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スピントンネル磁気抵抗の英語
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「スピントンネル磁気抵抗」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 13件
スピントンネル型磁気抵抗効果ヘッド及び磁気記録再生装置例文帳に追加
SPIN TUNNEL TYPE MAGNETORESISTANCE EFFECT HEAD AND MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCING DEVICE - 特許庁
ドライエッチング加工方法と被加工体およびスピントンネル磁気抵抗効果膜を用いた構造体例文帳に追加
DRY ETCHING WORKING METHOD AND WORK PIECE AND STRUCTURE USING MAGNETIC RESISTANCE EFFECT FILM - 特許庁
スピントンネル磁気抵抗効果膜及び素子及びそれを用いた磁気抵抗センサー、及び磁気装置及びその製造方法例文帳に追加
SPIN TUNNEL MAGNETORESISTANCE EFFECT FILM AND ELEMENT, AND MAGNETORESISTANCE SENSOR USING THE SAME, AND MAGNETIC DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁
スピントンネル磁気抵抗効果膜110を、一酸化炭素ガスとアンモニアガスとの混合ガスを用いてプラズマエッチングする。例文帳に追加
Then the spin tunnel magnetoresistive effect film 110 is subjected to plasma etching by using the mixed gas of a carbon monoxide gas and an ammonia gas. - 特許庁
強磁性酸化物半導体薄膜及びその製造方法並びにこれを用いたスピントンネル磁気抵抗素子例文帳に追加
FERROMAGNETIC OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, ITS PRODUCTION METHOD, AND SPIN TUNNEL MAGNETORESISTIVE ELEMENT USING THIS - 特許庁
ここまでの工程で、スピントンネル効果膜が形成されるとともに、磁気抵抗比の増大及び安定を図るための熱処理が施されたことになる。例文帳に追加
In these processes, a spin-tunnel effect film is formed, and at the same time, heat treatment for increasing and stabilizing magnetic resistance ratio is applied. - 特許庁
スピントンネル磁気抵抗効果を利用する磁性メモリを、環境に左右されることなく、効率的に均一性よく製造する。例文帳に追加
To efficiently and uniformly produce a magnetic memory utilizing a spin tunnel magneto-resistance effect without being affected by the environment. - 特許庁
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「スピントンネル磁気抵抗」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 13件
加熱処理しても、スピントンネル効果膜の短絡および磁化特性の劣化を招くことのない、良好な磁気抵抗比が得られる磁気抵抗素子の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a manufacturing method of magnetoresistance effect devices, for preventing short-circuiting in a spin-tunnel magnetoresistance effect film and deterioration in magnetization characteristics, and for obtaining superior magnetoresistance ratio, even if it is subjected to heat treatment. - 特許庁
スピン分極率の大きなbcc強磁性膜を、自由層、固定層に適用し、従来構造よりも高出力とできる、スピントンネル型磁気抵抗効果ヘッドを提供する。例文帳に追加
To provide a spin tunnel type magnetoresistance effect head which can output higher output than that of conventional structure by applying a bcc ferromagnetic film having high spin polarizability to a free layer and a fixed layer. - 特許庁
スピントンネル磁気抵抗効果膜110の側面に付着した側壁物103を、酸素ガスまたは窒素ガスを用いたプラズマエッチングによって酸化または窒化させる。例文帳に追加
The side wall material 103 adhering to the side faces of the spin tunnel magnetoresistive effect film 110 is oxidized or nitrided by performing plasma etching by using an oxygen gas or a nitrogen gas. - 特許庁
基板101上に第1の磁性膜111、トンネル膜112、および第2の磁性膜113からなるスピントンネル磁気抵抗効果膜110を成膜し、その上面に所望の形状をしたレジスト膜102を形成する。例文帳に追加
After a spin tunnel magnetoresistive effect film 110 composed of a first magnetic film 111, a tunnel film 112, and a second magnetic film 113 is formed on a substrate 101, a resist film 102 having a desired shape is formed on the top surface of the film 110. - 特許庁
良好な特性の絶縁層を、簡単にしかも均一に作製することができる生産性のよいスピントンネル磁気抵抗効果型の磁性メモリを提供する。例文帳に追加
To provide a magnetic memory of a spin tunnel magneto-resistance effect type which has an satisfactory productivity capable of simply and uniformly producing an insulating layer having an excellent characteristic. - 特許庁
そして、トンネル絶縁層105の膜厚は、最小値が、第3磁性層103と第4磁性層104の磁化方向が反平行な状態が実現されるような膜厚であり、最大値が、スピントンネルによる磁気抵抗効果が生じる膜厚により設定される。例文帳に追加
The minimum thickness of the tunnel insulation layer 105 is set to the value which realizes the anti- parallel condition in the magnetizing direction of the third magnetic layer 103 and fourth magnetic layer 104, while the maximum thickness thereof is set depending on the thickness which is enough to generate magnetic resistance effect due to the spin tunnel. - 特許庁
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