初期堆積層の英語

取外し工程後に、初期ドナー基板１の厚さを少なくとも部分的に回復するためにドナー基板の残余部９上に層１２を堆積し、初期ドナー基板１として堆積層１２を有するドナー基板を再使用する。例文帳に追加

After the removing process, a layer 12 is deposited on the remaining part 9 of the donor substrate, to restore at least partially the thickness of the initial donor substrate 1, and to recycle the donor substrate, having the deposited layer 12 as the initial donor substrate 1. - 特許庁

代替の実施形態では、初期酸窒化物層は急速熱窒素酸化物（ＮＯ）堆積によって基板上に形成される。例文帳に追加

In an alternative embodiment, the initial oxynitride layer is formed on the substrate by a rapid heat oxynitride deposition. - 特許庁

加水分解のガラス初期生成物をベース上に火炎堆積法により堆積させ、その後ガラス初期生成物を焼結させることによって生成されたガラス層の屈折率を、空間的にかつ選択的に高くするための本発明による方法では、感光性を高める処置を講じない。例文帳に追加

This method does not perform a treatment for raising the photosensitivity in order to spatially and selectively raise the refractive index of a glass layer GS produced by depositing initial glass products of hydrolysis on a base by flame deposition and sintering the initial glass products thereafter. - 特許庁

集積回路のための導電性バリアを形成する方法は、ａ）半導体基板を提供する工程と、ｂ）初期材料の層を堆積する工程と、ｃ）イオンを該初期材料の層に注入し、所望の材料を形成する工程とを包含する。例文帳に追加

The method for forming a conductive barrier for integrated circuit comprises (a) a step for providing a semiconductor substrate, (b) a step for depositing an initial material to form a layer, and (c) a step for implanting ions into the layer of initial material to form a desired material. - 特許庁

ＭＯＣＶＤ法によりペロブスカイト型強誘電体膜を形成するにあたり、最初に低い酸素濃度で（１１１）配向を有する初期層を形成し、その上に、より高い酸素濃度で強誘電体膜の堆積を継続し、前記初期層を核として、強誘電体膜全体を（１１１）配向させる。例文帳に追加

When forming the perovskite type ferroelectric film by an MOCVD method, an initial layer having orientation (111) is formed first in a low oxygen concentration, the deposition of the ferroelectric film is continued thereon in a high oxygen concentration, and then the whole of the ferroelectric film is subjected to the orientation (111) by using the initial layer as a core. - 特許庁

一面においては、ＣＶＤ、ＰＶＤ或いはＩＭＰ（イオン金属プラズマ）などの任意の従来の過程を用いてチタンの初期膜を堆積し、次にこのデバイスを窒素雰囲気内で約４５０度Ｃの温度に加熱することで、この初期膜の表面上に窒化チタンの薄い保護層を形成できることが発見された。例文帳に追加

In one aspect, formation of a thin titanium nitride protective film on an initial film is found by depositing the initial film of titanium using an arbitrary prior art process, e.g. CVD, PVD or IMP (ion metal plasma), and then heating it at about 450°C in a nitrogen atmosphere. - 特許庁

透明導電膜上に、シリコンを堆積する初期にアモルファスシリコン層もしくは微結晶シリコンからなる極薄膜を成膜し、その後に光電変換層を形成する事を特徴とする光起電力素子の作製方法である。例文帳に追加

The method for manufacturing the photovoltaic element comprises the steps of forming an extra-thin film made of the amorphous silicon layer or the microcrystal silicon at an initial time of depositing the silicon on the transparent conductive film, and thereafter forming the photoelectric conversion layer. - 特許庁