テルル化ビスマスの英語

（Ａ）式（１a)で表される有機テルル化合物、（テルルはアンチモン、ビスマスに置換できる）から選ばれる少なくとも１種と、（Ｂ）ルイス酸を用いて、ビニルモノマーを重合することを特徴とするリビングラジカルポリマーの製造方法。例文帳に追加

The method for producing a living radical polymer comprises polymerizing a vinyl monomer using (A) at least one selected from organic tellurium compounds represented by formula (1a) (wherein tellurium can be substituted by antimony or bismuth) and (B) a Lewis acid. - 特許庁

３３０℃以上で超臨界流体となり得るメタノール、エタノール、１−プロパノール、イソプロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、酢酸エチル、アセトン、水、及びアセトニトリル等の溶媒中で３３０℃以上、テルルの融点未満の温度においてビスマス粉末とテルル粉末を合金化させる。例文帳に追加

In a solvent of methanol, ethanol, 1-propanol, isopropanol, 1-butanol, 2-butanol, ethyl acetate, acetone, water, acetonitrile, or the like, which can become supercritical fluid at 330°C or above, bismuth powder and tellurium powder are alloyed at a temperature higher than 330°C but lower than the melting point of tellurium. - 特許庁

ビスマス、アンチモン、テルル、セレンからなる群から少なくとも二つ以上を含有した熱電材料であって、ドーパントとしてリン化物を使用することで、リンが熱伝導率を大きく低減させ、かつ対元素が電気伝導率を向上させ、性能指数を向上させた熱電材料を供することができる。例文帳に追加

In the thermoelectric material containing at least two elements from a group consisting of bismuth, antimony, tellurium, and selenium, phosphide is used as a dopant, thus allowing phosphor to greatly reduce thermal conductivity, allowing paired elements to improve electrical conductivity, and providing the thermoelectric material having an improved performance index. - 特許庁

本発明の熱反応型レジスト材料は、リチウム、ナトリウム、マグネシウム、カルシウム、チタン、鉄、コバルト、亜鉛、ガリウム、シリコン、ゲルマニウム、鉛、ビスマス、及びテルル、並びにその酸化物、塩化物、フッ化物、及び炭酸化物からなる群から選択された少なくとも１つの再酸化防止剤と、酸化銅（Ｉ）と、を含むことを特徴とする。例文帳に追加

A thermal reaction type resist material of this invention is characterized by including copper(I) oxide and at least one reoxidation inhibitor selected from a group consisting of lithium, sodium, magnesium, calcium, titanium, iron, cobalt, zinc, gallium, silicon, germanium, lead, bismuth and tellurium and their oxide, chloride, fluoride and carbonate. - 特許庁

本発明の熱反応型レジスト材料は、リチウム、ナトリウム、マグネシウム、カルシウム、チタン、鉄、コバルト、亜鉛、ガリウム、シリコン、ゲルマニウム、鉛、ビスマス、及びテルル並びにその酸化物、塩化物、フッ化物、及び炭酸化物からなる群から選択された少なくとも１つの再酸化防止剤と、酸化銅（ＩＩ）と、を含有することを特徴とする。例文帳に追加

A thermal reaction type resist material of this invention is characterized by including copper(II) oxide and at least one reoxidation inhibitor selected from a group consisting of lithium, sodium, magnesium, calcium, titanium, iron, cobalt, zinc, gallium, silicon, germanium, lead, bismuth and tellurium and their oxide, chloride, fluoride and carbonate. - 特許庁

１−クロロヘプタフルオロシクロペンテンを周期律表第ＶＩＩＩ族金属に銀、銅、金、テルル、亜鉛、クロム、モリブデン、タリウム、錫、ビスマス、鉛から成る群から選ばれる少なくとも１種の金属を添加してなる水素化触媒の存在下に水素化して１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタンを製造する。例文帳に追加

1,1,2,2,3,3,4-Heptafluorocyclopentane is produced by the hydrogenation of 1-chloroheptafluorocyclopentene in the presence of a hydrogenation catalyst where a group VIII metal is mixed with at least one kind selected from the group consisting of Ag, Cu, Au, Te, Zn, Cr, Mo, Tl, Sn, Bi and Pb. - 特許庁

ビスマス−テルル系の様な層状構造化合物からなる熱電素子の製造において、急冷ロール法で得られた薄状粉１２の積層体１４を形成し、積層方向と平行な方向から積層体を押圧するとともに（垂直押圧Ｐ１）、積層方向と直交する方向から積層体を押圧する（側面押圧Ｐ２）。例文帳に追加

In the manufactured of a thermoelectric element, consisting of a laminated structure compound, such as bismuth tellurium, system the stack 14 of laminar powder 12 obtained by quenching roll method is formed, and a laminate is pressed from a direction in parallel with the laminating direction (vertical pressing P1), and also the laminate is pressed from a direction orthogonal to the laminating direction (side surface pressing P2). - 特許庁