のけ５ちょうめの英語

ヤツの携帯を盗聴するには 5フィート以内に近づかなければ だめです例文帳に追加

We're gonna have to get within five feet of his phone in order to clone it. - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

ここで、調心弾性体７は、第１溝５を埋めるような螺旋状の形状を有し、また、第１溝５内において可動である。例文帳に追加

The aligning elastomeric piece 7 has a spiral shape as filling the first groove 5 and is movable within the first groove 5. - 特許庁

浅皿状凹部５の平面形状は、円ないし長円とするのが、凹部５の加工及び当り面７の油膜の形成の点で好ましい。例文帳に追加

Preferably, the planar shape of the shallow plate-shaped recess part 5 is formed into a circle or a long circle for machining the recess part 5 and forming an oil film of the abutment surface 7. - 特許庁

棒（２）の下部にケース（５）を設け、そのケース（５）に磁石（６）をはめ込み、棒（２）をネジ込みするために長ナット（４）をケース（５）の端部に取り付け、押えナット（３）でケース（５）が抜けないように装着することを特徴とする。例文帳に追加

A case 5 is provided under the stick 2, and the magnet 6 is fitted in the case 5, and a long nut 4, to which the stick 2 is screwed, is fitted to the end of the case 5, and a presser nut 3 is used for installation to prevent a fall of the case 5. - 特許庁

(5) 審判委員会の決定は，多数決の評決を得て公告され，委員長，委員及び書記官の署名を帯びるものとする。例文帳に追加

(5) The decision of the board of appeal is pronounced with the majority of votes and shall bear the signatures of the chairman, members and secretary. - 特許庁

封止材５の形成処理が一通り終われば、ハンダの固化前に超音波ハンダゴテを抜いて封止材の形成を終了する。例文帳に追加

Once an ordinary forming process of the sealing material 5 is over, the ultrasonic-wave soldering iron is pulled off before solidification of the solder to finish forming of the sealing material. - 特許庁

この調整部６の表面は被研磨膜５の研磨面の高低に応じて研磨面が研磨パッド１に接触する接触圧力の大小を調節するように、被研磨膜５の研磨面が高い部位が調整部表面が高く、低い部位が低くなるように加工されている。例文帳に追加

A surface of the adjusting part 6 is machined to be higher where a polishing surface of the film 5 is higher, and lower where it is lower, so that the polishing surface adjusts contact pressure of the polishing surface to get in contact with the polishing pad 1 in accordance with height of the polishing surface of the film 5. - 特許庁

シリサイド層５の面積を調節することで、多結晶シリコン膜３の形状を変えることなく、シリサイド層４とシリサイド層５との間の距離を調節し、抵抗素子の抵抗値を調整することができる。例文帳に追加

A distance between the silicide layers 4 and 5 is controlled by regulating the area of the silicide layer 5 without changing the polycrystalline silicon film 3 in shape, whereby the resistance value of the resistive element can be adjusted. - 特許庁