ヘテロ部分接合体の英語

表面は、分離素子９の半導体材料に関して、ｐｎ接合、ショットキー接合またはヘテロ接合を形成する導電性または半導電性の材料からなる層１１で少なくとも部分被覆。例文帳に追加

The surface for the semiconductor material of the separating device 9 is at least partially shielded by a layer 11 which is made by conductive or semi-conductive material for forming pn joint, shot key joint or hetero joint. - 特許庁

該有機発光層は混合され且つ連続する有機媒体が組み合わされてなり、ヘテロ接合現象の発生がなく、且つｘ、ｙ、ｚの和が１００％とされ、ｘはアノードに接近する部分が最大値とされ、ｙとｚはカソード部分にあって最大値を現出する。例文帳に追加

The organic luminous layer is composed of a combination of organic media which are mixed and continuous, and does not generate a hetero junction phenomenon, and the sum of x, y and z is 100%, and x has a maximum value at a portion close to the anode, and y and z develop maximum values at the cathode portion. - 特許庁

少なくとも１つの活性層を含んでいる多重層を半導体材料から成る基板の表側上に形成した後、この基板を少なくとも部分的に除去し、その後多重層をヘテロ基板と接合するようにした光放射デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a light-emitting device, designed to form multi-layers containing at least one active layer on the front side of a substrate composed of a semiconductor material, thereafter, at least partially remove the substrate thus formed, and then join the multi-layers to a hetero-substrate. - 特許庁

窒化物半導体を用いた電界効果型トランジスタの構造は、窒化ガリウム層とバリアーのヘテロ接合近くに形成されるチャンネルに接するバリアーの部分を、厚さ２ｎｍ以下の窒化アルミニウム層と厚さ２ｎｍ以下の窒化ガリウム層の多層構造とする。例文帳に追加

In the structure of a field effect transistor using a nitride semiconductor, the part of a barrier brought into contact with a channel formed near the hetero-junction of a gallium nitride layer and the barrier is formed as the multi-layer structure of an aluminum nitride layer whose thickness is 2 nm or less and a gallium nitride layer whose thickness is 2 nm or less. - 特許庁

デバイスの基本となる部分は、Ｎｂなどを少量ドープしてｎ型半導体特性を持たせた二酸化チタン（ＴｉＯ_２）またはチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ_３）と、二酸化バナジウム（ＶＯ_２）などの遷移金属酸化物からなる遷移金属酸化物ヘテロ接合である。例文帳に追加

The basic part of this solar cell is constituted in a heterojunction of a transition metal oxide composed of titanium dioxide (TiO_2) or strontium titanate (SrTiO_3) doped with a small amount of Nb etc., to have n-type semiconductor characteristics and a transition metal oxide, such as vanadium dioxide (VO_2). - 特許庁

窒化物系化合物半導体からなる電子走行層３と電子供給層４のヘテロ接合構造を有する高電子移動度トランジスタにおいて、少なくともゲート直下に相当する部分の電子供給層４の厚さが、前記少なくともゲート直下に相当する部分以外の電子供給層４の厚さよりも薄いことを特徴とする。例文帳に追加

In the high electron mobility transistor with a hetero junction structure formed with an electron supply layer 4 and an electron traveling layer 3 made of a nitride group compound semiconductor, at least the thickness of the part of the electron supply layer 4 beneath the gate is thinner than that of the electron supply layer 4 other than at least the part beneath the gate. - 特許庁

半導体エピタキシャルウェハの上に高電子移動度トランジスタを含む電界効果トランジスタやヘテロ接合バイポーラトランジスタなどの電子デバイスを作製した際に、エピタキシャル層の中に導電性不純物が混入することによって、バッファ層の中に高い導電性を有する部分（導電層）が形成されるのを防止し、その結果、高い特性を実現する半導体エピタキシャルウェハを提供する。例文帳に追加

To prevent a highly conductive region (conductive layer) from forming in a buffer layer with conductive impurities mixing into an epitaxial layer, when preparing an electronic device such as a field-effect transistor containing a high electric mobility transistor or a hetero junction bipolar transistor on a semiconductor epitaxial wafer; and as a result to provide the semiconductor epitaxial wafer realizing high characteristics. - 特許庁