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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 日英・英日専門用語 > タングステン酸白の英語・英訳 

タングステン酸白の英語

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英訳・英語 tungstate white


日英・英日専門用語辞書での「タングステン酸白」の英訳

タングステン酸白


「タングステン酸白」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 45



例文

金/タングステン系水素感応膜の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING PLATINUM/TUNGSTEN OXIDE TYPE HYDROGEN SENSITIVE FILM - 特許庁

タングステン金を添加して得られる金属化物半導体から成る。例文帳に追加

The element is formed of a metal oxide semiconductor obtained by adding platinum to oxide tungsten. - 特許庁

金複合タングステン膜の製造方法及びそれにより製造される膜例文帳に追加

PLATINUM COMPOSITE TUNGSTEN OXIDE FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁

タングステンのみから構成されるタングステン膜に金、ルテニウム、化ルテニウムの1種又は2種以上を担持したことを特徴とする光触媒膜である。例文帳に追加

This photocatalyst film is formed by supporting one or more kind of platinum, ruthenium and ruthenium oxide on a tungsten oxide film constituted only of tungsten oxide. - 特許庁

本発明の色導電性粉末は、色無機顔料粒子の表面に、タングステン元素を含む二化スズの被覆層を有し、または下層が二化スズの層であり上層がタングステン元素を含む二化スズの被覆層を有する。例文帳に追加

The white conductive powder comprises a white inorganic pigment particle having on its surface a coating layer comprising tin dioxide containing a tungsten element or coating layers consisting of an inner layer comprising tin dioxide and an outer layer comprising tin dioxide containing a tungsten element. - 特許庁

排ガス第1の浄化用触媒は、金属化物担体にパラジウムおよび金を担持し、さらにタングステンを添加してなるものである。例文帳に追加

A first exhaust gas cleaning catalyst is prepared by infiltrating palladium and platinum into a metal oxide carrier an adding tungsten to the resulting carrier. - 特許庁

例文

排ガス第2の浄化用触媒は、金属化物担体にタングステンを担持し、次いでパラジウムおよび金を担持してなるものである。例文帳に追加

A second exhaust gas cleaning catalyst is prepared by infiltrating tungsten into a metal oxide carrier and infiltrating palladium and platinum into the resulting carrier. - 特許庁

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「タングステン酸白」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 45



例文

好ましくはタングステン類の塩がアンモニウム塩であり、貴金属前駆体が金化合物である。例文帳に追加

Preferably, the salt of the tungstic acid is an ammonium salt and the precursor of the precious metal is a platinum compound. - 特許庁

FBG型センサではFBG部のクラッド周面に金触媒担持タングステン粉末を膜厚1μm以上の厚さで固定化した。例文帳に追加

In an FBG-type sensor, platinum catalyst carrying oxide tungsten powder is fixed with a film thickness of 1μm or more on a clad peripheral surface of an FBG part. - 特許庁

常温においても、高感度で水素ガスを検知することができる金複合タングステン膜の製造方法を提供する。例文帳に追加

To detect hydrogen gas with high sensitivity, even at normal temperature. - 特許庁

別の実施例では、半導体デバイスはトランジスタであり、この場合、亜化物材料の層の上に形成される構造はゲート電極(好ましくは多結晶シリコン、タングステン、チタン、窒化タングステン、窒化チタン、金、アルミニウム又はその任意の組合せを含む)である。例文帳に追加

In a different example, the semiconductor device is a transistor and structure formed on the layer of the suboxide material is a gate electrode (containing polycrystalline silicon, tungsten, titanium, tungsten nitride, titanium nitride, platinum, aluminum or arbitrary combinations of them). - 特許庁

のアノード化反応の触媒は、金と金属の化物を有し、金属は、モリブデン、スズ、タングステン及びルテニウムの少なくとも一つである。例文帳に追加

The catalyst for anode oxidation reaction of acetic acid contains platinum and an oxide of metal which is at least one out of molybdenum, tin, tungsten and ruthenium. - 特許庁

錫・金複化物およびその製造方法、錫・タングステン化物およびその製造方法、並びに錫・レニューム複化物およびその製造方法例文帳に追加

TIN-PLATINUM DOUBLE OXIDE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME,TIN-TUNGSTEN DOUBLE OXIDE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND TIN-RHENIUM DOUBLE OXIDE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME - 特許庁

なお、この場合担持された金、ルテニウム、化ルテニウムの1種又は2種以上の体積は、タングステン膜表面1cm^2 当たり5×10^-7cm^3 以下であるのが好ましい。例文帳に追加

In this case, the vol. of one or more kind of the supported platinum, ruthenium and ruthenium oxide is pref. 5×10-7 cm3 per cm2 of the surface of the tungsten oxide film. - 特許庁

例文

触媒として、化物担体上の鉄、コバルト、ニッケル、銅、銀、モリブデン、タングステン、バナジウム、クロム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、ルテニウムおよび/または金の群からの少なくとも1つの金属を使用する。例文帳に追加

At least one metal selected from the group consisting of cobalt, nickel, copper, silver, molybdenum, tungsten, vanadium, chromium, rhodium, palladium, osmium, iridium, ruthenium and/or platinum on an oxide carrier is used as a catalyst. - 特許庁

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