バイアス分布の英語

複数のバイアストランジスタ２４ａ〜２４ｎのバイアス電流は、複数のＬＤ２２ａ〜２２ｎの熱分布特性に応じて、例えばエミッタ抵抗２６ａ〜２６ｎをプログラム（重み付け）して、最適な閾値電流にする。例文帳に追加

The bias currents of the bias transistors 24a to 24n are set at optimal threshold currents for instance by programming (weighting) emitter resistors 26a to 26n, corresponding to the heat distribution characteristics of the LD 22a to 22n. - 特許庁

紙間位置において現像ローラ２０Ｙ上の液体現像剤中の固形分濃度分布を調整するバイアス印可ローラ２２Ｙの印可バイアスをオフにすることを特徴とする。例文帳に追加

The system is characterized in that the bias applied on a bias application roller 22Y that controls the solid content concentration distribution in a liquid developer on a developing roller 20Y is turned off at a position between consecutive paper sheets. - 特許庁

実パターン上のチャージアップをリアルタイムに測定し、更に、自己整合バイアスのウェハ内面分布を測定する。例文帳に追加

To monitor the charge-up time on an actual pattern, in real time, and to measure a wafer internal surface distribution of a self-match bias. - 特許庁

無バイアス状態で空乏層の形成される、ｐｎ接合近傍領域の不純物濃度およびその分布を測定する。例文帳に追加

To measure the concentration and distribution of an impurity near a p-n junction where a depletion layer is formed in a no-bias state. - 特許庁

スペクトル強度分布の調整は、孤立−稠密バイアスに関連するデータに基づいており、スペクトル帯域幅を広くするか、或いはスペクトル強度分布の形状を変化させることからなっている。例文帳に追加

The adjustment of the spectrum intensity distribution is based on the data associated with iso-dense bias, and the spectrum intensity distribution is adjusted by widening the spectrum band width or by changing the shape of the spectrum intensity distribution. - 特許庁

温度分布やバイアス分布を生じることなく大型基板に均一な製膜処理をすることができるトレイレス斜め基板搬送装置を提供する。例文帳に追加

To offer a tray-less and oblique type of substrate transporting equipment which enables a uniform film forming treatment over a large-size substrate without a temperature distribution and a bias distribution. - 特許庁

一実施例において本方法は、運転限界の最小限界出力比、限界出力比変化分布バイアス、および限界出力比変化分布標準偏差（９１５）を用いて安全限界出力比を決定することを含む。例文帳に追加

In one embodiment, the method includes determination of a safety limit power ratio using an operating limit minimum critical power ratio, a change-in-critical-power-ratio distribution bias, and a change-in-critical-power-ratio distribution standard deviation (915). - 特許庁

マグネット５による磁界の移動、回転により処理能力を高めたマグネトロンプラズマ処理装置において、プラズマ密度の反応容器内部における分布に対応して、ガスの導入分布を制御し、又は下部電極８上のウェハ１０に印加されるバイアス分布を制御する。例文帳に追加

In an equipment for magnetron plasma treatment that raises throughput by moving and turning magnetic field using magnet 5, distribution of gas introduction is controlled corresponding to the distribution of plasma density in the reaction vessel, or distribution of bias voltage impressed to a wafer 10 on the lower electrode 8 is controlled. - 特許庁