クピラの英語

車両後端のバックピラー１２を閉断面形状に形成し、バックピラーインナ２２にハーネス挿通穴２４とスポットガン挿入穴２５を設ける。例文帳に追加

A back pillar 12 on a vehicle rear end is formed into a closed section shape and a harness insertion hole 24 and a spot gun insertion hole 25 are formed on a back pillar inner 22. - 特許庁

その後、マスクピラー４０を除いたガラス基板１０の全面に液体絶縁材料を塗布して絶縁層４２を形成する。例文帳に追加

Then an insulating layer 42 is formed by applying a liquid insulating material to the whole surface of a glass substrate 10 excluding the mask pillars 40. - 特許庁

リアサイドメンバ上にバックピラーを強固に結合して、バックドア開口部の剛性を高める後部車体構造を提供する。例文帳に追加

To provide a rear vehicle body structure capable of enhancing the rigidity of a back door opening by firmly jointing a back pillar onto a rear side member. - 特許庁

自動車の側部中央部において上下方向に伸びるロックピラー１０の下部と、リアシートクロスメンバ２４との間に渡って、ガセット３２を取り付け、ガセット３２に連なるようにしてロックピラー１０内部にピラー側補強材３４を取り付ける。例文帳に追加

A gusset 32 is attached between the lower part of a locking pillar 10 extended up and down and a rear seat cross member 24 in the side center part of an automobile, and a pillar side reinforcing material 34 is attached inside the locking pillar 10 so as to be continued to the gusset 32. - 特許庁

多結晶シリコン膜１４のソース領域１６、ドレイン領域１８およびゲート電極３４の上の、コンタクトホール形成領域に対応した位置のレジスト膜を露光、現像してマスクピラー４０を形成する。例文帳に追加

In this method, mask pillars 40 are formed by exposing and developing resist films at positions corresponding to contact hole forming areas on a source region 16 and a drain region 18 of a polycrystalline silicon film 14 and a gate electrode 34. - 特許庁

溶接時に重ね合わされる部分となるバックピラー２１の下端部２１ａとリアコンビアダプタ２２の上端部２２ａとには、これら二部品を貫通するように形成される取付孔２１ｂ，２２ｂが設けられる。例文帳に追加

At a lower end portion 21a of a back pillar 21 and an upper end portion 22a of a rear combination adapter 22 that are parts superimposed with each other at the time of welding, mounting holes 21b, 22b formed so as to penetrate those two components are provided. - 特許庁

バックピラーレインフォースの補強機能を十分に活かして、バックドア開口の上側コーナー部の結合剛性を高められる自動車の車体後部構造の提供を図る。例文帳に追加

To make the best use of a reinforcing function in a backpillar reinforcement sufficiently to enhance coupling rigidity in an upper side corner part of a backdoor opening. - 特許庁

次に、マスクピラー４０をアッシングして除去し、絶縁層４２、ゲート絶縁膜２６を貫通させた第２コンタクトホール４４、第１コンタクトホール２８を形成する。例文帳に追加

Thereafter, second contact holes 44 and first contact holes 28 are formed through the insulating layer 42 and a gate insulating film 26 by ashing the mask pillars 40. - 特許庁