フロロカーボンの英語

この密閉構造のパッケージ内に、パーフロロカーボン系ガスの電気負性絶縁ガスを封入し、かつ、パーフロロカーボン系ガスの液化防止手段を備えた。例文帳に追加

Electric negative insulating gas of perfluorocarbon gas is filled in the package of this airtight structure, and moreover an anti-liquefying means of the perfluorocarbon gas is provided. - 特許庁

フロロカーボン被膜の製造方法は、基材７表面に第１の有機物を付着させた後、フッ化ガスを流して基材表面にフロロカーボン被膜を形成する。例文帳に追加

In the method of producing a fluorocarbon film, a first organic matter is stuck to the surface of a base material 7, and thereafter, a fluorinating gas is made to flow to form a fluorocarbon film on the surface of the base material. - 特許庁

エッチングチャンバー内に付着したデポジション物質であるアルミ成分およびフロロカーボンに対し、まず塩素イオンまたは塩素ラジカルを反応させてアルミ成分を除去するドライクリーニング処理を行ない、引き続き残ったフロロカーボンに対し新たにフロロカーボンを再付着させるシーズニング処理を行なって、デポジション膜質を均一化させる。例文帳に追加

First, chlorine ions or chlorine radicals are caused to react at depositions, i.e., aluminum component or fluorocarbon, in an etching chamber in order to remove the aluminum component by dry cleaning, and then fluorocarbon is caused to readhere to the remaining fluorocarbon by seasoning processing thus making uniform the deposition film. - 特許庁

その後のシリコン窒化膜１０３のエッチング時にＳｉＨ_４ と酸素とフロロカーボンを含むガスでエッチングを行う。例文帳に追加

Then, etching is carried out by gas containing SiH_4 and oxygen and phloro-carbon when the silicon nitride film 103 is etched. - 特許庁

レジスト４をマスクとして絶縁膜３をフロロカーボン系ガスと塩素を含有するガス（Ｃｌ_2、ＢＣｌ_3等）との混合ガスでエッチングする。例文帳に追加

The insulation film 3 is etched with a mask as a resist 4 by a mixed gas of fluorocarbon based gas and gas (Cl2, BCl3 and the like) including chlorine. - 特許庁

フロロカーボン系プラズマ生成用シリコン製電極の洗浄方法およびこれを利用した半導体装置の製造方法例文帳に追加

CLEANING METHOD OF SILICON ELECTRODE FOR FLUOROCARBON- BASED PLASMA GENERATION, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

次に、前記第３の絶縁膜を貫通するコンタクト孔をフロロカーボン系のガスを用いたプラズマエッチングで形成する。例文帳に追加

A contact hole penetrating the third insulation film is formed by plasma etching with a fluorocarbon based gas. - 特許庁

次に、フロロカーボン系のガスを使用して、サイドウォール絶縁膜およびシリコン酸化膜にドライエッチングが施される。例文帳に追加

Then the side-wall insulating films and a silicon oxide film are subjected to dry etching by using fluorocarbon-based gas. - 特許庁