テルル化ゲルマニウムの英語

この化学的性質を用いて、相変化メモリデバイス及び光電池デバイスのためのゲルマニウム−アンチモン−テルル（ＧｅＳｂＴｅ）膜及びゲルマニウム−アンチモン−セレン（ＧｅＳｂＳｅ）膜又はその他のテルル及びセレンをベースとする化合物を堆積させる。例文帳に追加

This chemistry is used to deposit germanium-antimony-tellurium (GeSbTe) and germanium-antimony-selenium (GeSbSe) films or other tellurium and selenium based compounds for phase change memory and photovoltaic devices. - 特許庁

一実施態様において、組成物は、相変化メモリ及び光起電デバイス向けの、ゲルマニウムテルル（ＧｅＴｅ）、アンチモンテルル（ＳｂＴｅ）、アンチモンゲルマニウム（ＳｂＧｅ）、ゲルマニウムアンチモンテルル（ＧＳＴ）、インジウムアンチモンテルル（ＩＳＴ）、銀インジウムアンチモンテルル（ＡＩＳＴ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）、テルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、セレン化銅インジウムガリウム（ＣＩＧＳ）又は他のテルル及びセレン系の金属化合物を堆積させるために用いられる。例文帳に追加

In one embodiment, the compositions are used to deposit Germanium Tellurium (GeTe), Antimony Tellurium (SbTe), Antimony Germanium (SbGe), Germanium Antimony Tellurium (GST), Indium Antimony Tellurium (IST), Silver Indium Antimony Tellurium (AIST), Cadmium Telluride (CdTe), Cadmium Selenide (CdSe), Zinc Telluride (ZnTe), Zinc Selenide (ZnSe), Copper indium gallium selenide (CIGS) films or other tellurium and selenium based metal compounds for phase change memory and photovoltaic devices. - 特許庁

シリルテルル前駆体がゲルマニウム−アンチモン−テルル合金膜のためのテルル源として用いられ、堆積プロセスの際にアルコールと反応する、原子層堆積及び化学気相成長からなる群より選択されるプロセスを用いてゲルマニウム−アンチモン−テルル合金膜を製造する方法が提供される。例文帳に追加

The present invention is a process of making the germanium-antimony-tellurium alloy film using the process selected from the group consisting of atomic layer deposition and chemical vapor deposition, wherein a silyltellurium precursor is used as the source of tellurium for the alloy film and is reacted with an alcohol during the deposition process. - 特許庁

原子層堆積及び化学気相成長からなる群より選択されるプロセスを用いてゲルマニウム−アンチモン−テルル合金膜を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a process of making a germanium-antimony-tellurium alloy film using a process selected from the group consisting of atomic layer deposition and chemical vapor deposition. - 特許庁

原子層堆積及び化学気相成長からなる群より選択されるプロセスを用いてゲルマニウム−アンチモン−テルル合金膜を製造する方法であって、シリルアンチモン前駆体が該合金膜のためのアンチモン源として用いられる方法が提供される。例文帳に追加

In the process of making the germanium-antimony-tellurium alloy film using a process selected from the group consisting of atomic layer deposition and chemical vapor deposition, a silylantimony precursor is used as a source of antimony for the alloy film. - 特許庁

ｐ−ドープまたはｎ−ドープされた半導体材料を含む熱変換器において、前記半導体材料が物質の組：ケイ化物、ホウ化物、ゲルマニウム化物、テルル化物、硫黄化物、セレン化物、アンチモン化物、鉛化物および半導体酸化物、の１組から選択され、物質の組の少なくとも２種の化合物を結合することで形成される、少なくとも１種の三元材料であることを特徴とする。例文帳に追加

Related to a thermal converter comprising a p-doped or an n-doped semiconductor material, the semiconductor material is at least one kind of ternary material formed by combining at least two kinds of compounds among material substance classes, while selected among them; silicide, boride, germanide, telluride, sulfide, selenide, antimonide, lead compound, and semiconductor oxide. - 特許庁

本発明の熱反応型レジスト材料は、リチウム、ナトリウム、マグネシウム、カルシウム、チタン、鉄、コバルト、亜鉛、ガリウム、シリコン、ゲルマニウム、鉛、ビスマス、及びテルル、並びにその酸化物、塩化物、フッ化物、及び炭酸化物からなる群から選択された少なくとも１つの再酸化防止剤と、酸化銅（Ｉ）と、を含むことを特徴とする。例文帳に追加

A thermal reaction type resist material of this invention is characterized by including copper(I) oxide and at least one reoxidation inhibitor selected from a group consisting of lithium, sodium, magnesium, calcium, titanium, iron, cobalt, zinc, gallium, silicon, germanium, lead, bismuth and tellurium and their oxide, chloride, fluoride and carbonate. - 特許庁