「フロロカーボン」に関連した英語例文の一覧と使い方

エッチングチャンバー内に付着したデポジション物質であるアルミ成分およびフロロカーボンに対し、まず塩素イオンまたは塩素ラジカルを反応させてアルミ成分を除去するドライクリーニング処理を行ない、引き続き残ったフロロカーボンに対し新たにフロロカーボンを再付着させるシーズニング処理を行なって、デポジション膜質を均一化させる。例文帳に追加

First, chlorine ions or chlorine radicals are caused to react at depositions, i.e., aluminum component or fluorocarbon, in an etching chamber in order to remove the aluminum component by dry cleaning, and then fluorocarbon is caused to readhere to the remaining fluorocarbon by seasoning processing thus making uniform the deposition film. - 特許庁

例文

その後のシリコン窒化膜１０３のエッチング時にＳｉＨ_４と酸素とフロロカーボンを含むガスでエッチングを行う。例文帳に追加

Then, etching is carried out by gas containing SiH_4 and oxygen and phloro-carbon when the silicon nitride film 103 is etched. - 特許庁

レジスト４をマスクとして絶縁膜３をフロロカーボン系ガスと塩素を含有するガス（Ｃｌ_2、ＢＣｌ_3等）との混合ガスでエッチングする。例文帳に追加

The insulation film 3 is etched with a mask as a resist 4 by a mixed gas of fluorocarbon based gas and gas (Cl2, BCl3 and the like) including chlorine. - 特許庁

フロロカーボン系プラズマ生成用シリコン製電極の洗浄方法およびこれを利用した半導体装置の製造方法例文帳に追加

CLEANING METHOD OF SILICON ELECTRODE FOR FLUOROCARBON- BASED PLASMA GENERATION, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE - 特許庁

次に、前記第３の絶縁膜を貫通するコンタクト孔をフロロカーボン系のガスを用いたプラズマエッチングで形成する。例文帳に追加

A contact hole penetrating the third insulation film is formed by plasma etching with a fluorocarbon based gas. - 特許庁

次に、フロロカーボン系のガスを使用して、サイドウォール絶縁膜およびシリコン酸化膜にドライエッチングが施される。例文帳に追加

Then the side-wall insulating films and a silicon oxide film are subjected to dry etching by using fluorocarbon-based gas. - 特許庁

このとき、エッチング条件としてフロロカーボン系ガスを添加することで、底面部の端部を除いた中間部に凸部１ａを形成する。例文帳に追加

In this case, a projection portion 1a is formed at an intermediate part exception an end of bottom part by adding fluorocarbon based gas as an etching condition. - 特許庁

続いて、得られた本体部１０１の表面に、静電粉体塗装によって、フロロカーボン膜１０２を形成する。例文帳に追加

Then, a fluorocarbon film 102 is formed on the surface of the obtained main body part 101 by electrostatic powder coating. - 特許庁

フッ素系洗浄剤の有無に関わり無く、管理濃度程度のパーフロロカーボン類を高い精度で測定すること。例文帳に追加

To accurately measure perfluorocarbons to the extent of approximately management concentration regardless of the presence or absence of fluorine- family detergent. - 特許庁

フロロカーボン被膜の製造方法、それを用いた工業材料又は工業製品並びに、その工業材料を用いた装置例文帳に追加

METHOD OF PRODUCING FLUOROCARBON FILM, INDUSTRIAL MATERIAL OR INDUSTRIAL PRODUCT USING THE SAME, AND DEVICE USING THE INDUSTRIAL MATERIAL - 特許庁

フロロカーボン膜の堆積を防ぐとともに、Ｓｉ基板等への汚染物の堆積を防いで漏れ電流を低減ことを課題とする。例文帳に追加

To avoid depositing a fluorocarbon film and depositing contaminants on an Si substrate, etc., to reduce the leakage current. - 特許庁

フロロカーボン等の化学繊維で形成されたテーパライン１０の先端側に偏った位置にくびれ部１１を設けた。例文帳に追加

This tapered line is obtained by forming a constricted part 11 at the position one-sided to the tip part of a tapered line 10 formed out of a chemical fiber such as a fluorocarbon. - 特許庁

金属膜を成膜するＣＶＤ成膜装置のチャンバをフロロカーボン系ガスを用いてクリーニングする。例文帳に追加

To clean a chamber of a CVD film-forming apparatus for forming a metallic film by using a fluorocarbon-based gas. - 特許庁

印刷工業におけるローラー、鉄鋼業における圧延ロール、鋼板製品の洗浄等に使用される洗浄剤組成物であって、特定フロン、１，１，１−トリクロロエタン、ハイドロクロロフロロカーボン（ＨＣＦＣ）及びパーフロロカーボン（ＰＦＣ）を含まない洗浄剤組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a detergent composition that is used for washing the rollers in printing industry, and for washing the milling rollers and steel plate products in iron and steel industry, and contains no specific fron, 1,1,1- trichloroethane, hydrochloro-fluorocarbon(HCFC) and perfluorocarbon(PFC). - 特許庁

ドライエッチング進行工程における混合ガスは、ＳＦ_６ガス１００容量に対してフロロカーボンガスを５〜１２容量混合させたものとし、保護膜形成工程における混合ガスを、フロロカーボンガス１００容量に対してＳＦ_６ガスを２〜５容量混合させたものとされる。例文帳に追加

The mixed gas in the dry etching advancing process is prepared by mixing the fluorocarbon gas of 5-12 volume is mixed into the SF_6 gas of 100 volume, and the mixed gas in the protective film forming process is prepared by mixing the SF_6 of 2-5 volume into the fluorocarbon gas of 100 volume. - 特許庁

壁面が入口から目視できない部分においても成膜可能であり、この方法によって得られたフロロカーボン被膜は、半導体装置の製造に用いられる薬品に対する耐性や耐熱性や機械的強度も優れているフロロカーボン被膜の製造方法とそれを用いた工業材料とを提供すること。例文帳に追加

To provide a method of producing a fluorocarbon film where film deposition is possible even in a part at which the wall face can not be viewed from an inlet, and a fluorocarbon film obtained by the method has resistance to chemicals used for producing a semiconductor device, heat resistance and excellent mechanical strengths as well, and to provide an industrial material using the same. - 特許庁

この疎水処理は、各構成部品の表面にフッ素を含有する樹脂をコーティングし、各構成部品の表面にフッ素で終端処理された撥水フィルムを貼付しまたは各構成部品の表面にフロロカーボン系の撥水塗料を塗布し、乾燥させた後に熱処理をしてフロロカーボン系ポリマーを形成することによって行われる。例文帳に追加

The hydrophobic treatment is such that the surfaces of the respective components are coated with resin containing fluorine, water- repellent films are applied to the surfaces of the respective components, or the surfaces of the respective components are coated with fluorocarbon-system water-repellent paint and, after the surfaces of the respective components are dried, fluorocarbon polymer layers are formed on the surfaces of the respective components by a heat treatment. - 特許庁

フロロカーボンを触媒で分解処理するに当たり、触媒の活性を高めることにより、ハイドロクロロフルオロカーボンを処理した場合でも一酸化炭素が発生残留しないようにする方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method by which carbon monoxide is not generated by enhancing an activity of a catalyst even when hydrochlorofluorocarbon is treated and decomposed. - 特許庁

次に、このホトレジスト層ＰＲをマスクとして、フロロカーボン系のガスをエッチングガスとして用いて、層間絶縁膜１０のプラズマエッチングを行い、マイクロレンズ１１を形成する。例文帳に追加

Next, using this photoresist layer PR as a mask and the gas of the phlorocarbon system as the etching gas, the plasma etching is executed to the interlayer insulating film 10 to form a micro-lens 11. - 特許庁

エッチングガスとして、直鎖フロロカーボンガスを用い、同じエッチング条件で連続して反射防止膜３２と層間絶縁膜３１とを一括してエッチングするようにした。例文帳に追加

Straight chain fluorocarbon gas is used as etching gas, and the etching of the reflection preventing film 32 and the interlayer insulating film 31 is effected collectively and continuously under the same etching condition. - 特許庁

従来の四塩化炭素の代替品としてのクロロフロロカーボン系油分抽出用溶媒を用いた、付着物中の絶縁油の分析方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of analyzing insulating oil in a deposit, using a chlorofluorocarbon-type oil component extracting solvent that is a substitute for conventional carbon tetrachloride. - 特許庁

簡易洗濯掛け敷布団本体１、３、５、７それぞれに、連結分離部品のマジックテープ（登録商標）２、４、６、８、９、１０をフロロカーボン糸で固着する。例文帳に追加

Hook-and-loop tapes (R) 2, 4, 6, 8, 9, and 10 of connecting/ separating parts are respectively fixed to simple washable coverlet and mattress bodies 1, 3, 5, and 7 with fluorocarbon yarn. - 特許庁

金属膜パターンを形成した基板３をＣＦ_４やＣ_４Ｆ_８、ＣＨＦ_３などのフロロカーボンガスを用いてドライエッチングを行い（ｄ）、微細な周期構造４を形成し、金属膜を除去する（ｅ）。例文帳に追加

The substrate 3 formed with the metallic patterns is subjected to dry etching using gaseous fluorocarbon, such as CH_3, C_4F_8, and CHF_3, (d) to form the fine periodic structures and to remove the metallic films (e). - 特許庁

フロロカーボンガスを使用してシリコン酸化膜をエッチングする場合に、加熱されたソースチャンバー２４の内壁面への堆積がなくなり、この堆積膜の剥離に起因するプラズマ中の微小パーティクルが少なくなる。例文帳に追加

When a silicon oxide film is etched using fluorocarbon gas, accumulation on the inner wall surface of the heated source 24 is eliminated, so that microparticles in plasma caused by peeling-off of accumulated film is decreased. - 特許庁

半導体基板１１上に金属膜１３を形成する工程と、金属膜１３の上に絶縁膜１４を形成する工程と、絶縁膜１４上に所定の形状にパターニングされたレジスト１５を形成する工程と、レジスト１５をマスクとして絶縁膜１４に孔１４ａを形成する工程と、フロロカーボンガスと、フロロカーボンガスを分解するための、触媒その他の分解促進物とを用いてレジスト１５をアッシングする。例文帳に追加

The method includes the stages of forming a metal film 13 on a semiconductor substrate 11, forming an insulating film on the metal 13, forming a resist 15 patterned in a specified shape on the insulating film 14, forming a hole 14a in the insulating film 14 by using the resist 15 as a mask, and ashing the resist 15 by using a catalyst and other decomposition accelerators for decomposing fluorocarbon gas. - 特許庁

フロロカーボンを分解処理する酸化セリウムと酸化ジルコニウムとを含有するジルコニウム系の酸化触媒を、クロロフルオロカーボンやハイドロクロロフルオロカーボン等の塩素含有フルオロカーボンで前処理することにより酸化活性を高める。例文帳に追加

The oxidation activity of the zirconium oxidizing catalyst containing cerium oxide and zirconium oxide for decomposing fluorocarbon is enhanced by pre-treating with chlorine-containing fluorocarbon such as chlorofluorocarbon or hydrochlorofluorocarbon. - 特許庁

シリコン基板１に開口幅の狭いトレンチ３と開口幅の広いトレンチ５をＲＩＥ法により形成するエッチング加工で、エッチングガスとしてハロゲン系ガス、フロロカーボン系ガス、Ｏ２を混合したガスを用いて同時に形成する。例文帳に追加

A trench 3 of narrow opening width and a trench 5 of wide opening width are formed in a silicon substrate 1 simultaneously by RIE method employing mixture etching gas of halogen based gas, fluorocarbon-based gas, and O2. - 特許庁

シリコン窒化膜をドライエッチングする工程を含む半導体装置の製造方法において、シリコン窒化膜１５のドライエッチングに、フロロカーボンガスと、総ガス流量に対し所定の濃度のメタノールガスとを添加した混合ガスを用いる。例文帳に追加

In a method for manufacturing a semiconductor device including a process for dry etching a silicon nitride film, a mixed gas obtained by doping methanol gas with a prescribed density for a total gas flow rate to fluorocarbon gas is used for the dry etching of a silicon nitride film 15. - 特許庁

この積層膜パターン５をマスクとしてドライエッチングすることにより、浅い凹陥部(第１のトレンチ)６ａを形成すると共に前記第１のシリコン酸化膜２の側壁に、フロロカーボン系の第１の堆積付着物７を付着させる。例文帳に追加

By dry etching using this laminated layer pattern 5 as a mask, a shallow recess (a first trench) 6a is formed and a first fluorocarbon-based deposit 7 is adhered to the side wall of the first silicon oxide film 2. - 特許庁

本発明のプラズマエッチング方法は、処理容器１１内に、フロロカーボン等を含有する処理ガスをガス導入口１１Ｃから導入し、被エッチング基板Ｗ中の、シリコン窒化膜上の有機低誘電体膜を、プラズマエッチングする。例文帳に追加

In the plasma etching method, treatment gas containing fluorocarbon, etc., is introduced from a gas inlet port 11C into a treatment vessel 11, and an organic and low dielectric constant film on a silicon nitride film in a substrate W to be etched is plasma-etched. - 特許庁

ガス導入口８より反応室内部にＣ_2 Ｆ_6 ガス，Ｃ_4 Ｆ_8 ガス等のフロロカーボン系ガスを導入し、第１高周波電源５によりアンテナコイル３に高周波電力を印加して、プラズマ１７を生成し、基板９をエッチングする。例文帳に追加

Fluorocarbon gas such as C2F6 gas or C4F8 gas, is introduced through a gas introduction port 8 into the inside of the reaction chamber, and high frequency power is applied to an antenna coil 3 by a first high frequency power source 5, to produce a plasma 17 and etch the substrate 9. - 特許庁

水素化ポリシロキサンを含む絶縁膜を層間絶縁膜１０３として用い、エッチングガスとしてフロロカーボンガスと酸化系ガスを少なくとも含むエッチングにより加工するため、水素化ポリシロキサンの加工面での変質層１０５が上部で厚く、下部で薄い構造が得られる。例文帳に追加

Since an insulation film containing hydrogenation polysiloxane is employed as the interlayer insulation film 103 and etching is carried out using etching gas containing at least fluorocarbon gas and oxidation based gas, such a structure as the deterioration layer 105 of hydrogenation polysiloxane on the processing surface is thick at the upper part and thin at the lower part is obtained. - 特許庁

エッチング中、プレート３６に低周波電圧を印加することにより、フロロカーボン系のガスをエッチングガスとして酸化膜をエッチングする際にも、有機系フォトレジスト膜に対する酸化膜の選択性が向上し、所望のパターンで精度高く酸化膜をパターニングすることができる。例文帳に追加

Even at etching of an oxide film by impressing the low-frequency voltage upon the plate 34 and using a fluorocarbon-based gas as an etching gas, selectivity of the oxide film to a organic photoresist film is improved, and the oxide film can be etched in a desired pattern with high accuracy. - 特許庁

可撓性を有する基板９にＩＣチップを実装する前に、基板９の洗浄を行う洗浄装置において、プラズマを発生させるチャンバ１２と、水蒸気、アルコール蒸気およびフロロカーボン系ガスのうち１種類以上のガスを含む処理ガスを供給するガス導入管１２５を設ける。例文帳に追加

A cleaning device which cleans the flexible substrate 9 before an IC chip is mounted on the substrate 9 is provided with a chamber 12 in which plasma is generated and a gas intake pipe 125 which supplies processing gas containing one or more kinds of water vapor, alcohol vapor, and fluorocarbon-based gas. - 特許庁

スライド止め３はハリス２の材質であるナイロン糸かフロロカーボン糸もしくは同程度の糸状の弾性体を２ｃｍ程度ハリスに結ぶだけであるので軽量な仕掛けとなり、活きエサ４の負担は小さく、弱りにくいためイカの乗りが良い。例文帳に追加

Since the slide stopper 3 is made of nylon filament or fluorocarbon filament same as the elastic filament material of the leader and its length is only about 2 cm, the load on the bait fish is minimized to keep its activity longer and the hit of cuttlefish is increased. - 特許庁

太さ直径０．４ミリメートルから０．８ミリメートル（望ましくは０．５５９ミリメートル）で，標準強力１０キログラムから２０キログラム（望ましくは１６．６キログラム）で，フロロカーボン１００％素材等の糸の先端１Ａを，鋭利にしたことを特徴とする。例文帳に追加

This thread is formed out of a material which has a diameter of 0.4 mm to 0.8 mm (preferably, 0.559 mm) and a standard strength of 10 kg to 20 kg (preferably, 16.6 kg) and comprises a 100% fluorocarbon, etc., wherein a tip 1A of the material is sharpened. - 特許庁

ＬｉＯ_２−Ａｌ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２系組成をベースとして有する基板を、フロロカーボンガスに総流量基準で２０〜８０％のホウ素原子及び塩素原子から選ばれた少なくとも一種を含むガスを添加してなる混合ガスを用いてエッチングする。例文帳に追加

A substrate having an LiO_2-Al_2O_3-SiO_3-based composition as a base is etched by using a gaseous mixture prepared by adding at least one kind selected from boron atoms and chlorine atoms of 20 to 80% based on the total flow rate to gaseous fluorocarbon. - 特許庁

多結晶Ｓｉ膜１０および内壁膜１２ａをマスクとして、マグネトロンエッチング装置を用いた異方性エッチングと、このエッチングで生じたフロロカーボンポリマー１４を除去するアッシングとを３回程度繰り返し行うことにより、層間絶縁膜９にソース／ドレイン領域６に達するコンタクトホール１３を形成する。例文帳に追加

An anisotropic etching process carried out by the use of a magnetron etching device and an ashing process for removing a fluorocarbon polymer 14 produced in the above etching process are repeatedly carried out three times or so, by which a contact hole 13 is provided to the interlayer insulating film 9 so as to extend to a source/ drain region 6. - 特許庁

フロン、パーフロロカーボン（ＰＦＣ）等の有機ハロゲン化合物をメタノール、プロパンガス等の可燃物質と混合し、得られる混合物を放電電極を有する熱プラズマ装置４０を使用して高温でプラズマ処理し、有機ハロゲン化合物を分解したことを特徴とする有機ハロゲン化合物の分解方法及びその装置である。例文帳に追加

In the decomposition method for the organic halogen compound and its apparatus, the organic halogen compound such as chlorofluorocarbon and perfluorocarbon (PFC) is mixed with flammable substances such as methanol and liquefied petroleum gas and the obtained mixture is subjected to a plasma treatment at a high temperature using a thermal plasma device 40 having a discharge electrode to decompose the organic halogen compound. - 特許庁

窒素原子を含むエッチングガスを用い、このエッチングガスをプラズマ雰囲気中で導入してエッチング初期に有機系の埋込層３５を選択的にエッチングする工程と、フロロカーボンガスを含むエッチングガスを用い、このエッチングガスをプラズマ雰囲気中で導入して配線用のトレンチを微細加工する工程との二段階で配線用のトレンチを微細加工する。例文帳に追加

A trench for wiring is micromachined in two stages; a process for selectively etching an organic-based embedded layer 35 at the initial stage of etching by introducing the etching gas into a plasma atmosphere by using the etching gas containing a nitrogen atom; and a process for micromachining the trench for wiring by introducing the etching gas into the plasma atmosphere using the etching gas containing fluorocarbon gas. - 特許庁