スピントンネル磁気抵抗の英語

加熱処理しても、スピントンネル効果膜の短絡および磁化特性の劣化を招くことのない、良好な磁気抵抗比が得られる磁気抵抗素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of magnetoresistance effect devices, for preventing short-circuiting in a spin-tunnel magnetoresistance effect film and deterioration in magnetization characteristics, and for obtaining superior magnetoresistance ratio, even if it is subjected to heat treatment. - 特許庁

スピン分極率の大きなｂｃｃ強磁性膜を、自由層、固定層に適用し、従来構造よりも高出力とできる、スピントンネル型磁気抵抗効果ヘッドを提供する。例文帳に追加

To provide a spin tunnel type magnetoresistance effect head which can output higher output than that of conventional structure by applying a bcc ferromagnetic film having high spin polarizability to a free layer and a fixed layer. - 特許庁

スピントンネル磁気抵抗効果膜１１０の側面に付着した側壁物１０３を、酸素ガスまたは窒素ガスを用いたプラズマエッチングによって酸化または窒化させる。例文帳に追加

The side wall material 103 adhering to the side faces of the spin tunnel magnetoresistive effect film 110 is oxidized or nitrided by performing plasma etching by using an oxygen gas or a nitrogen gas. - 特許庁

基板１０１上に第１の磁性膜１１１、トンネル膜１１２、および第２の磁性膜１１３からなるスピントンネル磁気抵抗効果膜１１０を成膜し、その上面に所望の形状をしたレジスト膜１０２を形成する。例文帳に追加

After a spin tunnel magnetoresistive effect film 110 composed of a first magnetic film 111, a tunnel film 112, and a second magnetic film 113 is formed on a substrate 101, a resist film 102 having a desired shape is formed on the top surface of the film 110. - 特許庁

良好な特性の絶縁層を、簡単にしかも均一に作製することができる生産性のよいスピントンネル磁気抵抗効果型の磁性メモリを提供する。例文帳に追加

To provide a magnetic memory of a spin tunnel magneto-resistance effect type which has an satisfactory productivity capable of simply and uniformly producing an insulating layer having an excellent characteristic. - 特許庁

そして、トンネル絶縁層１０５の膜厚は、最小値が、第３磁性層１０３と第４磁性層１０４の磁化方向が反平行な状態が実現されるような膜厚であり、最大値が、スピントンネルによる磁気抵抗効果が生じる膜厚により設定される。例文帳に追加

The minimum thickness of the tunnel insulation layer 105 is set to the value which realizes the anti- parallel condition in the magnetizing direction of the third magnetic layer 103 and fourth magnetic layer 104, while the maximum thickness thereof is set depending on the thickness which is enough to generate magnetic resistance effect due to the spin tunnel. - 特許庁