なだれ降伏の英語

降伏電圧が印加されたときにｐｎ接合になだれ降伏が安定して生じる半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device in which an avalanche breakdown is stably generated in a pn junction when a breakdown voltage is applied, and to provided a method of manufacturing the same. - 特許庁

更に末端領域の厚いフィールド酸化層によって電界分布が改善され、電子なだれ降伏電圧がより安定した予想可能なものとなる。例文帳に追加

Further, a field effect distribution is improved by the thick field oxide layer in the distal region, and an electron avalanche yield voltage can be stably expected. - 特許庁

ＰＮ接合なしで雪崩降伏現象を起こして熱い電子を生じせしめてエネルギーを失うことなく半導体から外部（真空）への電子の放出を効率よく行う。例文帳に追加

To efficiently emit electrons from a semiconductor to the outside (vacuum) without their losing energy by generating hot electrons, while generating avalanche breakdown phenomenon without a P-N junction. - 特許庁

逆方向の静電気サージが印加されたときに、局所的な雪崩降伏現象を起こすことをなくし、良好な静電気破壊耐性を有するダイオードを提供する。例文帳に追加

To provide a diode having good static electricity breakdown voltage by eliminating the generation of the local avalanche breakdown phenomenon when a backward direction static electricity surge is applied. - 特許庁

これにより、逆方向の静電気サージが印加された時、不純物拡散領域１２，１３間の分離領域に均一なＰ型反転層ＩＰが形成され、局所的な雪崩降伏現象が生じない。例文帳に追加

Consequently, when reverse static electricity surge is applied, a uniform p-type inversion layer IP is formed in an isolation region between the impurity diffusion regions 12, 13 and local avalanche breakdown phenomenon is not generated. - 特許庁

基板上に配置されたｐｎ接合を備えた放射源であって、前記ｐｎ接合を逆バイアスしてなだれ降伏を生じさせ、前記ｐｎ接合のｎ型領域中に加速された電子の減速によってＵＶ放射若しくはＤＵＶ放射を放出させることができる、リソグラフィに使用するための放射源である。例文帳に追加

The radiation source, which comprises pn junction arranged on a substrate, used for lithography can discharge UV or DUV radiation in such a way that avalanche breakdown is generated by reversely biasing the pn junction, and electrons accelerated in n-type region of the pn junction is decelerated. - 特許庁