クラック抵抗の英語

薄膜抵抗体に通電して発熱させることによってその薄膜抵抗体を溶断することによって抵抗値を調整する半導体装置において、その薄膜抵抗体に直接又は間接に隣接する絶縁性膜にクラックが生じる。例文帳に追加

To solve the problem that a crack is generated in an insulating film directly or indirectly adjacent to a thin film resistor in a semiconductor device which regulates a resistance value by melting the thin film resistor by energizing and generating heat in the thin film resistor. - 特許庁

チップ抵抗器が小型化する場合でも、抵抗体や上面電極を所望の形状や大きさに形成することができ、また、チップ抵抗器の製造に際して絶縁基板にクラックが入る等して不良品が発生することがないチップ抵抗器の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing such a chip resistor that, even if the chip resistor is made compact, a resistor or an upper electrode can be formed into a desired shape or in any size, or no defective product with an insulating substrate having cracks is produced during manufacture of the chip resistor. - 特許庁

捲回応力によるクラック発生を抑制し、電池の内部抵抗を低減できるリチウムイオン電池を得ること。例文帳に追加

To obtain a lithium ion battery suppressing occurrence of cracks due to wound stress, thereby capable of reducing internal resistance of a battery. - 特許庁

以上により、比抵抗が１×１０^６Ω・ｃｍ以上で、クラックの発生率が低い窒化ガリウム層を形成できる。例文帳に追加

Thereby, the gallium nitride layer having a resistivity of ≥1×10^6 Ω×cm and a low rate of occurrence of cracks can be formed. - 特許庁

比抵抗が高く、クラックの発生率が低い窒化ガリウム基板及び窒化ガリウム層の形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a gallium nitride substrate which has high resistivity and a low rate of occurrence of cracks, and to provide a method for forming a gallium nitride layer. - 特許庁

この金属ナノ粒子分散体を塗布し、焼成することにより、クラックがなく、比抵抗値の小さい金属被膜が得られる。例文帳に追加

By applying the metal nanoparticle-dispersed body, and performing firing, the metal film free from cracks and whose specific resistance value is low can be obtained. - 特許庁

また前記電極５〜８の電気抵抗を小さくでき、さらに圧電体３、４にクラックが生じるのを適切に防止できる。例文帳に追加

Further, the electrodes 5 to 8 can be made small in electric resistance, and further the piezoelectric bodies 3 and 4 can suitably be prevented from cracking. - 特許庁

クラックあるいは吸湿／酸化によって破壊されたバリアは、キャパシタンスおよび／または抵抗の偏差を示すことになる。例文帳に追加

A barrier destroyed by cracks or humidity absorption/oxidation shows deviation in the capacitance/resistance. - 特許庁