イオン感応電界効果トランジスタの英語

イオン感応膜を固定する導電性基板を電界効果トランジスタと装脱着可能にし、電界効果トランジスタから切り離された状態で、導電性基板に感応膜材料を塗布し、高温焼付処理を行う。例文帳に追加

An electroconductive substrate for fixing the ion responsive film is provided on the field-effect transistor in a detachable manner and in a state with the electroconductive substrate being separated from the field-effect transistor, a responsive film material is applied to the electroconductive substrate and the whole is subjected to high-temperature baking treatment. - 特許庁

イオンセンサーであるイオン感応性電界効果型トランジスタ(ISFET)の心臓部である感応膜マトリックス部分に多く使われる可塑化ポリ塩化ビニルが膜材料よりも耐久性を有するイオンセンサーを提供する。例文帳に追加

To provide an ion sensor wherein a plasticized polyvinyl chloride often used for a sensitive film matrix part which is the central part of an ion- sensitive field effect transistor (ISFET), which is an ion sensor, has higher durability than film material. - 特許庁

被験試料中の標的イオンを検出するための標的イオン感応部２０を電界効果型トランジスタ１０のゲート領域１７に形成した。例文帳に追加

A target ion responding part 20 for detecting target ions in a sample to be inspected is formed to the gate region 17 of a field-effect transistor 10. - 特許庁

標的イオン感応部２０を包接化合物２１と、包接化合物２１を電界効果型トランジスタ１０のゲート領域１７に化学的に結合させる無機シラン化合物２２とで構成した。例文帳に追加

The target ion responding part 20 is constituted of an inclusion compound 21 and an inorganic silane compound 22 for chemically bonding the inclusion compound 21 to the gate region 17 of the field-effect transistor 10. - 特許庁

誘電体分離基板３０の一方の半導体島状領域３２ａに電界効果型トランジスタ４０が形成され、他方の半導体島状領域３２ｂの主表面上に絶縁膜２５を介してイオン感応膜６が形成されている。例文帳に追加

A field-effect transitor 40 is formed on one semiconductor island- shaped region 32a of a dielectric separation substrate 30 and an ion responsive film 6 is formed on the main surface of the other semiconductor island-shaped region 32b thereof through an insulating film 25. - 特許庁

複数のイオン感応型電界効果トランジスタ（ＩＳＦＥＴ）１０１および各ＩＳＦＥＴ１０１に共通に設けられてＩＳＦＥＴ１０１の各々のチャネルに容量接続した検出対象の物質が付着する物質固定部１０２を備える。例文帳に追加

This field effect type sensor includes a plurality of ion sensitive field effect transistors (ISFET) 101, and a material fixing part 102 provided in common on each ISFET 101, to which a material adheres, which is a detection object capacity-connected to each channel of the ISFET 101. - 特許庁

イオン感応性電界効果トランジスタを有するｐＨ計において、ｐＨ値の測定を繰り返しても、ｐＨ緩衝能が低く、導電率も低い純度が高いサンプル液のｐＨ値の測定を正確に行える構造を有するｐＨ計を提供すること。例文帳に追加

To provide a pH meter which has a structure capable of exactly measuring a pH value of a sample liquid with high purity whose pH buffering capacity is low and conductivity is also low even when measurement of the pH value is repeated in a pH meter which has an ion-sensitive field effect transistor. - 特許庁