フォトルミネッセンススペクトルの英語

得られたフォトルミネッセンススペクトルでの淡紅色のスペクトルと黄緑色のスペクトルとの発光強度比を求める。例文帳に追加

Then the luminous intensity ratio between the pale rose-color spectrum and yellow-green spectrum in obtained photoluminescence spectra is found. - 特許庁

ＩＩＩ族窒化物半導体光素子を作製する方法、およびフォトルミネッセンススペクトルを測定する方法例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR OPTICAL ELEMENT AND METHOD OF MEASURING PHOTOLUMINESCENCE SPECTRUM - 特許庁

工程Ｓ１０６では、イエローバンド波長帯およびバンド端波長のフォトルミネッセンススペクトル強度を基準値と比較することによってエピタキシャル基板を選別して、選別済みエピタキシャル基板Ｅ１を作製する。例文帳に追加

In a step S106, a photoluminescence spectrum intensity of the yellow band wavelength band and the band edge wavelength is compared with a reference value to select the epitaxial substrate and produce a selected epitaxial substrate E1. - 特許庁

口径の異なるインゴットに対しても複雑な光学系の調整が不要で、インゴットのフォトルミネッセンススペクトルの分布を求め得る半導体の特性評価装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor characteristics evaluating apparatus capable of obtaining the distribution of photoluminescence spectra of an ingot without the need to make optical adjustments to ingots having different diameters. - 特許庁

本発明は、半導体エピタキシャル膜を破壊することなく、室温付近のフォトルミネッセンススペクトルの測定から、シートキャリア濃度を評価することが可能な半導体エピタキシャル膜の非破壊検査方法を提供する。例文帳に追加

To provide a nondestructive test method for a semiconductor epitaxial film, capable of evaluating a sheet carrier concentration from a measurement of a photoluminescence spectrum near a room temperature without destroying the semiconductor epitaxial film. - 特許庁

本発明は、基板１上に形成された窒化酸化シリコン膜２の組成を評価する方法であって、光源としてレーザを用い、フォトルミネッセンススペクトルを計測し解析することによって、窒化酸化シリコン膜２の組成又は組成分布を評価する。例文帳に追加

In the evaluating method of composition of the nitriding silicon oxide film 2 formed on a substrate 1, the composition or the composition distribution of the nitriding silicon oxide film 2 is evaluated by measuring and analyzing a photoluminescence spectrum employing laser as a light source therefor. - 特許庁

本発明の応力評価方法によれば、基板１上の非晶質シリコンおよびその化合物薄膜２の応力評価において、光源としてレーザーを用い、フォトルミネッセンススペクトルを計測し解析することにより、膜の応力、特に微小領域の応力、および応力分布を評価する。例文帳に追加

In the method of evaluating the stress of an amorphous silicon and its compound thin film 2 on a substrate 1, a laser is employed as a light source and stress of a film, especially stress in a micro region, and stress distribution are evaluated by measuring and analyzing photoluminescence spectrum. - 特許庁