シリコントランジスタの英語

多結晶シリコントランジスタのソースおよびドレイン領域にゲルマニウムイオンを注入することにより、シリコンゲルマニウム領域を形成する。例文帳に追加

A silicon/germanium region is formed by implanting germanium ions into the source and drain regions of a polycrystalline silicon transistor. - 特許庁

別の方式には、ディスプレイ材料とシリコントランジスタアドレッシング構造を組合わせた装置が含まれる。例文帳に追加

Another scheme includes devices combining display materials with silicon transistor addressing structures. - 特許庁

画素回路内のアモルファスシリコントランジスタに対して、その閾値シフトを回復させる機能を持つ特性調整回路を備えた。例文帳に追加

The optoelectronic device is provided with a characteristic adjusting circuit having a function of restoring the threshold shift for the amorphous silicon transistor in the pixel circuit. - 特許庁

金属配線層は、シリコントランジスタ層と磁性メモリ層との間のデータを伝送するために複数本の導線を備えている。例文帳に追加

The metallic wiring layer is provided with a plurality of conductive wires to transmit data between the silicon transistor layer and the magnetic memory layer. - 特許庁

シリコントランジスタ層と、少なくとも一つの磁性メモリ層と、金属配線層とを具備した磁性メモリを備えた集積回路である。例文帳に追加

An integrated circuit is provided with a silicon transistor layer, at least one magnetic memory layer and a magnetic memory equipped with a metallic wiring layer. - 特許庁

特性調整回路１０２は電位固定回路１０３からなり、電位固定回路１０３内のトランジスタＴ７は調整期間Ｔｒｆにオン状態になりアモルファスシリコントランジスタＴ１のゲートを電源電位ＶＲＦに設定し、アモルファスシリコントランジスタＴ１の閾値電圧シフトの効果的な回復を行う。例文帳に追加

The characteristic-adjustment circuit 102 comprises a voltage clamp circuit 103; and during an adjusting period Trf, a transistor T7 in the voltage clamp circuit 103 is switched and the gate of the amorphous silicon transistor T1 is set to a power-supply voltage VRF to effectively perform recovery of the shift in the threshold voltage of the amorphous silicon transistor T1. - 特許庁

ポリシリコントランジスタのトリップしきい値電圧が自動的に補償されかつ従来技術の方法の欠点が生じないアクティブマトリクス画像ディスプレイ装置を提供すること。例文帳に追加

To provide an active matrix image display device in which a trip threshold voltage of a polysilicon transistor is automatically compensated for and defects of the conventional technical methods hardly occur. - 特許庁

ガラス基板１ａ上に、ゴム系高分子薄膜７を形成した後、単結晶シリコントランジスタ素子５の配列部を開口させた高分子厚膜６を印刷形成する。例文帳に追加

After a rubber high polymer tin film 7 is formed on a glass substrate 1a, a high polymer thick film 6 where arrangement parts of single crystal silicon transistor TR elements 5 are opened is formed by printing. - 特許庁