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カルコゲナイド系の英語
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英訳・英語 chalcogenide‐base
「カルコゲナイド系」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 21件
オキシカルコゲナイド系薄膜の成長に溶液気化ＣＶＤ法を用いる。例文帳に追加
Solution vaporization CVD is employed for growing an oxy-chalcogenide based thin film. - 特許庁
オキシカルコゲナイド系半導体単結晶薄膜の製造方法および半導体装置の製造方法例文帳に追加
METHOD FOR FORMING OXYCALCOGENIDE-BASED SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL THIN FILM AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
正孔輸送層１２は、オキシカルコゲナイド結晶系の半導体を用いて構成されている。例文帳に追加
The positive-hole carrier layer 12 is configured using an oxychalcogenide crystal semiconductor. - 特許庁
情報記録層１３０は、カルコゲナイド系列の相変化媒体で形成される。例文帳に追加
The information recording layer 130 is formed by using a phase transition medium of a chalcogenide series. - 特許庁
オキシカルコゲナイド系薄膜の成長方法、オキシカルコゲナイド系薄膜、酸化物半導体薄膜の成長方法、酸化物半導体薄膜、半導体装置の製造方法および半導体装置例文帳に追加
OXY-CHALCOGENIDE BASED THIN FILM, METHOD FOR GROWING THE SAME, OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM METHOD FOR GROWING THE SAME, PROCESS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
ｐ型層を得ることができ、しかも大面積にわたって均一にオキシカルコゲナイド系薄膜を成長させることができ、量産性に優れているオキシカルコゲナイド系薄膜の成長方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for growing oxy-chalcogenide based thin film excellent in mass productivity in which a p-type layer can be obtained and an oxy-chalcogenide based thin film can be grown uniformly over a large area. - 特許庁
この単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０３上に溶液気化ＣＶＤ法により単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０４を成長初期からエピタキシャル成長させる。例文帳に追加
A crystal oxychalcogenide thin film 104 is grown on the single-crystal oxychalcogenide system thin film 103 by the solution vaporization CVD method from an early phase of the epitaxial growth. - 特許庁
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「カルコゲナイド系」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 21件
薄膜間の界面が急峻で良質な単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜を成長させることができる単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜の成長方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for growing a single-crystal oxychalcogenide system thin film, capable of making grown a proper quality single-crystal oxychalcogenide system thin film having a precipitous interface between thin films. - 特許庁
カルコゲナイド系材料を用いた相変化メモリの製造工程において、シリコン基板の裏面及びベベル部に付着したカルコゲナイドによる汚染を短時間で効果的に除去すること。例文帳に追加
To remove effectively for a short time the contamination by chalcogenide adhering to the rear face and the bevel section of a silicon substrate. - 特許庁
ＹＳＺ基板やＭｇＯ基板などからなる基板１０１上にパルス・レーザ・デポジション法やスパッタリング法などによりアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜１０２を成長させ、このアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜１０２を反応性固相エピタキシャル成長法により結晶化させることにより単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０３を形成する。例文帳に追加
An amorphous oxychalcogenide system thin film 102 is grown on a substrate 101 comprising a YSZ substrate, a MgO substrate, or the like, by the pulse laser deposition method and the sputtering method, and a single-crystal oxychalcogenide system thin film 103 is formed by crystallizing the amorphous oxychalcogenide system thin film 102 by the reactive solid-phase epitaxial growth method. - 特許庁
カルコゲナイド系元素を含む光伝導層を有するフォト薄膜トランジスタ及びこれを用いたイメージセンサの単位セル例文帳に追加
PHOTO FILM TRANSISTOR HAVING A PHOTOCONDUCTIVE LAYER CONTAINING CHALCOGENIDE ELEMENT AND UNIT CELL OF IMAGE SENSOR USING SAME - 特許庁
カルコゲナイド系元素を含む光伝導層を有するフォト薄膜トランジスタ及びこれを用いたイメージセンサの単位セルを提供する。例文帳に追加
To provide a photo film transistor having a photoconductive layer containing chalcogenide element and an unit cell using the same. - 特許庁
単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜の成長方法、半導体積層構造体、半導体装置の製造方法および半導体装置例文帳に追加
GROWTH METHOD OF SINGLE-CRYSTAL OXYCHALCOGENIDE SYSTEM THIN FILM, SEMICONDUCTOR LAMINATED STRUCTURE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND THE SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁
金属ジカルコゲナイド潤滑材料１に両性あるいは陽イオン系界面活性剤２を含ませたことを特徴とする固体潤滑剤。例文帳に追加
This lubricant is prepared by incorporating an amphoteric or cationic surfactant 2 into a metal dichalcogenide lubricating material 1. - 特許庁
これにより、カルコゲナイド系元素を含む非晶質状態のＧＳＴ膜を光伝導層として用いて、非常に高い光伝導性を有することができる。例文帳に追加
The photo film transistor is able to have a high photoconductivity using the amorphous GST film containing chalcogenide element as a photoconductive layer. - 特許庁
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