ポートリーの英語

ＡポートリードイネーブルＡ５のみが“１”の場合、両ポートにＡポートアドレスＡ１が入力され、ＢポートリードイネーブルＢ５のみが“１”の場合、両ポートにＢポートアドレスＢ１が入力される。例文帳に追加

In the case that only an A port lead enable A5 is 1, an A port address A1 is input to both ports, and in the case that only a B port lead enable B5 is 1, a B port address B1 is input to both ports. - 特許庁

コンデンサーサポートリーンホース２２が、クラッシュボックス１５にボルトにより結合され、フェンダとコンデンサーサポートリーンホース２２の車体上側端部とが、フェンダサポート１７のフェンダサポートアッパ１９により連結されている。例文帳に追加

A condenser support reinforcement 22 is connected to a crash box 15 by bolts, and a fender and a vehicle body upper side end of the condenser support reinforcement 22 are connected by a fender support upper 19 of a fender support 17. - 特許庁

パッケージ厚やフレーム厚が薄くとも、ダイパッドが封止成型領域内でサポートリードを介して宙吊りにして、半導体チップ，ダイパッド，ボンディングワイヤなども露出することなく封止する。例文帳に追加

To seal even a semiconductor chip, a die pad, a bonding wire or the like without an exposure by hanging the die pad through a support lead in a sealing molding region, even when a package and a frame are thin. - 特許庁

半導体素子50が載置されるダイパッド101と一体に形成された一対のサポートリード110の、半導体素子50載置側の面に突出部112を形成する。例文帳に追加

A projected portion 112 is formed on a surface on which a semiconductor component 50 is placed of a pair of support leads 110 formed integrally with a die pad 101 on which the semiconductor component 50 is placed. - 特許庁

サポートリード２の幅方向に沿った段差部１３の断面のＶ字形状と段差部１３以外の断面のＶ字形状とが相反した方向で折曲した形状とする。例文帳に追加

The V-shaped cross section of a stepped section 13 along the crossing direction of the support lead 2 and the V-shaped cross section excepting the stepped section 13 are formed in shapes bent in the mutually opposite directions. - 特許庁

半導体素子50が載置されるダイパッド101と一体に形成された一対のサポートリード110の、半導体素子50載置側の面に突出部112を形成する。例文帳に追加

In a semiconductor device, a pair of support leads 110 and a die pad 101 on which a semiconductor component 50 is mounted are formed integrally, and a projected portion 112 is formed on a surface of a respective support lead 110 on the mounted side of the semiconductor component 50. - 特許庁

半導体素子50が載置されるダイパッド101と一体に形成された一対のサポートリード110の、半導体素子50載置側の面に突出部112を形成する。例文帳に追加

A projecting portion 112 is formed on the surface of the side on which a semiconductor device 50 is placed, in a pair of support leads 110 integrally formed with a die pad 101 on which the semiconductor device 50 is placed. - 特許庁