体積格子の英語

格子ピッチを小さくしていったときの体積型格子的な回折特性によるトラッキング信号のオフセットが生じない構成の偏光光学素子を提供する。例文帳に追加

To provide a polarizing optical element which does not cause the offset of a tracking signal due to the diffraction characteristics of a volume grating type when a grating pitch is decreased. - 特許庁

データを記録するときには信号光と参照光とを同時に体積ホログラフィックメモリ１０内の所定部位に照射し、干渉パターンを屈折率が格子状の分布を有する屈折率格子として記録する。例文帳に追加

When data are recorded, signal light and reference light are simultaneously emitted to a specified site in the volume holographic memory 10 and an interference pattern is recorded as a refractive index lattice, where a refractive index has a lattice-like distribution. - 特許庁

第２光学部材３０のうち第２回折格子３４の部分は、第２光学部材３０のうち第２回折格子３４とは反対側の部分よりも無機微粒子３１ｂの体積比率が高い。例文帳に追加

A portion of the second diffraction grating 34 of the second optical member 30 has a higher volume ratio of the inorganic fine particles 31b than that of a portion on a side opposite to the second diffraction grating 34 of the second optical member 30. - 特許庁

本発明の製造方法では、正極と負極と非水系電解液とを備えた電池組立体を、正極活物質（例えばリチウム遷移金属酸化物）の格子体積が電池の通常の使用状態における格子体積の範囲よりも減少または増大した状態に調整する。例文帳に追加

In this method, a battery assembly with a positive electrode, a negative electrode, and a nonaqueous electrolyte solution is adjusted to the condition in which lattice volume of a positive electrode active material (for example, lithium transition metal oxide) is decreased or increased in comparison with the range of lattice volume of the battery in normal using condition. - 特許庁

半導体光装置は、第１の格子定数を有する第１の半導体の表面を有する基板と、前記基板上に形成された半導体積層であって、前記第１の格子定数よりも小さい第２の格子定数を有する第２の半導体で形成された第１種の量子ドットを含む活性層を有する半導体積層とを有する。例文帳に追加

The semiconductor light device is provided with a substrate having the surface of a first semiconductor having a first lattice constant, and a semiconductor laminated layer formed on the substrate and having an active layer comprising the first kind of quantum dot formed of a second semiconductor having a second lattice constant smaller than the first lattice constant. - 特許庁

第１の半導体積層物２５のIII−Ｖ化合物半導体膜２１ａ上だけでなく第２の半導体積層物３１のIII−Ｖ化合物半導体膜２９上にも回折格子用マスク３３を形成する。例文帳に追加

A mask 33 for diffraction grating is formed not only on a group III-V compound semiconductor film 21a of a first semiconductor laminate 25, but also on a group III-V compound semiconductor film 29 of a second semiconductor laminate 31. - 特許庁

窒化物化合物半導体積層構造部２には、断面Ｖ字形のトレンチ１６が形成されており、このトレンチ１６の側壁は、超格子Ｎ型層５、Ｐ型ＧａＮ層６および超格子Ｎ型層７に跨る壁面１７を形成している。例文帳に追加

A trench 16 having a V-shaped section is formed at the nitride compound semiconductor lamination structure section 2, and the sidewall of the trench 16 forms a wall surface 17 spread over the superlattice n-type layer 5, the p-type GaN layer 6, and the superlattice n-type layer 7. - 特許庁

画素２の集合からなる画像等のパターン記録体であって、少なくとも一部の隣接した画素２の全面に、体積型ホログラムからなり相互に異なる複数の体積型回折格子３の中の何れかが割り当てられて構成されている。例文帳に追加

The recording medium is a pattern recording material for an image, comprising an ensemble of pixels 2 in which one of a plurality of volume type gratings 3 made of volume type holograms and different from each another, is assigned to the entire surface of at least a part of adjoining pixels 2. - 特許庁