切り欠き係数の英語

破断起点溝５０の応力集中係数は切り欠き部５２および軸受け係止溝５１の応力集中係数よりも大きくなっている。例文帳に追加

The stress concentration coefficient of the fracture starting point groove 50 is larger than the stress concentration coefficients of the cutout parts and bearing locking groove 51. - 特許庁

また、この切り欠き部を塞ぐように、ガンマ線遮蔽用シールドＢ１を備えたことにより、切り欠き部から肩・腕などで発生したガンマ線が視野外からの偶発同時係数として混入することを阻止することができる。例文帳に追加

Moreover, by having a shield B1 for being shielded from gamma rays so as to cover the notch, the intrusion of gamma rays generated in the shoulder, an arm, etc. from the notch as accidental simultaneous factors from the outside of the view can be prevented. - 特許庁

切り欠き４０の内部には、活性層１２および基板１０の熱膨張係数よりも大きな熱膨張係数を有する材料によって主に形成された応力発生部５０が形成されている。例文帳に追加

In the inside of the notch 40, a stress generation part 50 is formed, which is mainly formed of a material having a thermal expansion coefficient larger than the thermal expansion coefficient of an active layer 12 and the substrate 10. - 特許庁

この外部配置端子部１５３には、屈曲して立上部１５３ｆと外部接続部１５３ｇとの間を結ぶ外側屈曲部１５３ｄに、β＝Ｔａ／Ｔｂで与えられる切り欠き係数βがβ≧１．５を満たす形態の切り欠き部１５３ｖが設けられている。例文帳に追加

The external arrangement terminal 153 is provided, in an outside bend 153d which connects the rising part 153f and the external connection 153g while bending, with a notch 153v of such a form that the notch factor β to be given by β=Ta/Tb satisfies a relation β≥1.5. - 特許庁

切り欠き部以外にも環状検出器ユニットの外周面や前面側にも前記遮蔽シールドを備えることにより、視野外からの偶発同時係数をさらに阻止することができる。例文帳に追加

By having the shield on the outer peripheral surface and at front surface side of the annular detector unit in addition to the notch, the accidental simultaneous factors from the outside of the view can be further prevented. - 特許庁

Ｓｉ含有量が１０から１２、耐力が３１０Ｍｐａ以上、伸びが１０％、高温時引張り強さが３００ＭＰａ以上で、回転曲げ疲労限度（切り欠き係数１．０）が１２０ＭＰａ以上のものが好適である。例文帳に追加

Preferably, the aluminum alloy may have 10 to 12 of an Si content, 310 Mpa or more of a bearing force, 10% of elongation, 300 Mpa or more of tensile strength at a high temperature, and 120 Mpa or more of rotating bending fatigue limit (1.0 of a fatigue notch factor). - 特許庁

半田バンプ群は、第１の電極パッド２５と半田バンプ２３の中心を通る断面を見たとき、第１の電極パッド２５と半田バンプ２３の輪郭とで形成される切り欠き形状における応力拡大係数Ｋが、チップセンタ側よりチップエッジ側の方が小さいかまたは等しい半田バンプ２３Ａを有する。例文帳に追加

When the cross-section through the center of the first electrode pad 25 and the solder bump 23 is seen, the solder bump group has solder bump 23A wherein the stress magnification coefficient K in the notch shape formed by the first electrode pad and the profile of the solder bump 23 on the chip center side is smaller than or equal to that on the chip edge side. - 特許庁