カルコゲン化物の英語

高沸点溶媒を用いてカルコゲン化反応させる温度領域に昇温する際に、例えば硝酸塩のＣｕ（ＮＯ_３）_２、Ｉｎ（ＮＯ_３）_３をアンモニア水溶液によりＣｕとＩｎの水酸化物を共沈させる金属水酸化物又は脱水反応後の酸化物状態では、カルコゲン化反応において局所的に金属酸化物が発生し、ＣｕＩｎＳｅ系の化合物が単相で生成できない。例文帳に追加

A high-boiling solvent, one or more metal salts and a chalcogen source containing one or more of Se, Te and S are heated to ≥170°C to thereby obtain nanoparticles of a chalcogen compound (a compound comprising one or more metal elements and one or more elements selected from Se, S and Te as constituent elements). - 特許庁

カルコゲン、酸素又はハロゲンを配位子としたランタノイドを所定の元素のカルコゲン化物、酸化物又はハロゲン化物に対しドープさせ、ランタノイドが配位子と結合していた状態の価数を維持することにより、ランタノイドの価数制御が確実に行え、材料中に光化学ホールバーニングを発現可能な価数のランタノイドが含まれる状態を容易に得ることができる。例文帳に追加

A chalcogenide, oxide or halide of a prescribed element is doped with a lanthanoid having a chalcogen, oxygen or halogen as a ligand and the valence of the lanthanoid in the state where the ligand bonds to the lanthanoid is maintained, whereby valence control of the lanthanoid is reliably carried out and a state where the lanthanoid whose valence is capable of effecting photochemical hole burning is included in the resulting photochemical hole burning material can easily be obtained. - 特許庁

また、光電変換装置１０の製造方法は、有機溶媒と、金属塩と、カルコゲン元素含有化合物と、有機オニウム塩と、を含む原料溶液を作製する工程と、支持体Ｂを原料溶液に接触させ、支持体Ｂ上に金属カルコゲン化物を含む第１の半導体層４を析出させる工程と、を具備する。例文帳に追加

A method for manufacturing the photoelectric converter 10 has steps of: making a source solution containing an organic solvent, metal salt, a chalcogen-element-containing compound, and organic onium salt; and bringing a support B into contact with the source solution to let the first semiconductor layer 4 containing the metal chalcogenide deposit on the support B. - 特許庁

相変化物質層を形成するために、アンチモンとテルルを含むカルコゲンターゲットにスパッタリング工程を行い、前記ターゲットから前記ターゲットを構成する粒子を離脱させる。例文帳に追加

In order to form the phase change material layer, a spattering step is performed to a chalcogen target including antimony and tellurium, and makes particles forming the target leave the target. - 特許庁

その結果、テルルの含量が５〜５０％であるカルコゲン化合物を含み、優秀な電気的特性及び優秀な信頼性を有する相変化物質層が形成される。例文帳に追加

In a result, the phase change material layer containing the chalcogen compound with a tellurium content of 5 to 50% and having excellent electrical characteristics and excellent reliability is formed. - 特許庁

カルコゲン化亜鉛結晶コアと硫化物シェルから構成されるコア−シェル粒子であって、該粒子表面に有機配位子が結合されてなる半導体超微粒子。例文帳に追加

The particles are core-shell particles composed of zinc chalcogenide crystal cores and sulfide shells, and organic ligands are bonded to the particle surface. - 特許庁

二酸化ケイ素：１０〜３０モル％、インジウム・錫複合酸化物およびアンチモン・錫複合酸化物の内のいずれか１種または２種を合計で５〜３５モル％を含有し、残部がカルコゲン化亜鉛からなる組成を有することを特徴とする。例文帳に追加

This target has a composition containing silicon dioxide of 10 to 30 mol%, one or two kinds of indium-tin multiple oxide and antimony-tin multiple oxide by 5 to 35 mol% in total, and the balance zinc chalcogenide. - 特許庁

９７％以上の高密度ターゲットを低コストでかつ安定して製造出来るようにし、さらに成膜の均一性を高め、生産効率を上げることができる、特に酸化物、窒化物、炭化物、硼化物及びカルコゲン化物を主成分する材料又はこれらの単相又は複相を主成分とする材料からなるスパッタリングターゲットを効率良く製造できる方法を得ることを目的とする。例文帳に追加

To provide a method for inexpensively and stably manufacturing a target with high density of 97% or more, and further a method for efficiently manufacturing a sputtering target especially consisting of a material mainly including oxide, nitride, carbide, boride, and chalcogen, or a material mainly including single phases or plural phases of them, in order to enhance uniformity of film formation and productivity. - 特許庁