セレン厚膜の英語

平面基板の温度上昇を抑えることで平面基板上に蒸着したセレン層の結晶化やセレン層の剥離等を防ぎ、Ｘ線検出器におけるセレン層の厚膜化を可能にする。例文帳に追加

To prevent the crystallization of selenium layers vapor-deposited on planar substrates, the peeling of the selenium layers, or the like, by suppressing the increase of the temps. of the planar substrates and to film- thicken the selenium layers in an X-ray detector. - 特許庁

Ｘ線検出器の感応層として用いられる厚膜のセレン層を短時間で形成することにある。例文帳に追加

To form a thick-film selenium layer to be used as a sensitive layer for an X-ray detector in a short time. - 特許庁

Ｘ線に有感な半導体層に、アルカリ金属が０．０１ｐｐｍから１０ｐｐｍの範囲だけドーピングされたアモルファス・セレン（ａ−Ｓｅ）半導体厚膜４を用いる。例文帳に追加

As a semiconductor layer sensitive to X-rays, an amorphous selenium (a-Se) semiconductor thick film 4 doped with alkali metal in a range of 0.01 ppm to 10 ppm is used. - 特許庁

Ｘ線に有感な半導体層に、アルカリ金属が０．０１ppmから１０ppmの範囲だけドーピングされたアモルファス・セレン（ａ−Ｓｅ）半導体厚膜４を用いる。例文帳に追加

For a semiconductor layer sensitive to an X-ray, an amorphous- selenium (a-Se) semiconductor thick film 4 doped with alkali-metal in the range of 0.01 ppm to 10 ppm is used. - 特許庁

アモルファス・セレン（ａ−Ｓｅ）半導体厚膜形成時に潜在的に生成される構造欠陥と、欠陥の電荷捕獲中心への変化を最低限に抑えて、感度が劣化しない大面積Ｘ線検出器を提供する。例文帳に追加

To provide an X-ray detector with a large area which does not degree by suppressing a minimum structural defect latently produced during forming an amorphous-selenium (a-Se) semiconductor thick film and a variation in the defect to a charge capture center. - 特許庁

アモルファス・セレン（ａ−Ｓｅ）半導体厚膜形成時に潜在的に生成される構造欠陥と、欠陥の電荷捕獲中心への変化を最低限に抑えて、感度が劣化しない大面積Ｘ線検出器を提供する。例文帳に追加

To provide a large-area X-ray detector which minimizes the structural defects that are potentially generated at the formation of an amorphous selenium (a-Se) semiconductor thick film, minimizes the changes in defects, as nearing the charge trapping center, and the sensitivity of which will not deteriorate. - 特許庁

膜の厚さが１００μｍ以上、２０００μｍ以下と比較的厚い記録用光導電層の蒸着時において、突沸の影響が大きく表れる蒸着時間の前半部で基板の温度を通常蒸着時温度よりも上昇させることにより、アモルファスセレンの結晶化を防止しつつ蒸着層の表面をなだらかにさせる。例文帳に追加

During the vapor deposition of a photoconductive layer for recording which is relatively thick as large as 100-2,000 μm in thickness, by making the temperature of the substrate higher than a temperature during normal vapor deposition in the first half part of the vapor deposition time during which the influence of the bumping strongly appears, the surface of the vapor deposition layer is smoothed while preventing the crystallization of the amorphous selenium. - 特許庁