プラズマ陽極酸化の英語

耐食性に優れる陽極酸化Ａｌ基金属材、その製造方法およびそれを用いたプラズマ雰囲気用Ａｌ基金属部品例文帳に追加

ANODIC OXIDIZED AL MATERIAL HAVING EXCELLENT CORROSION RESISTANCE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME AND AL PARTS FOR PLASMA ATMOSPHERE SAME - 特許庁

プラズマエッチング装置において、アルミニウム合金から成るエッチング処理室及びエッチング処理室内部品と耐プラズマ性に良好なセラミックス溶射膜の間に、陽極酸化被膜を配置する。例文帳に追加

In the plasma etching apparatus, an anode oxide film is arranged in the etching processing chamber made of aluminum alloy and between components in the etching processing chamber and a ceramics thermal spraying film superior in plasma resistance. - 特許庁

プラズマ処理装置の真空チャンバ内壁などのアルミニウム合金基材表面に形成される陽極酸化皮膜中のクラック発生を抑制し、熱反射率が低く耐電圧が高い陽極酸化皮膜を高能率で形成する陽極酸化処理方法を提供することである。例文帳に追加

To provide a method of forming an anode oxide film by which the occurrence of crack on the anode oxide film formed on the surface of an aluminum alloy base material such as a vacuum chamber inner wall of a plasma treating device is suppressed and the anode oxide film having low heat reflectance and high voltage resistance is formed with high efficiency. - 特許庁

更に、本発明によれば、高周波励起プラズマ又は電子線酸化陽極プラズマを用いる活性化反応性蒸着法にて上記インジウム／酸化インジウム複合蒸着膜を形成する上記電磁波透過性金属蒸着ホログラム転写材の製造方法が提供される。例文帳に追加

Further, a method for manufacturing the electro-magnetic wave transmittable metalized hologram transfer material is provided wherein the indium/indium oxide composite vapor deposited film is formed by an activated reaction vapor deposition method using a high frequency excited plasma or an electron beam oxidation anodic plasma. - 特許庁

アルミニウム製の部材の表面に陽極酸化皮膜を形成してから、この陽極酸化皮膜の表面にプラズマ処理を施した後、この表面に撥水性及び撥油性を有する化学物質の分子を吸着させて、この表面に単分子皮膜を形成する。例文帳に追加

An anodic oxide film is formed on the surface of a member made of aluminum, the surface of the anodized film is aubjected to plasma treatment, snd then a chemical material having water repellency and oil repellency is absorbed into the surface to form a monomolecular film on the surface. - 特許庁

プラズマCVD装置の反応室内で半導体基板を保持するための半導体基板保持装置であって、載置ブロックと、加熱ブロックとから成り、載置ブロックの上面及び側面が陽極酸化処理されており、陽極酸化膜の膜厚が３０μｍから６０μｍであることを特徴とする装置。例文帳に追加

The semiconductor substrate holding device for holding a semiconductor substrate in the reaction room of a plasma CVD device consists of a mounting block and a heating block, the upper surface and side faces of the mounting block are treated with anode oxidation treatment and the film thickness of the anode oxidation film is 30 to 60μm. - 特許庁

プラズマ化されたフッ素系エッチングガスに対して十分な耐腐食性を示す陽極酸化皮膜を容易に形成しうる高純度アルミニウム合金材を提供する。例文帳に追加

To provide a high-purity aluminum alloy material for easily forming an anodic oxide film having satisfactory corrosion resistance to fluorine-based etching gas in a plasma state. - 特許庁

陽極酸化アルミニウムパーツを再生するためのクリーニングプロセスは、パーツが、エッチングリアクタにおいてフッ素含有プラズマに露出された時に特に有用である。例文帳に追加

To provide a cleaning process for recovering an anodized aluminum part particularly useful when the part has been exposed to a fluorine-containing plasma in etch reactor. - 特許庁