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edge dislocationとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 双状転位; 刃状転位
「edge dislocation」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 28件
To provide an evaluation method of a group III nitride crystal capable of accurately measuring the dislocation density for each of various dislocation types, i.e., screw dislocation, mixed dislocation and edge dislocation in the surface of the group III nitride crystal.例文帳に追加
III族窒化物結晶の表面の螺旋転位、混合転位および刃状転位の各種転位の種別ごとにその転位密度が正確に測定できるIII族窒化物結晶の評価方法を提供する。 - 特許庁
To easily provide a nitride-base semiconductor device having excellent device characteristics by forming, at good yield, nitride-base semiconductor layers in which all dislocation densities of edge-shaped dislocation, helical dislocation and mixed dislocation are decreased.例文帳に追加
刃状転位、らせん転位および混合転位のすべての転位密度が低減された窒化物系半導体層を歩留まり良く形成することによって、良好な素子特性を有する窒化物系半導体素子を容易に提供する。 - 特許庁
To improve characteristics in a semiconductor device by reducing edge dislocation in the GaN layer of a semiconductor substrate.例文帳に追加
半導体基板のGaN層内の刃状転位を削減し、半導体装置の特性を改善すること。 - 特許庁
To provide a silicon carbide single crystal with a large diameter and high quality, including little micropipe defects, screw dislocation and edge dislocation, a silicon carbide substrate and a method for manufacturing the substrate.例文帳に追加
マイクロパイプ欠陥,螺旋転位,及び刃状転位をほとんど含まず,大口径高品質の炭化珪素単結晶、炭化珪素基板及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁
It is geometrically impossible for a dislocation which is threading the foil from top to bottom to escape from the foil except at an edge.発音を聞く 例文帳に追加
薄片の頂上から底まで通り抜けている転位が薄片から逃げることは、(試料の)端を除いては幾何学的に不可能である。 - 科学技術論文動詞集
The compound semiconductor wafer consists of a compound semiconductor and contains impurities to reduce dislocation density with higher concentration in an outer edge portion 2 than in the interior region 3.例文帳に追加
化合物半導体からなり、転位密度を低減する不純物を内側領域3よりも外縁部2に高濃度で含有している。 - 特許庁
By the semiconductor substrate, the semiconductor device, and a method for manufacturing the semiconductor device, edge dislocation in the GaN layer is reduced, thus improving characteristics in the semiconductor device.例文帳に追加
本発明によれば、GaN層内の刃状転位を削減し、半導体装置の特性を改善することができる。 - 特許庁
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「edge dislocation」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 28件
PACKAGED BODY, METHOD OF PACKAGING PHOTOSENSITIVE ELEMENT, METHOD OF PREVENTING EDGE FUSION OF PHOTOSENSITIVE ELEMENT, AND METHOD OF PREVENTING WINDING DISLOCATION OF PHOTOSENSITIVE ELEMENT例文帳に追加
梱包物、感光性エレメントの梱包法、感光性エレメントのエッジフュージョン防止法及び感光性エレメントの巻きずれ防止法 - 特許庁
To provide a semiconductor device suppressing the occurrence of a dislocation and the rise of a diffusion resistance in an edge of source/drain regions of CMIS.例文帳に追加
CMISのソース・ドレイン領域端部における転位の発生および拡散抵抗の上昇を防止する。 - 特許庁
The interval between the flange part 7 and dislocation preventing fastening edge 8 is of approximately the same size as the sum of the wall thickness of the upper frame and the thickness of furring strips to be arranged on the upper frame, and the tip of the dislocation preventing edge 8 is protruded to the outer circumference more than the fastening protrusions 11.例文帳に追加
鍔部7と抜け止め係止縁8との間の間隔を上記上枠の肉厚と上枠の上に配置する胴縁の肉厚との和の厚さと略同じ寸法にすると共に抜け止め係止縁8の先端を係当突条11により外周に突出させる。 - 特許庁
Image data on a specimen having the straight line edge are acquired; an edge position of the specimen corresponding to a picture element in the direction along an edge image S_1 is estimated: and dislocation quantity of the straight line edge is determined on the basis of this edge position, for resolving the problem.例文帳に追加
直線エッジを有する試験片の画像データを取得し、エッジ画像S_1 に沿う方向の画素に対応した試験片のエッジ位置を推定し、このエッジ位置に基づいて直線エッジのずれ量を求めることにより、上記課題を達成する。 - 特許庁
To prevent the dislocation of a frame body provided on the outer peripheral part of the upper face of an insulation board and connect a bonding wire at the prescribed position of a wiring conductor by easily confirming the direction and amount of the dislocation of the wiring conductor and the inner peripheral edge of the frame body.例文帳に追加
配線導体と枠体の内周縁との位置ずれの方向と量を容易に確認できるようにすることで、絶縁基板上面の外周部に設けられた枠体の位置ずれを防ぎ、配線導体の所定の位置にボンディングワイヤを接続できるようにすること。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a silicon carbide wafer which prevents complication of a manufacture process, does not restrict a silicon carbide substrate, and is capable of more surely converting a basal plane dislocation to a threading edge dislocation, and also to provide a silicon carbide semiconductor device using the silicon carbide wafer.例文帳に追加
製造工程の複雑化を防止し、炭化珪素基板の制約がなく、かつ基底面転位をより確実に貫通刃状転位に転換できる炭化珪素ウェハの製造方法及び前記炭化珪素ウェハを用いた炭化珪素半導体素子を提供する。 - 特許庁
To make intake air smoothly flow inside a synthetic resin-made intake manifold by smoothly absorbing a dislocation to be generated between an abutment surface inside edge of a downstream side part and an abutment surface inside edge of an upstream side part when welding.例文帳に追加
溶着時に下流側部分の合わせ面内側縁と上流側部分の合わせ面内側縁との間に生じるズレを円滑に吸収し、合成樹脂製吸気マニホールド内で吸気を円滑に流通させる。 - 特許庁
To suppress extension of dislocation generated in activation thermal treatment at a high concentration impurity region by lowering stress generated around pattern edge without performing activation thermal treatment at high temperature for long hours.例文帳に追加
高温で長時間の活性化熱処理を行うことなく、パターンエッジ部周辺に発生する応力を軽減することにより高濃度不純物領域の活性化熱処理で発生する転位の拡張を抑制する。 - 特許庁
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