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ターンオフ損失の英語
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英訳・英語 turn off power loss; turn-off power loss
「ターンオフ損失」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 61件
主SW及び補助SWのターンオン損失、ターンオフ損失を低減する。例文帳に追加
To reduce the turn on loss and turn off loss of a main SW and an auxiliary SW. - 特許庁
オン電圧とターンオフ損失のトレードオフを改善する。例文帳に追加
To improve the tradeoff between the on-voltage and the turn-off loss. - 特許庁
また、オン電圧とターンオフ損失のトレードオフも改善できる。例文帳に追加
Also the trade-off of the forward voltage drop and the reverse recovery loss can be improved. - 特許庁
半導体スイッチ素子がターンオフする際に発生するサージ電圧とターンオフ損失を、効果的に低減できるようにする。例文帳に追加
To provide a gate drive circuit for insulated gate semiconductor switching element that can effectively reduce the surge voltage and turn-off loss generated, when semiconductor switching element is turned off. - 特許庁
温度に依存することなく、ターンオフ時のサージ電圧の抑制とターンオフ損失の低減を可能とする電圧駆動型素子の駆動回路を提供する。例文帳に追加
To suppress surge voltage and to reduce a turn off loss when a driving circuit is turned off without depending upon temperature. - 特許庁
オン抵抗が低くターンオフ損失が小さい電力用半導体装置を提供する。例文帳に追加
To provide a power semiconductor device having low on-resistance and reduced turn-off loss. - 特許庁
電力用半導体素子を不必要にターンオフさせないようにし、損失を増加させないようにする。例文帳に追加
To provide a gate drive circuit for preventing an increase in loss by not needlessly turning off a power semiconductor element. - 特許庁
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「ターンオフ損失」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 61件
スイッチがターンオフする際のスイッチング損失を低減することができるDC−DCコンバータ。例文帳に追加
To provide a DC-DC converter capable of reducing switching loss when a switch is turned off. - 特許庁
ターンオフスイッチング損失を低減した横型IGBTを提供すること。例文帳に追加
To provide a horizontal type IGBT where turn-off switching loss is reduced. - 特許庁
ターンオフ損失だけでなくターンオン損失も低減可能なDC−DCコンバータを提供する。例文帳に追加
To provide a DC-DC converter capable of reducing not only turn-off power loss but also turn-on power loss. - 特許庁
IGBTにおいて、ターンオフ時のアバランシェ現象を抑制し、飽和電圧−ターンオフ損失のトレードオフ特性およびRBSOAを改善し、さらにはターンオフ時の発振を抑制すること。例文帳に追加
To control an avalanche phenomenon in turnoff, improve the trade-off characteristic of saturation voltage-turnoff loss and RBSOA (Rutherford back scattering operation analysis), and control oscillation in turnoff in an IGBT (insulated gate bipolar transistor). - 特許庁
ターンオフ電流が小さな領域でも、短いターンオフ時間でかつ低いターンオフ損失で高度なスイッチ制御を可能とする電力用半導体装置を提供すること。例文帳に追加
To provide a semiconductor device for electric power, capable of high switching control in a short turn-off time and with low turn-off loss even within a region of small turn-off current. - 特許庁
本発明はターンオフ損失を増大させることなくオン抵抗を低減できるIGBT構造、また、高温時でもターンオフ損失を減少できるIGBT構造を提供することを目的とする。例文帳に追加
To provide an IGBT structure capable of decreasing an on resistance without increasing a turn-off loss and an IGBT structure capable of reducing the turn-off loss even at a high temperature. - 特許庁
バイポーラ動作する半導体装置に関し、オン電圧とターンオフ損失との間に存在するトレードオフ関係を打破すること。例文帳に追加
To provide a bipolar operating semiconductor device for overthrowing a trade-off relations existing between an on voltage and a turn-off loss. - 特許庁
電力用半導体スイッチング素子のターンオフ時の急峻な電圧変化(dv/dt)を抑制すると共に、スイッチング損失を低減すること。例文帳に追加
To control the sharp change of voltage (dv/dt) and to reduce switching loss when a power semiconductor switching element is turned off. - 特許庁
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