ナノ記憶の英語

さらに、メモリデバイスは、ナノ記憶構造上に配置されて、これに電気的に結合され、かつ、ナノ記憶構造に対して自己整列された複数の第２の電極ライン(152,252,352,452,652)を備える。例文帳に追加

Further, the memory device is disposed on the nano memory structure and is electrically connected thereto, and is provided with a plurality of second electrode lines (152, 252, 352, 452, 652) self-aligned to the nano memory structures. - 特許庁

無機ナノ複合体及び無機ナノ複合膜、及びそれらを作製する方法、並びに無機ナノ複合体及び無機ナノ複合膜を含む電界効果トランジスタ、データ記憶媒体及び光起電力デバイスを作製する方法とを提供する。例文帳に追加

To provide an inorganic nanocomposite, an inorganic nanocomposite film, a method for fabricating the above, a method of fabricating a field effect transistor, a data storage medium and a photovoltaic device including the inorganic nanocomposite and inorganic nanocomposite film. - 特許庁

これらのナノ構造体を用い、磁気記憶材料の高記憶密度化や高周波特性に優れた配線基板の低消費電力化、多周波対応アンテナ基材等を得ることができる。例文帳に追加

This nano structure can be applied to the high-density storage magnetic storage material, the wiring board for high frequency and the antenna base material coping with multi-frequency. - 特許庁

２次元的膜厚の薄膜基板及びこの薄膜基板に磁性ナノ粒子群を均一に固定化した記憶媒体を提供する。例文帳に追加

To provide a thin-film substrate of two-dimensional film thicknesses, and a storage medium formed by uniformly immobilizing magnetic nanoparticle groups to the thin-film substrate. - 特許庁

そして、連続するカーボンナノチューブ２内のナノ磁性粒子９のスピンの方向の配列によって、情報を表わし、かつ、記憶する。例文帳に追加

Information is represented and stored depending on the arrangement of the direction of spin of the nano magnetic particles 9 in the continuing carbon nanotubes 2. - 特許庁

向上したメモリとしての記憶密度および低消費電力デバイスとして有用なナノ結晶材料を提供することにある例文帳に追加

To provide a nano-crystal material which can be used in a low power consumption device with packing density to be used as an improved memory. - 特許庁

金属ナノ結晶からなる離散的フローティングゲートを、移流集積法により形成する半導体記憶素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor memory element which forms a discrete floating gate composed of metal nanocrystal by an advection accumulation method. - 特許庁

従来のノイマン型コンピュータにおいて用いられていた記憶素子とは異なるまったく新しい原子・分子を単位要素とする記憶素子・演算回路・知能素子を用いたニューロン様ナノ媒質コンピュータを提供する。例文帳に追加

To provide a neural nano-medium computer using a storage element, an arithmetic circuit, and an intelligence element using as unit elements complete ly new atoms and molecules different from storage elements used for a conven tional Neumann type computer so far. - 特許庁