| 意味 | 例文 (11件) |
ロンドー体の英語
追加できません
(登録数上限)
単語を追加
英訳・英語 roundel
「ロンドー体」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 11件
半導体デバイス用に製造された汎用性のあるボロンドープシリコン単結晶を、太陽電池用に転用する。例文帳に追加
A boron-doped general purpose single-crystal silicon substrate 41 manufactured for semiconductor device is turned over to a solar battery cell. - 特許庁
良導電性を有し、かつ、すぐれた耐熱性を有するボロンドープダイヤモンド焼結体を提供する。例文帳に追加
To provide a boron-doped diamond sinter which has good electrical conductivity and excellent heat resistance. - 特許庁
シリコン基板上にボロンドープドポリシリコン層とノンドープドポリシリコン層とを交互に積層させて積層体を形成し、Ｘ方向に延びるスリットを形成することにより、ボロンドープドポリシリコン層を複数本のゲート電極２１に分断する。例文帳に追加
A boron-doped polysilicon layer and a non-doped polysilicon layer are alternately laminated on a silicon substrate to form a laminated product, and the boron-doped polysilicon layer is divided into a plurality of gate electrodes 21 by forming a slit extending in X-direction. - 特許庁
減圧ＣＶＤ装置におけるボロンドープポリシリコンゲルマニウムまたはボロンドープアモルファスシリコンゲルマニウムを成膜する半導体装置の製造方法および基板処理装置において、良好なボロン濃度均一性の実現をを可能とする半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供すること。例文帳に追加
To provide a manufacturing method of a semiconductor device for achieving superior boron concentration uniformity, and to provide a substrate treatment apparatus in the manufacturing method of the semiconductor device for film-forming boron-doped polysilicon germanium or boron-doped amorphous silicon germanium in a reduced pressure CVD apparatus, and to provide a substrate treatment apparatus. - 特許庁
少なくとも一つのｐ型半導体層３がガリウムドープｐ型半導体層３１、ボロンドープｐ型半導体層３２からなるデルタドープ層であることを特徴とする。例文帳に追加
At least one p-type semiconductor layer 3 is a delta-doped layer which consists of a gallium doped p-type semiconductor layer 31, and a boron-doped p-type semiconductor layer 32. - 特許庁
Ｓｉ基板１にボロンドープ層を形成し、該ボロンドープ層１０３を振動板１１として形成する液体吐出ヘッドの製造方法において、振動板１１ａを形成した後、該Ｓｉ基板１に熱酸化により熱酸化膜１０６を形成する工程と、前記熱酸化膜１０６をエッチングにより剥離する工程とを有する。例文帳に追加
A production method for a liquid ejection head in which a boron doped layer is formed on a Si substrate 1 and the boron doped layer 103 is formed as a vibration plate 11, includes, after a vibration plate 11a is formed, a step of forming thermally-oxidized film 106 on the Si substrate 1 by thermal oxidation, and a step of peeling off the thermally-oxidized film 106 by etching. - 特許庁
-
履歴機能
過去に調べた
単語を確認! -
語彙力診断
診断回数が
増える! -
マイ単語帳
便利な
学習機能付き! -
マイ例文帳
文章で
単語を理解! -
「ロンドー体」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 11件
本発明による薄膜トランジスタの製造方法は、基板上にボロンドープされた酸化亜鉛−スズの化合物で半導体薄膜を形成するステップと、半導体薄膜をパターニングし、チャネルを形成するステップとを含む。例文帳に追加
The method of manufacturing the thin-film transistor includes: a step of forming a semiconductor thin film of a zinc oxide-tin compound doped with boron on a substrate; and a step of patterning the semiconductor thin film to form a channel. - 特許庁
窒素濃度が１×１０^１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上、又は、ボロンドープによって比抵抗が２０ｍΩ・ｃｍ以下に設定されたウェーハ本体１１と、ウェーハ本体１１の表面に設けられたエピタキシャル層１２とを備える。例文帳に追加
The epitaxial wafer includes a wafer body 11 where nitrogen concentration is set ≥1×10^12 atoms/cm^3 or specific resistance is set ≤20 mΩ cm by boron doping, and an epitaxial layer 12 formed on a surface of the wafer body 11. - 特許庁
ボロンドープシリコンゲルマニウム膜を成膜する場合、ゲルマニウム原料の使用量を抑制すると共に金属膜との結合力を強くし、生産性を向上することが可能となる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。例文帳に追加
To provide a manufacturing method of a semiconductor device of improved productivity by suppressing the amount of use of germanium material and enhancing bonding strength to a metal film in the case of forming a boron doped silicon germanium film along with a substrate processing apparatus. - 特許庁
ボロンドープドシリコン層７２を堆積させ、その上面にシリコン窒化層７８を形成し、ノンドープドシリコン層７３を堆積させ、その上面にシリコン窒化層７９を形成する工程を繰り返すことにより、シリコン基板１１上に積層体２０を形成する。例文帳に追加
A laminate 20 is formed on a silicon substrate 11 by repeating a step of depositing a boron-doped silicon layer 72, forming a silicon nitride layer 78 on the top surface thereof, depositing a non-doped silicon layer 73, and forming a silicon nitride layer 79 on the top surface of the non-doped silicon layer. - 特許庁
| 意味 | 例文 (11件) |
ピン留めアイコンをクリックすると単語とその意味を画面の右側に残しておくことができます。 |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
検索履歴を保存できる！
みんなの検索ランキング
閲覧履歴
 | 「ロンドー体」のお隣キーワード |
weblioのその他のサービス
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
