成長した部分は初めは下地基板との間に多数の転位を持つが、ファセット成長によって転位が外側へ排除され、結晶欠陥集合領域Ｈに蓄積されるので次第に低転位となり、この隣接部分は単結晶となる。例文帳に追加

Although a portion grown on the exposed part and below the facet has at first many dislocations between the ground substrate and itself, the dislocation density in the portion is gradually reduced because the dislocations are eliminated to outside by the growth of the facet and accumulated in the crystal defect aggregation region H, and the portion adjacent to the region H becomes a single crystal. - 特許庁

複数の検査領域である第１〜第６ストリーム（１ｓｔ〜６ｓｔ）が相関性をもって隣接する検査対象物に用いられ、該検査対象物からの反射光を利用して焦点位置を検出し、該検出結果に基づき焦点位置制御を行う焦点位置制御方法及び装置であって、前記複数の検査領域のうち一の検査領域について検出された焦点位置情報群に多項式近似の演算処理を行い、その演算処理結果を基に、前記一の検査領域に隣接する検査領域についての焦点位置制御を焦点深度の範囲内で行うことを特徴とする。例文帳に追加

Based on the arithmetic processing result, focal position control for an inspection area adjacent to the one inspection area is performed in the range of the depth of focus. - 特許庁

本発明者は上記の課題に鑑み鋭意検討した結果、スルファミド化合物の存在下、シクロアルカノンオキシム化合物のベックマン転位反応が進行し対応するラクタム化合物が得られる事を見出し本発明に到達した。例文帳に追加

It has been found by the present inventors that a Beckmann rearrangement reaction of a cycloalkanone oxime compound proceeds in the presence of a sulfamide compound, to give a corresponding lactam compound. - 特許庁

ダイクストラ法では「コスト計算完了後は、計算開始点から計算範囲すべての地点への経路を計算できる」という特性があるため、復帰点１を計算開始点としてコスト計算を実行すれば、その計算結果を用いて、計算開始点１から計算範囲すべての地点への経路を計算できる。例文帳に追加

The Dichstrer method comprises a characteristic that, after the completion of a cost calculation, a route to all points in a calculation range from a calculation starting point can be calculated. - 特許庁

ＣＺ法にて転位クラスターや赤外線散乱体のようなGrown-in欠陥を、できるだけ少なくしたウェーハを採取できる、大径長尺の高品質単結晶の育成方法の提供。例文帳に追加

To provide a method for growing a high quality long single silicon crystal having a large diameter, making it possible to obtain by CZ method a wafer in which defects such as rearrangement clusters and IR light-scattering sites are reduced as much as possible. - 特許庁

ＣＺ法にて転位クラスターや赤外線散乱体のようなGrown-in欠陥を、できるだけ少なくしたウェーハを採取できる大径長尺の高品質単結晶の育成方法の提供。例文帳に追加

To provide a method for growing a high-quality single crystal capable of providing a wafer having minimized Grown-in defects such as dislocation clusters and infrared scatterers, and having a large diameter and a long length by a CZ(Czochralski) method. - 特許庁

転位欠陥の少ない良質の大口径面ウェハを、再現性良く製造し得るためのＳｉＣ単結晶育成用種結晶とＳｉＣ単結晶インゴット及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a seed crystal for growing a silicon carbide single crystal from which large diameter face wafers with good quality almost free from dislocation defects can be produced with good reproducibility, and to provide a silicon carbide single crystal ingot and a production method therefor. - 特許庁

熱処理によって再結晶が進行することで、結晶粒が大結晶粒に成長して結晶粒界が低減するとともに、原子空孔、転位などの格子欠陥も低減される。例文帳に追加

By the progress of recrystallization by annealing, crystal grains grow to be large crystal grains, a grain boundary is reduced, and lattice defects such as atomic vacancies or dislocation are reduced as well. - 特許庁

第２の窒化物半導体層１０８〜１１５を加圧成長させると、より転位密度が低く抑えられ、欠陥の少ない信頼性の高い半導体レーザが作製される。例文帳に追加

When the second nitride semiconductor layers 108-115 are formed under pressure, dislocation density is reduced furthermore and a highly reliable semiconductor laser having reduced defect is fabricated. - 特許庁

このため、遊技機で何らかの不正行為を検出した場合には、第２スピーカからのエラー音によってその事実を店員等に確実に報知することができ、その結果、不正行為を効果的に防止することが可能となる。例文帳に追加

Thus, when some kind of the fraudulent action is detected in the game machine, the fact is surely reported to the assistant or the like by the error sound from the second speaker, and the fraudulent action is effectively prevented as a result. - 特許庁

この結果、フードロック装置３２は第１取付部４２Ａを回転中心にして、車体に対して後方への移動を伴わずに下方へ回転移動する。例文帳に追加

As a result, the hood lock device 32 rotates on the first fixing part 42A and moves downward without moving to the rear against a car body. - 特許庁

可動体が原点以外の位置から可動を開始することで生じる問題の発生を防ぐと共に、演出開始時に可動体が原点位置になく、可動体が正規の動作を実行できない場合であっても、判定結果を示す動作を演出装置に実行させることができる遊技機を提供する。例文帳に追加

To provide a game machine capable of preventing problems generated by a movable body starting to move from a position other than an origin and also making a performance device execute the operation of indicating a determined result even when the movable body is not at an origin position when starting a performance and the movable body cannot execute a regular operation. - 特許庁

トレンチ内に形成する第２導電型の領域の更なる高品質化を目的に、前記第２導電型の充填エピタキシャル層に転位欠陥が発生しにくいスーパージャンクション構造を有する半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having a super junction structure wherein a dislocation defect does not easily occur in a filled epitaxial layer of a second conductivity type for the purpose of further improving the quality of the region of the second conductivity type formed inside a trench. - 特許庁

基板１上に成長した転位を含む第一の窒化物系化合物半導体層３と、前記第一の窒化物系化合物半導体層よりも少ない転位を含む第二の窒化物系化合物半導体層５との間に、欠陥抑制物質層であるシリコン層４を介在させて窒化物系化合物半導体基材１０を製造する。例文帳に追加

A silicon layer 4 as a defect suppressing substance layer is provided between a first nitride-based compound semiconductor layer 3 containing dislocations grown on a substrate 1, and a second nitride-based compound semiconductor layer 5 containing dislocations less than the first nitride-based compound semiconductor layer to manufacture a nitride-based compound semiconductor base material. - 特許庁

レゾルバ／デジタル変換器１０では、回転位置算出手段１１は、回転位置センサから出力されたセンサ値Ｓ１、Ｓ２が入力されると、所定の処理時間ΔＴを要して、センサ値Ｓ１、Ｓ２に回転位置を求めるための処理を施し、処理結果を第１回転位置θcalcとして出力する。例文帳に追加

In a resolver/digital converter 10, when sensor values S1 and S2 output from a rotation position sensor are input in rotation position calculation means 11, the rotation position calculation means 11 performs processing for determining a rotation position on the sensor values S1 and S2 with a prescribed processing time ΔT and outputs the processing result as a first rotation position θcalc. - 特許庁

これにより、ＣＩＳ１の最適焦点位置が下方にずれることになり、結果として、原稿面である原稿台ガラス３上面は、主走査読み取り範囲の全域においてＣＩＳ１の有効焦点範囲（焦点深度）の中に保持され、高品位な画像読み取りが行われる。例文帳に追加

Thus, the optimum focal position of the CIS 1 is deviated downward, resulting that the upper face of the original platen glass 3 being the original face is maintained within a valid focal range (focal depth) of the CIS 1 within the entire main scanning read range so as to attain image reading with high quality. - 特許庁

カード変換装置２００は、遊技機店１０で遊技客が獲得した遊技媒体の計数結果である景品玉数と、挿入されたデビットカードやクレジットカードなど決済カード１８２のカード番号とを第２の管理機関３０の決済管理装置３１へ送信する。例文帳に追加

A card converter 200 transmits the number of prize balls, or a counting result of a game medium obtained by the player in a game machine parlor 10 with the number of a settlement card 182 such as an inserted debit card and a credit card to a settlement control device 31 of a second control mechanism 30. - 特許庁

使用後の転がり軸受の回転輪と固定輪に対してＸ線分析を行い、このＸ線分析の結果から回転輪の最大転動体荷重の推定値を得ると共に、固定輪の任意の１点以上の位置での転動体荷重の推定値を得る（Ｓ１）。例文帳に追加

X-ray analysis is performed for a turning wheel and a fixed wheel of an after-use rolling bearing to obtain an estimate value of a maximum rolling element load of the turning wheel from the result of the X-ray analysis while acquiring estimate values of a rolling element load in one or more arbitrary positions of the fixed wheel (S1). - 特許庁

例えば、Ｖ領域、ＯＳＦ領域および巨大転位クラスタ（ＬＳＥＰＤ、ＬＦＰＤ）領域を含まない、高耐圧の優れた電気特性を持つ無欠陥領域のＰドープシリコン単結晶を簡単かつ安価で製造する方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method for easily and inexpensively manufacturing a P-doped silicon single crystal which is composed of an indefective area without including a V area, an OSF area, and a huge dislocation cluster (LSEPD, LFPD) area and has a high pressure resistance and excellent electrical properties. - 特許庁

識別器生成部は、転移識別器を構成する弱識別器に特徴量を代入し、それらの弱識別器の識別結果と学習画像の重みとに基づいて弱識別器の誤り率を算出するとともに、誤り率が最小となる弱識別器を選択する処理を複数回、繰り返し行う。例文帳に追加

A discriminator generation part substitutes the feature amount into weak discriminators constituting the transfer discriminator, calculates an error rate of the weak discriminators on the basis of identification results of the weak discriminators and weight of the learned image, and repeats, multiple times, a process of selecting a weak discriminator with a minimum error rate. - 特許庁

転位密度が低く結晶品質に優れ、且つ大口径の珪素（Ｓｉ）単結晶を基板として利用し、その表面上に積層した窒化ガリウム単結晶層から結晶欠陥密度の小さい大面積の窒化ガリウム単結晶基板を製造する方法とその方法により製造された窒化ガリウム単結晶基板を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a gallium nitride single crystal substrate having small crystal defect density and a large surface area from a gallium nitride single crystal layer laminated on the surface of silicon (Si) single crystal used as a substrate and having low dislocation density, excellent crystal quality and a large diameter and to provide the gallium nitride single crystal substrate manufactured by the same method. - 特許庁

側方部と側方部から折り曲げられる天板部とからなる吸着部の構造を工夫し、導電部材の吸着時において真空吸着装置による吸着効率を上げることを第１の目的とし、導電部材の載置時において吸着部が永久変形する可能性を低減させることを第２の目的として、結果的に、自動実装効率の向上を図る。例文帳に追加

To improve automatic mounting efficiency by devising the structure of a suction composed of a side and a top plate bent from the side, and then achieving the 1st purpose of increasing the suction efficiency of a vacuum suction device when a conductive member is sucked, and the 2nd purpose of reducing the possibility of permanent deformation of the suction when the conductive member is mounted. - 特許庁

サブＣＰＵ１０４は、主電源スイッチ１０７のオン／オフを検出し、当該検出結果と、操作パネル１１１を介した操作入力や画像形成部１１５における処理状態とに応じて、各負荷へ供給される電力の状態が各々異なるいずれかの動作モードへの遷移を制御し、動作モードに応じて、第１リレー接点１０６のオン／オフを制御する。例文帳に追加

The sub CPU 104 detects ON/OFF of the main power switch 107, controls transition to any operation mode wherein a state of the power supplied to each load varies according to a detection result thereof and a processing state in an image forming part 115 or operation input through an operation panel 111, and controls the ON/OFF of the first relay contact 106 according to the operation mode. - 特許庁

格子定数差を持つ材料間で、または物性が大きく異なる材料間でヘテロ界面を形成した場合、界面にはミスフィット転移や格子空孔などに代表される種々の欠陥が形成され、電子散乱によりシート抵抗値は上昇し、ホール素子の感度の低下を導き、特性の劣化を引き起こす。例文帳に追加

To solve the problem that, when a hetero interface is formed between materials having different lattice constants or large physical properties, various kinds of defects typified by the misfit dislocation, lattice vacancy, etc., are formed in the interface and the sheet resistivity is raised by electron scattering, resulting in the sensitivity drop and deterioration in characteristics of a Hall element. - 特許庁

薄膜太陽電池パネルのエッジデリーションを行う場合、加工対象となる辺からパネルの内側に向かう方向に最大想定距離ＤＳ以上離れた測定位置において測定を行う変位計２０１を選択し、選択した変位計２０１による測定結果に基づいて、レーザ光の焦点位置を制御する。例文帳に追加

When performing the edge deletion of the thin-film solar battery, the displacement meter 201 which performs measurement in the measuring position separated at the maximum assumption distance DS or longer from a side to be processed to the inside of a panel is selected, and a focus position of the laser light is controlled on the basis of the measurement result by the selected displacement meter 201. - 特許庁