カルコゲニドの英語

Ｎ型およびＰ型カルコゲニド素材の製造方法、カルコゲニド薄膜型トランジスタおよびその製作方法例文帳に追加

MANUFACTURING METHOD OF N-TYPE AND P-TYPE CHALCOGENIDE MATERIALS, CHALCOGENIDE THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁

ＰＢ−カルコゲニドナノ粒子の形状および寸法を制御する方法例文帳に追加

METHOD FOR CONTROLLING SHAPE AND SIZE OF Pb-CHALCOGENIDE NANOPARTICLE - 特許庁

金属カルコゲニドの皮膜を堆積させる方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for depositing a metal chalcogenide film. - 特許庁

ＧＳＴカルコゲニドパターンを備える相変化メモリ素子の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING PHASE CHANGE MEMORY DEVICE COMPRISING GST CHALCOGENIDE PATTERN - 特許庁

本発明の超高密度データ記憶媒体は、インジウムカルコゲニドと、ガリウムカルコゲニドと、インジウム−ガリウムカルコゲニドから選択された半導体化合物を含む１以上の半導体フィルムから製造されることを特徴とする。例文帳に追加

The ultra-high density data storage medium is composed of one or more semiconductor films each containing the semiconductor compound selected from the group composed of an indium chalcogenide, a gallium chalcogenide, and an indium-gallium chalcogenide. - 特許庁

アモルファス・カルコゲニド固体活性電解層は、金属カルコゲニドのヒドラジン・ベースの前駆物質の溶液を得、該溶液を基材上に塗布し、しかる後、前駆物質をアニールして該前駆物質をアモルファス金属カルコゲニドに変換することによって調製される。例文帳に追加

The amorphous chalcogenide solid active electrolytic layer is prepared by obtaining a solution of a hydrazine-based precursor to a metal chalcogenide; applying the solution onto a substrate; and thereafter annealing the precursor to convert the precursor to the amorphous metal chalcogenide. - 特許庁

前記粒子は、Ｍｎ_xＶ_yＴａ_zＯ_wおよびカルコゲニドガラス層の物理蒸着により行なう。例文帳に追加

The particle involves physical vapor deposition of Mn_xV_yTa_zO_w and the chalcogenide glass layer. - 特許庁

相変化メモリ及びオボニック閾値スイッチを備えるカルコゲニド含有半導体を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor containing chalcogenide with a phase change memory and an ovonic threshold value switch. - 特許庁