タングステン酸イオンの英語

ＣＬ形強塩基性陰イオン交換樹脂を用いたタングステン酸ナトリウム水溶液からタングステン酸アンモニウム水溶液の製造方法において、タングステン酸アンモニウムを析出させることなく、高濃度、且つ高回収率で得る製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing an ammonium tungstate aqueous solution in high concentration with high recovery rate without depositing ammonium tungstate in the method of manufacturing the ammonium tungstate aqueous solution from a sodium tungstate aqueous solution using a CL type strong basic anion exchange resin. - 特許庁

酸化物イオン伝導体用ビスマス・タングステン・コバルト酸化物系およびビスマス・タングステン・ニオブ酸化物系の固溶体およびその製造法例文帳に追加

BISMUTH-TUNGSTEN-COBALT OXIDE-BASED AND BISMUTH- TUNGSTEN-NIOBIUM OXIDE-BASED SOLID SOLUTIONS FOR OXIDE ION CONDUCTOR, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME - 特許庁

ビスマス・エルビウム・タングステン酸化物固溶体からなる酸化物イオン伝導材料及びその製造方法例文帳に追加

OXIDE ION CONDUCTIVE MATERIAL COMPRISING BISMUTH-ERBIUM-TUNGSTEN OXIDE SOLID SOLUTION AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

酸化チタン、タングステン酸イオン、バナジン酸イオン、コロイダルシリカ、及び水からなり、かつ該バナジン酸イオンがポリ酸であることを特徴とする脱硝触媒用コーティング剤。例文帳に追加

The denitrification coating agent consists of titanium oxide, tungstate ion, vanadate ion, colloidal silica, and water, wherein the vanadate ion is a polyacid. - 特許庁

酸化タングステンと、溶媒と、イオン添加剤と、を含み、前記イオン添加剤は、前記溶媒中においてテトラメチルアンモニウムイオンよりも小さなイオン半径の陽イオンを生成し、前記イオン添加剤の含有量は、酸化タングステンを２０ｗｔ％以下含む溶媒２０ｇｗに対して１．５×１０^−３ｍｏｌ以下であること、を特徴とする光触媒分散体が提供される。例文帳に追加

The photocatalyst dispersion contains a tungsten oxide, a solvent, and ionic additives, wherein the ionic additives generate the cation of an ion radius smaller than a tetramethylammonium ion in the solvent, and the content of the ionic additives is 1.5×10^-3 mol or less based on 20 gw of the solvent containing 20 wt.% or less of the tungsten oxide. - 特許庁

酸化膜６の膜厚Ｈ２´を、ＢＦ_2^+イオンのイオン注入ＩＰ２を行った時に、ＢＦ_2^+イオンがタングステンシリサイド膜４に到達することを阻止できるように設定する。例文帳に追加

A film thickness H2' of an oxide film 6 is set so as to block BF_2^+ ions from reaching a tungsten silicide film 4, after performing ion implantation IP2 of the EF_2^+ ions. - 特許庁

タングステン膜１０３に半導体素子の最低電位０Ｖよりも低い電圧が与えられているため、珪酸ガラス基体１０１や酸化珪素膜１０２、１０４に存在している正の電荷を有する可動性のあるナトリウムイオン等のアルカリ金属は、低い電位に保たれているタングステン膜１０３の方へ移動し、タングステン膜１０３に捕らえられることで固定される。例文帳に追加

Since voltage lower than the minimum potential 0V of the semiconductor device is given to the tungsten film 103; alkali metals, such as existing mobile sodium ion, having the positive charge which exists in silicic acid glass base 101 or oxidization silicon films 102 and 104, move in the direction to the tungsten film 103 currently maintained at low potential so that they may be fixed by being caught by the tungsten film 103. - 特許庁

プロトンキャリアとして酸化タングステンや酸化スズの水和物に代表される金属酸化物水和物と、膜ベース材料としてのイオン伝導性有機高分子とを複合した高イオン伝導性を有する電解質膜。例文帳に追加

This electrolyte film having high ion conductivity is formed by compounding a metal oxide hydrate represented by hydrates of tungsten oxide and tin oxide as a proton carrier and an ion conductive organic high polymer as a film base material. - 特許庁