ぬのいちちょう４ちょうめの英語

防犯ｃｏｎｔ（コントローラ）４から、ある部屋の警備信号がＯＮになった場合、空調ｃｏｎｔ５Ｂ及び照明ｃｏｎｔ６Ａが管理する部屋の空調機５３１，５３２及び照明器６３１，６３２を停止制御する。例文帳に追加

When a guard signal for a room from a crime-prevention controller 4 is turned ON, air conditioners 531, 532 and illuminators 631, 632 of the room managed by an air conditioner controller 5B and an illuminator controller 6A are controllably stopped. - 特許庁

この光ファイバーは、１５５０ｎｍの波長で正の波長分散を有し、有効面積の２乗と波長分散勾配との比が、１０００００μｍ^４・ｎｍ^２・ｋｍ／ｐｓである。例文帳に追加

This optical fiber has positive wavelength dispersion at a wavelength of 1,550 nm and the ratio of the square of the effective area and the wavelength dispersion gradient is 100,000 μm^4 nm^2 km/ps. - 特許庁

サファイア基板１のＣ面上に、ＡｌＧａＮ第１バッファ層２、ＧａＮ第２バッファ層３および第１ＧａＮ層４を順に成長させ、図中のＡ−Ａ線上の第１ＧａＮ層４を研磨する。例文帳に追加

On a side C of a sapphire substrate 1, an AlGaN first buffer layer 2, a GaN second buffer layer 3 and a first GaN layer 4 are grown sequentially, and the first GaN layer 4 on a line A-A in the figure is polished. - 特許庁

種抜き調味梅１は、種が抜き取られて調味料で味付けされた南高梅由来の調味付け梅干６の表皮３の表面に、馬鈴薯澱粉４がまぶされている。例文帳に追加

The pitted seasoned ume 1 is obtained such that potato starch 4 is sprinkled on the surface of the skin 3 of a seasoned pickled ume 6 originated in Nanko-ume, pitted and seasoned with seasoning. - 特許庁

このようにして、第１ＧａＮ層４にオフ面が形成されたＧａＮオフ基板２５を作製し、第１ＧａＮ層４のオフ面に第２ＧａＮ層を成長させる。例文帳に追加

Thus, a GaN off substrate 25 with an off surface formed on the first GaN layer 4 is produced, and a second GaN layer is grown on the off surface of the first GaN layer 4. - 特許庁

観測部４♯１〜４♯ｎのそれぞれは、対応するカメラ２♯１〜２♯２で得られた入力画像に対し特徴抽出処理を行なう。例文帳に追加

Observation parts 4#1 to 4#n perform the feature extraction processing to input pictures obtained by respective cameras 2#1 to 2#n. - 特許庁

化学気相成長方法により膜を形成する為の材料であって、 Ｓｉ（ＯＲ）_４とＨｆ（ＮＲ’Ｒ”）_４とを用いる。例文帳に追加

Si(OR)_4 and Hf(NR'R")_4 are employed as materials for forming the film by chemical vapor phase epitaxial method. - 特許庁

ついで、ｎ型半導体基板１およびｐ型エピタキシャル層３の露出面上にｎ型エピタキシャル層４をエピタキシャル成長させる。例文帳に追加

Then an n-type epitaxial layer 4 is grown on the exposed surfaces of the semiconductor substrate 1 and p-type epitaxial layer 3. - 特許庁