「ターンオフ損失」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

オン抵抗が低くターンオフ損失が小さい電力用半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a power semiconductor device having low on-resistance and reduced turn-off loss. - 特許庁

電力用半導体素子を不必要にターンオフさせないようにし、損失を増加させないようにする。例文帳に追加

To provide a gate drive circuit for preventing an increase in loss by not needlessly turning off a power semiconductor element. - 特許庁

スイッチがターンオフする際のスイッチング損失を低減することができるＤＣ−ＤＣコンバータ。例文帳に追加

To provide a DC-DC converter capable of reducing switching loss when a switch is turned off. - 特許庁

ターンオフスイッチング損失を低減した横型ＩＧＢＴを提供すること。例文帳に追加

To provide a horizontal type IGBT where turn-off switching loss is reduced. - 特許庁

ターンオフ損失だけでなくターンオン損失も低減可能なＤＣ−ＤＣコンバータを提供する。例文帳に追加

To provide a DC-DC converter capable of reducing not only turn-off power loss but also turn-on power loss. - 特許庁

ＩＧＢＴにおいて、ターンオフ時のアバランシェ現象を抑制し、飽和電圧−ターンオフ損失のトレードオフ特性およびＲＢＳＯＡを改善し、さらにはターンオフ時の発振を抑制すること。例文帳に追加

To control an avalanche phenomenon in turnoff, improve the trade-off characteristic of saturation voltage-turnoff loss and RBSOA (Rutherford back scattering operation analysis), and control oscillation in turnoff in an IGBT (insulated gate bipolar transistor). - 特許庁

ターンオフ電流が小さな領域でも、短いターンオフ時間でかつ低いターンオフ損失で高度なスイッチ制御を可能とする電力用半導体装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device for electric power, capable of high switching control in a short turn-off time and with low turn-off loss even within a region of small turn-off current. - 特許庁

本発明はターンオフ損失を増大させることなくオン抵抗を低減できるＩＧＢＴ構造、また、高温時でもターンオフ損失を減少できるＩＧＢＴ構造を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an IGBT structure capable of decreasing an on resistance without increasing a turn-off loss and an IGBT structure capable of reducing the turn-off loss even at a high temperature. - 特許庁

バイポーラ動作する半導体装置に関し、オン電圧とターンオフ損失との間に存在するトレードオフ関係を打破すること。例文帳に追加

To provide a bipolar operating semiconductor device for overthrowing a trade-off relations existing between an on voltage and a turn-off loss. - 特許庁

電力用半導体スイッチング素子のターンオフ時の急峻な電圧変化（ｄｖ／ｄｔ）を抑制すると共に、スイッチング損失を低減すること。例文帳に追加

To control the sharp change of voltage (dv/dt) and to reduce switching loss when a power semiconductor switching element is turned off. - 特許庁

ＩＧＢＴ等のＭＩＳ半導体装置のオン電圧／ターンオフ損失間のトレードオフ関係を改善する。例文帳に追加

To improve the trade off relation between on-voltage and turn-off loss of an MIS semiconductor device such as IGBT, etc. - 特許庁

横型のＩＧＢＴにおいて、飽和電圧とターンオフ損失のトレードオフ関係を改善することができる技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technique capable of improving a trade-off relationship between a saturation voltage and turn-off loss, in a lateral IGBT. - 特許庁

オフサージ電圧の上昇を抑制しつつ、従来よりもターンオフ損失を低減させることができる電力変換装置を提供する。例文帳に追加

To provide a power converter which can reduce the turn-off loss more than conventional one while suppressing the rise of off-surge voltage. - 特許庁

電力変換装置を形成する電力用半導体素子のターンオフ損失を低減させる該半導体素子のゲート駆動方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of driving a gate of a semiconductor device for reducing turn-OFF loss of a power semiconductor device used to form a power conversion apparatus. - 特許庁

ターンオフ損失が少なく信頼性の高い共振回路及びその共振回路を用いた電力変換システムを提供する。例文帳に追加

To provide a reliable resonant circuit with less turn off loss and a power conversion system using the same. - 特許庁

主スイッチング素子のターンオフ，ターンオン動作を、コンデンサを用いることで高速化しスイッチング損失を低減させる。例文帳に追加

To reduce a switching loss by accelerating turn-off and turn-on operations of a main switching element by using a capacitor. - 特許庁

損失を抑えつつ、負電圧を印加することによるスイッチング素子のターンオフを行う電力変換器を提供する。例文帳に追加

To provide a power converter which turns off a switching element by applying a negative voltage while suppressing a loss. - 特許庁

スイッチのターンオフ時のテール電流に起因する電力損失を低減して、電力変換装置の電力効率を向上する。例文帳に追加

To reduce a power loss due to tail current when a switch is turned off, and to improve a power efficiency of a power converter. - 特許庁

第一共振回路は該コンバータの降圧端に設置し、第一主動式スイッチ部品のターンオフ損失を低下させる。例文帳に追加

A first resonance circuit, disposed on a buck side of the converter for reducing the turn-off loss of a first active switching element. - 特許庁

リカバリ時のノイズやターンオフ時の跳ね上がり電圧を抑制しながら、スイッチングの遅延時間及びスイッチング損失を低減する。例文帳に追加

To reduce the delay time of switching and the switching loss while suppressing noise at power recovery or bouncing voltage at power turn-off. - 特許庁

絶縁ゲート型の半導体装置において、ターンオフ時の電力損失を抑制しつつ、コレクタ−エミッタ間のオン電圧を低減する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device of an insulating gate type, wherein an electric power loss upon a turn-off is restrained, whereas an on voltage is reduced between a collector and an emitter. - 特許庁

ターンオフロスを増大させることなく通電損失を低減させる高耐圧半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a high withstand voltage semiconductor device capable of reducing a conduction loss without increasing a turn-off loss. - 特許庁

スイッチング素子Ｓｕのターンオフ後のコレクタ・エミッタ間電圧の立ち上がりが、補助コンデンサＣｎ１の放電特性に対応して大幅に緩やかになり、ターンオフ損失が確実に低減する。例文帳に追加

The rise of voltage between a collector and an emitter after turn off of the switching element Su becomes slow by a large margin, corresponding to the discharge property of the auxiliary capacitor Cn1, and the turn off loss decreases surely. - 特許庁

トランジスタを駆動する回路において、トランジスタがターンオフする過渡期間に存在するサージ電圧とターンオフ損失の間のトレードオフ関係を打破すること。例文帳に追加

To overcome a trade-off relationship between a surge voltage and a turn-off loss that exists within a transition time period for turning off a transistor, in a circuit for driving the transistor. - 特許庁

トランジスタを駆動する回路において、トランジスタがターンオフする過渡期に存在するサージ電圧とターンオフ損失の間のトレードオフ関係を打破すること。例文帳に追加

To break down a trade-off relation between a serge voltage and a turn-off loss existing in a transitional stage in which a transistor is turned off in a circuit for driving the transistor. - 特許庁

これにより、主スイッチング素子２のターンオフ時にゼロ電圧スイッチング（ＺＶＳ）が達成されるので、主スイッチング素子２のターンオフ時のスイッチング損失を低減することができる。例文帳に追加

Consequently, the switching loss of the main switching element 2 can be reduced, because zero-voltage switching(ZVS) is achieved, when the element 2 is turned off. - 特許庁

これにより、外部抵抗の大きさを９Ω以上に設定する場合と比較して、ＩＧＢＴのターンオフ時において、ダイナミックアバランシェ現象を多く発生させることができ、その結果、オフサージ電圧の上昇を抑制しつつ、従来よりもターンオフ損失を低減させることができる。例文帳に追加

Hereby, as compared with the case of setting the magnitude of external resistance to 9 Ω or over, it can generate dynamic avalanche phenomena more at turn-off of the IGBT, consequently it can reduce the turn-off loss more than conventional one while suppressing the rise of off-surge voltage. - 特許庁

スイッチング素子のターンオフを緩やかにすることでスイッチング損失の低減と低ノイズ化を図るとともに、スイッチング素子のターンオフ時に電荷蓄積コンデンサに蓄積されたエネルギーをスイッチング素子のターンオン時に回生することにより全体としての損失を低減し、高周波化が可能なスイッチング電源装置を提供する。例文帳に追加

To provide a switching power supply device, that is capable of high-frequency operation by making soft the turn-off of a switching element for reducing switching loss and noise, at the same time, regenerating energy which is accumulated in a charge accumulation capacitor, when turning off the switching element for reducing the loss as a whole. - 特許庁

並列接続された各半導体素子をスイッチング素子とする電力変換装置において、配線の長短により電流アンバランスが生じる場合でも、各半導体素子のターンオフ損失のアンバランスを抑制し損失を低減できるようにする。例文帳に追加

To reduce loss by suppressing the unbalance of a turn-off loss in each semiconductor device even when current unbalance occurs depending upon the length of wiring, concerning a power converter which uses each semiconductor device connected in series as a switching element. - 特許庁

低コストの製造プロセスを用いて、高良品率で、オン電圧−ターンオフ損失トレードオフおよびオン電圧−耐圧トレードオフの非常に良好なＩＧＢＴ等の半導体装置を得ること。例文帳に追加

To provide a high-quality semiconductor device like an IGBT with excellent on voltage-turnoff loss tradeoff and on voltage-tolerance tradeoff through the low-cost manufacturing process. - 特許庁

トレードオフの関係にあるオン電圧の低減とターンオフ損失を改善することにより、ＩＧＢＴの高性能化を実現する技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technology for achieving higher performance of IGBT by improving reduction of ON voltage and turn-off loss which are in the trade-off relationship. - 特許庁

Ｖ結線インバータ回路を有する電力変換装置における主スイッチのターンオン時、ターンオフ時のスイッチング損失の低減、及びノイズの低減が要求されている。例文帳に追加

To reduce switching loss when a main switch is turned on and when it is turned off and reduce noise in a power conversion apparatus having a V connection inverter circuit. - 特許庁

電力変換器を構成するスタックの横長化，電解コンデンサの大容量化，並列接続されるパワー半導体モジュール間の発生損失のアンバランス化，ターンオフ時のサージ電圧の低圧化などを図る。例文帳に追加

To laterally lengthen a stack constituting a power converter, to increase the capacity of electrolytic capacitors, to unbalance a generation loss between parallel-connected power semiconductor modules, and to reduce a surge voltage at the time of turning off. - 特許庁

ターンオフ時には素子２０の電圧Ｖａｋが所定の電圧になったことを比較器２６で検出し、制御回路２４がゲート抵抗を小さな抵抗から大きな抵抗に切り替えてサージ電圧を抑制しスイッチング損失を低減する。例文帳に追加

A comparator 26 detects that voltage Vak of the element 20 becomes prescribed voltage during turn-off, and the control circuit 24 switches gate resistance from small resistance to large resistance, suppresses surge voltage and reduces switching loss. - 特許庁

ターンオフ損失−ｄＶ_ds／ｄｔとのトレードオフ関係が良好な、並列ｐｎ構造の半導体基板を用いた半導体装置において、オン抵抗−耐圧とのトレードオフ関係を改善すること。例文帳に追加

To improve trade-off relation between ON resistance and withstanding voltage in a semiconductor device using a semiconductor substrate of a parallel p-n structure having favorable trade-off relation between turn-off loss and dV_ds/dt. - 特許庁

自己消弧形半導体素子のコレクタ−エミッタ間電圧が素子の最大定格値を越えることを防止するとともに、ターンオフ時間の増大によるエネルギー損失の増大を防止した半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of preventing voltage between the collector and emitter of a self-arc-extinguishing semiconductor element from exceeding the maximum rated value of the element, and preventing the increment of an energy loss due to the extension of turn-off time. - 特許庁

アクティブクランプ回路３の共振作用により、スイッチング素子６，７のターンオンとターンオフ時におけるＺＶＳが実現され、スイッチング損失やサージを低減することができる。例文帳に追加

ZVS is achieved, and the switching loss and the surge can be reduced by a resonance action of an active clamp circuit 3 during turnon and turnoff of the switching elements 6, 7. - 特許庁

ＩＧＢＴのコレクタ電圧の電圧上昇率（ｄｖ／ｄｔ）が大きくなるとコレクタ電圧を過剰にクランプしてターンオフ損失が増加することを防止する手段を提供する。例文帳に追加

To provide a means of preventing turn-off loss from increasing by excessively clamping a collector voltage when the voltage rise ratio (dv/dt) of collector voltage of IGBT becomes high. - 特許庁

パワーＭＯＳＦＥＴデバイスのゲート・ドレイン間容量を低減させることにより、ターンオン時及び同様にターンオフ時における電力損失の量とを低減する。例文帳に追加

To reduce the amount of power loss upon turning-on and similarly upon turning-off by reducing a capacitance between a gate and a drain of a power MOSFET device. - 特許庁

ターンオンとターンオフとの間隔が短い場合でも、スイッチング損失及びノイズをいずれも低減でき、しかも制御の容易なゲート駆動回路を提供する。例文帳に追加

To provide a gate drive circuit by which both of a switching loss and a noise are reduced, and control is easy, even when an interval between turning on and turning off is short. - 特許庁

ターンオフ時に、リサーフ領域内に残留している少数キャリアを効率良く引き抜き、スイッチング損失の低減を図る半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which plans to reduce a switching loss by efficiently drawing out minority carriers remaining in a reduced surface field region at the time of turnoff. - 特許庁

Ｖ結線インバータ回路を有する電力変換装置における主スイッチのターンオン時、ターンオフ時のスイッチング損失の低減、及びノイズの低減が要求されている。例文帳に追加

To reduce switching loss and noise, when a main switch is turned on or off in a power converter which has a V-connection inverter circuit. - 特許庁

従来技術に比してターンオフ時の損失が少なく、同時に阻止電圧を低下させることのない、ＳＯＩ構造の横形ＩＧＢＴとその製造方法を提供すること例文帳に追加

To provide a lateral IGBT having an SOI structure and a manufacturing method thereof, wherein the turn-off loss is small and the blocking voltage is lowered. - 特許庁

小型化すると共に、低オン抵抗、低損失特性を有し、ゲート絶縁膜にかかる電界集中を緩和して耐圧低下を抑制し、ターンオフ時のアバランシェ破壊耐量が大きいワイドバンドギャップ半導体装置の提供。例文帳に追加

To provide a wide-band gap semiconductor device that is made compact, has low ON-resistance and low loss characteristics, and has large turn-on avalanche breakdown strength by relaxing electric field concentration to a gate insulating film to suppress a decrease in breakdown voltage. - 特許庁

バッファ回路４ａ〜４ｃにＭＯＳトランジスタを用いるため、ターンオン時間Ｔｏｎおよびターンオフ時間Ｔｏｆｆを短くでき、スイッチング損失を小さくできる。例文帳に追加

Since MOS transistors are used for the buffer circuits 4a-4c, the turn-on time Ton and the turn-off time Toff can be shortened, and the switching loss can be reduced. - 特許庁