やぐす３ちょうめの英語

ピアノ線等からなるワイヤ３の表面に超硬材（タングステンカーバイド）からなる超硬粒子５を電着メッキで固定した固定砥粒ワイヤ６。例文帳に追加

In this fixed abrasive wire 6, super hard grains 5 formed from a super hard material (tungsten carbide) are fixed to a surface of the wire 3 such as a piano wire by electrodeposition plating. - 特許庁

タングステン製のワイヤーを編み込んでロープ状に形成したテールガット本体１ａの両端部に、調整金具３を交換可能な雄ねじ２ａを形成したステンレス鋼製パイプ２をかしめて固定する。例文帳に追加

Stainless steel pipes 2 formed with external threads 2a allowing the exchange of regulation fittings 3 are caulked and fixed to both ends of a tail gut body 1a formed by braiding a tungsten wire to a rope form. - 特許庁

グラファイト層３は、膨張黒鉛をローラでプレス圧延することによりシート状に形成され、放熱層５は、グラファイト層３の表面に酸素雰囲気中でケイ素をスパッタリングすることにより、厚さ約１００ｎｍの二酸化ケイ素の層として形成されている。例文帳に追加

The graphite layer 3 is formed like a sheet by pressing the expanding graphite with the roller, and the dissipation layer 5 is formed as a silica layer with a thickness of approximately 100 nm by sputtering the silica on the surface of the graphite layer 3 in the oxygen ambient atmosphere. - 特許庁

誘電体板１の上面に共振用導体線路３、入出力導体４ａ，４ｂおよび結合用電極５を形成し、実装基板６に共振周波数調整用電極９を形成し、結合用電極５と共振周波数調整用電極９とをワイヤボンディングする。例文帳に追加

A conductive line 3 for resonance, input and output conductors 4a and 4b, and an electrode 5 for connection are formed on the upper face of a dielectric board 1, and an electrode 9 for adjusting resonance frequencies is formed on a mounted substrate 6, and the electrode 5 for connection is wire- bonded with the electrode 9 for adjusting the resonance frequencies. - 特許庁

Ｌｃが２０〜５０Å、ＤＢＰ吸収量が１５０〜４００ｃｍ^3／１００ｇのアセチレンブラックを、ジエン系ゴム、ブチルゴム及び／又はオレフィン系ゴムに含有させてなることを特徴とするタイヤサイドウォール用ゴム組成物である。例文帳に追加

This rubber composition for the tire side wall constitutes its characteristic feature of containing acetylene black Lc of which is 20-50 Åand DBP absorption of which is 150-400 cm^3/100 g in diene rubber, butyl rubber and/or olefinic rubber. - 特許庁

基体（１，２）の表面に、エッチングマスクの少なくとも一部として、金属フッ化物層３等の固体層を形成する工程と、前記固体層を化学薬品処理する工程と、前記固体層をマスクとして、前記基体をエッチングする工程とを有することを特徴とするエッチング方法。例文帳に追加

The etching method includes: a step of forming a solid layer, such as a metal fluoride layer 3, at least as one portion of an etching mask on the surface of substrates 1, 2; a step of performing chemical processing to the solid layer; and a step of etching the substrates with the solid layer as a mask. - 特許庁

そこで、本発明の半導体装置の製造方法は、ボンディングパッド２上に開口部Ｋ１を有するパッシベーション膜３を形成する工程と、前記ボンディングパッド２の表面をアルカリ系の薬品を用いて洗浄処理する工程と、アルカリ系の薬品で洗浄処理されたボンディングパッド２上にワイヤーボンディングする工程とを有することを特徴とするものである。例文帳に追加

The method for manufacturing a semiconductor device comprises a process for forming the passivation film 3 having the aperture K1 on the bonding pad 2, a process for washing the surface of the bonding pad 2 by using an alkali group chemicals, and a process for bonding wires on the bonding pad 2 washed by the alkali group chemicals. - 特許庁