ひろたちょうたいらばたけの英語

区分型ケーシングチャンバ（１５、１６）間に追加された自動バルブ（４１）により、圧縮バネは阻止状態にあっても、圧力流体の圧力により伸長方向（３６ａ）に作用する伸長力に匹敵する力を加えることによりピストン・ロッドの伸長方向（３６ａ）に調整可能である。例文帳に追加

An automatic valve 41 is added between the partitioned casing chambers 15, 16, whereby even if the compression spring is stopped, force equivalent to the tension acting in the elongation direction 36a is applied to the compression spring by the pressure of the pressure fluid so that the compression spring can be adjusted in the elongation direction 36a of the piston rod. - 特許庁

東宮大進時代には朝廷の儀礼や典礼関係の年中行事に記録が見られ、藤原道長の主催した競馬などに参加している。例文帳に追加

Records of the yearly events associated with the rituals and ceremonies of the Imperial Court show that, while serving as the Crown Prince's adviser, he participated in horse races hosted by FUJIWARA no Michinaga.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

海洋深層水から製造した健康塩は、食塩中の塩化ナトリウム、塩化カリウム、その他ミネラル分が調整できるため健康対策としての用途（例えば高血圧対策、疲労回復など）に合せてそれぞれの濃度を調整する。例文帳に追加

Since sodium chloride, potassium chloride, and other minerals in health salt produced from ocean deep water can be adjusted, their concentrations are adjusted in response to uses (for example, hypertension measures, fatigue recovery) as health measures. - 特許庁

長州藩士佐久間竹之允を父に持つ左馬太は大村益次郎の元で西洋兵学を学び、慶応2年（1866年）第二次長州征伐の時には長州軍の大隊長として従軍した。例文帳に追加

Samata, whose father was Takenojo SAKUMA, a feudal retainer of Choshu Domain, learned Western military science under Masujiro OMURA and participated in the Second Conquest of Choshu in 1866, as a daitaicho (Chief) of the Choshu army.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

多結晶セラミック基板の表面に導体層が形成されてなることを特徴とするウエハプローバ。例文帳に追加

A wafer prober is characterized in that a conductor layer is formed on the surface of a polycrystalline ceramic board. - 特許庁

基板法線方向から見て閉じた形状の窪み１０４が表面に設けられた基板１０２と、少なくとも窪み１０４の内面（１０５、１０６、１０７）からの結晶成長によって基板１０２の表面上に形成された半導体層１０３とを備えた半導体装置である。例文帳に追加

This semiconductor device is equipped with a substrate 102 which has on its surface a hollow in a closed shape, when viewed from a substrate normal direction, and a semiconductor layer 103 formed on the surface of the substrate 102 by crystal growth at least from internal surface (105, 106, and 107) of a hollow 104. - 特許庁

基板法線方向から見て閉じた形状の窪み１０４が表面に設けられた基板１０２と、少なくとも窪み１０４の内面１０５、１０６、１０７からの結晶成長によって基板１０２の表面上に形成された半導体層１０３とを備えた半導体装置である。例文帳に追加

The semiconductor device includes a substrate 102 on the surface of which a recess 104 in a closed shape when viewed in the direction of the normal of substrate is provided and a semiconductor layer 103 formed on the surface of the substrate 102 by the crystal growth from at least inner surfaces 105, 106, and 107 of the recess 104. - 特許庁

シロナメツムタケ（ＦＥＲＭ Ｐ−２１３４４、２１３４５、２１３４６）の子実体又は菌糸体の破砕物又は溶媒抽出物から得られることを特徴とする神経成長因子産生促進活性を有する組成物。例文帳に追加

The composition having the beta NGF production promoting activity is characterized by being obtained from a crushed material or a solvent extract of a fruit body or a mycelium of Pholiota lenta (FERM P-21344, 21345 and 21346). - 特許庁