ミスフィットの英語

このとき、ｐ型歪シリコン層２２の膜厚は、ミスフィット転位の発生しない臨界膜厚より厚くなるように形成されている。例文帳に追加

Herein, the thickness of the p-type distorted silicon layer 22 is made to be larger than the critical thickness at which misfit dislocation does not occur. - 特許庁

半導体層にクラック、そり、或いはミスフィットによる転位の発生しないIII族窒化物半導体素子を提供すること。例文帳に追加

To obtain a group III nitride type compound semiconductor element which will not cause a semiconductor layer to be cracked, warped or dislocated due to misfit. - 特許庁

エピタキシャルウェーハにミスフィット転位が発生するか否かを適切に判断できるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an epitaxial wafer manufacturing method for appropriately determining whether or not misfit dislocation occurs in an epitaxial wafer. - 特許庁

ミスフィットを低減できる消磁コイル調定方法およびこれを利用した消磁管制法法を得る。例文帳に追加

To provide a demagnetizing coil settling method capable of reducing misfit and a demagnetization control method using it. - 特許庁

この際、基板１と下地層２との界面に発生したミスフィット転位が前記界面で絡まることにより、下地層２内に伝播しない例文帳に追加

At this time, a misfit dislocation that occurs at the boundary surface between the substrate 1 and the backing layer 2 does not propagate into the backing layer 2 because it twines at the boundary surface. - 特許庁

ミスフィット転位による結晶欠陥の発生が抑制されたＳｉＣを備え、反りが低減された半導体基板の製造方法を提供する例文帳に追加

To provide a manufacturing method of semiconductor substrate provided with SiC which is controlled in generation of crystal defect due to misfit dislocation and is reduced in warpage thereof. - 特許庁

格子定数の違いによるミスフィット転位を抑制し、しかも、品質の高いＳｉＣ半導体とＳｉＣエピタキシャル成長方法を提供する。例文帳に追加

To suppress miss-fit dislocations caused by the difference in the lattice constants, and to provide a high quality SiC semiconductor and a method of epitaxially growing SiC. - 特許庁

格子間型転位ループが均一に分布するので、このミスフィット転位も均一に分布し、それによってＳｉＧｅ層が緩和される。例文帳に追加

Since the interstitial dislocation loop is uniformly distributed, the misfit dislocation is uniformly distributed as well, thereby the SiGe layer is loosened. - 特許庁