仮想メモリーの英語

メモリーカード上の複数のデータファイルを、ホスト装置側で仮想単一ファイルとして認識させ、仮想単一ファイル特定情報を用いてその転送要求を記憶装置側に出す。例文帳に追加

A host device side is made to recognize a plurality of data files on a memory card as a virtual single file, and to transmit the transfer request to a storage device by using visual single file specification information. - 特許庁

動作中のロボット１の手首５に備えたワークやツール７を含めた移動軌跡を内包する仮想安全柵５０をメモリー上に定義する。例文帳に追加

A virtual safety fence 50 contains a moving locus including a work and a tool 7 equipped on a wrist 5 of a robot 1 in operation, and is defined on a memory. - 特許庁

コンピュータ３０、３１はＥＤＩＤデータをそれぞれ不揮発性メモリー２１、２２より取得することにより、切り替え器２０が仮想のディスプレイ１０としてデータを共有することができる。例文帳に追加

Computers 30 and 31 can share data with the switching device 20 being the virtual display 10 by acquiring the EDID data from the nonvolatile memories 21 and 22, respectively. - 特許庁

本発明は、微小時間の間、流体を弾性構造体と見なして仮想変位を計算することにより、変数・境界条件の設定が単純で使用メモリーが節約でき、コード開発が容易で、かつ安定な計算が実現できる。例文帳に追加

Thus, setting of variables/environmental conditions is simple, a user memory is saved, code development is easy and stable calculation is realized. - 特許庁

出力ストリームは、一時記憶手段メモリー装置ＭＥに記憶されたパケット、及び処理され且つ仮想ＡＴＭチャンネルに入れられたサービスパケットから開始して得られる。例文帳に追加

The output stream is obtained by beginning from the packet stored in a temporal storage means that is a memory device ME and the service packet that is processed and set to the virtual ATM channel. - 特許庁

他方、ＦＴＰサーバ（メモリーカード１１〜１４）側に保存されている該データファイルのオリジナル属性情報２０５は、実ファイル名２０１ですでにデータファイルを取得していることを前提として、属性要求仮想ファイル名２００を指定する仮想ＧＥＴコマンドを発行することにより取得することができる。例文帳に追加

Meanwhile, it is possible to acquire original attribute information 205 of the data file stored in the FTP server(memory cards 11 to 14) side by issuing a virtual GET command to designate an attribute request virtual file name 200 supposing that the data file has been already acquired with the real file name 201. - 特許庁

第２基準メモリーセル３０−２の基準ビットラインＲＢＬ１と基準仮想接地ラインＲＶＧＬ２との間に連結されているＮＭＯＳトランジスタを通じて基準ビットラインＲＢＬ１の電圧を変化させ、第２ダミーメモリーセル３０−３のトランジスターを通じてダミービットラインＤＢＬの電圧を変化させる。例文帳に追加

The voltage of a reference bit line RBL1 is changed through an NMOS transistor connected between the reference bit line RBL1 and a reference virtual ground line RVGL2 in a second reference memory cell 30-2 and the voltage of a dummy bit line DBL is changed through a transistor in a second dummy memory cell 30-3. - 特許庁