ラインスペースの英語

本発明の目的は、特に試料上に形成されたライン＆スペースパターンの凹凸判定に好適な判定方法、及び装置を提供することにある。例文帳に追加

To provide method and device especially suitable for determining irregularity of line & space pattern formed on sample. - 特許庁

フォトマスクは、ウェーハに実際に転写される第１の方向のライン／スペース回路パターン及び第２の方向のライン／スペース回路パターンそして偏光子として作用し、スペースに設けられ、ラインに垂直である格子パターンを含む。例文帳に追加

The photomask includes a line/space circuit pattern in the first direction and a line/space circuit pattern in the second direction actually transferred to a wafer, operates as a polarizer and includes a lattice pattern that occupies spaces and is perpendicular to lines. - 特許庁

本発明のレジスト材料は、現像液が本質的に水またはアルカリ性水溶液である場合、現像された像のライン／スペースを１２０ｎｍ以下とすることができる。例文帳に追加

The resist material can render a developed image with a line/spacing not greater than 120 nm when the developer essentially consists of water or an aqueous alkali solution. - 特許庁

配線Ｌの窒化シリコン膜４とライン／スペース状のコンタクトパターンを用いて形成されたフォトレジストとにより、絶縁膜５内に複数のコンタクトホールＣＨを形成する。例文帳に追加

By the silicon nitride film 4 of the wiring L and a photoresist formed by using the contact pattern in the shape of line/space, a plurality of contact holes CH are formed in the insulating film 5. - 特許庁

配線パターンの露光及び現像を行った場合、ライン＆スペースが小さい場合において要求線幅が得られないために補正が必要である。例文帳に追加

To provide a correction of an exposure width, which is necessary when line widths and spacings are so small that required line widths are not obtained in exposing and developing a wiring pattern. - 特許庁

これにより、約８Å〜９Åより短波長のＸ線に対するコントラストが５０ｎｍライン＆スペース周期マスクパターンのコントラストよりも向上するため、高品質な光学像を得ることができる。例文帳に追加

Thus, contrast to x-ray with wavelength shorter than about 8 Å-9 Åis improved further than the contrast of the mask pattern of 50 nm line and space cycle, consequently, a high quality optical image can be obtained. - 特許庁

絶縁膜１１に対して、まず素子分離のレイアウトに対して縦方向のライン／スペースパターンによるレジスト膜を形成し第１のエッチングを行う。例文帳に追加

At first, a resist film by a line/space pattern of a vertical direction for layout of element separation is formed on an insulating film 1 to perform first etching. - 特許庁

遠紫外領域の露光に対応し得、高い解像力を有し、特に0.2μｍ以下の微細なライン／スペースにおけるラインうねり及び現像欠陥が少なく、更に高い製造適性を有するポジ型レジスト積層物を提供する。例文帳に追加

To provide a positive resist laminate adaptable to exposure in the far ultraviolet region, having high resolving power, nearly free of line waves and development defects particularly in the case of a narrow line/space of ≤0.2 μm and having high suitability to production. - 特許庁