カルコゲン元素の英語

次に、各皮膜について、カルコゲン元素の物質量と化合物半導体に含まれるカルコゲン元素以外の金属元素の物質量との差を示す指標が得られる。例文帳に追加

Then, an index indicating a difference between an amount of substance of the chalcogen element and an amount of substance of the metal element other than the chalcogen element contained in the compound semiconductor is obtained in each of the films. - 特許庁

少なくとも１種の遷移金属元素と少なくとも１種のカルコゲン元素とを含む燃料電池用電極触媒であって、（遷移金属元素−カルコゲン元素配位数）／（遷移金属元素−遷移金属元素配位数）＝０．９〜２．５であることを特徴とする燃料電池用電極触媒。例文帳に追加

The electrode catalyst for a fuel cell includes at least one transition metal element and at least one chalcogen element, wherein the value of (transition metal element-chalcogen element coordination number)/(transition metal element-transition metal element coordination number) is 0.9 to 2.5. - 特許庁

好ましくは、前記Ｉ-Ｂ族金属と前記含カルコゲン元素含有有機化合物とが化学結合しており、前記含カルコゲン元素含有有機化合物と前記ルイス塩基性有機溶剤とが化学結合している。例文帳に追加

Preferably, the group I-B metal is chemically bonded to the chalcogen element-containing organic compound which is chemically bonded to the Lewis base/organic compound. - 特許庁

イオン源層５は、少なくとも一種の金属元素と、Ｔｅ，ＳおよびＳｅのうち少なくとも一種類のカルコゲン元素とから構成される。例文帳に追加

The ion source layer 5 is constituted of at least one kind of metal element and at least one kind of chalcogen element out of Te, S and Se. - 特許庁

金属カルコゲナイド粒子の製造方法は、第１の有機溶媒に金属元素が溶解されている原料溶液を、固体状のカルコゲン元素の単体と接触させながら加熱して、カルコゲン元素と金属元素とを反応させて成る金属カルコゲナイド粒子を作製する工程を具備する。例文帳に追加

The production method of metal chalcogenide particles includes a step for producing metal chalcogenide particles by heating a material solution where metal elements are dissolved into a first organic solvent while bringing the material solution into contact with simple substance of solid chalcogen elements thereby causing reaction of the chalcogen elements and the metal elements. - 特許庁

相変化デバイスの製造工程において、サイドエッチングを世紀させないカルコゲン元素を含んだカルコゲン化合物半導体膜のプラズマ処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of plasma-processing a chalcogen compound semiconductor film containing chalcogen elements, not causing the side etch, in a phase change device manufacturing method. - 特許庁

マイナスの直流バイアスが供給されるときに、カルコゲン化合物ターゲットから構成元素がスパッタされて、反応ガスと結合して基板上にカルコゲン化合物薄膜が形成される。例文帳に追加

At the time when the minus DC bias is fed, constitutive elements are sputtered from the chalcogen compound target and are combined with reactive gas, so as to deposit a chalcogen compound thin film on the substrate. - 特許庁

相変化デバイスの製造工程において、サイドエッチングを世紀させないカルコゲン元素を含んだカルコゲン化合物半導体膜のプラズマ処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of plasma-processing a chalcogen compound semiconductor film containing chalcogen elements that do not cause side etching, in a phase change device manufacturing step. - 特許庁