半価幅法の英語

また、半価幅δＷの差で評価して金型を交換する金型の寿命予測方法。例文帳に追加

Alternatively, the method for predicting the lifetime of the metal mold evaluates the metal mold from a difference between half widths δW and replaces the metal mold. - 特許庁

ダイヤモンド薄膜の膜厚方向に沿って、０．１μｍ以上のラマン分光法で評価したダイヤモンドスペクトルの半価幅がほぼ一定である改質された膜厚み領域を有し、その半価幅は膜厚み残部の同最大半価幅の８５％以下であるダイヤモンド薄膜が得られる。例文帳に追加

Therefore, a diamond thin film is obtained which film has a modified film thickness range in which a half value width of a diamond spectrum evaluated by a Raman spectroscopy of 0.1 μm or more along the direction of a film thickness of the diamond thin film is approximately constant, and the half value width is 85% or less of the maximum half value width of a film thickness remainder. - 特許庁

面内異方性磁気記録媒体の磁性層の配向性をロッキングカ−ブ法で求めた半価幅またはφスキャン法で求めた半価幅を用いて判定することにより、高記録密度に対応した静磁気特性や電磁変換特性を有する磁気記録媒体を得ることが出来る。例文帳に追加

The orientation properties of the magnetic layer of a plane- anisotropic magnetic recording medium are judged using half value width obtained by a rocking curve method or half value width obtained by a ϕ scanning method so as to obtain the objective magnetic recording medium having magnetostatic characteristics and electromagnetic transducing characteristics adapted to high recording density. - 特許庁

この散点状の金属タングステン被膜は、スパッタリング法によって好適に形成することができ、結晶子径を、シェラーの式によりＸ線回折の半価幅から計算した値で１〜２０ｎｍに調整することが好ましい。例文帳に追加

The metal tungsten films like scattered dots are preferably deposited by sputtering, and the crystalline diameter of the films is preferably controlled to 1 to 20 nm calculated from the half-width in the X-ray diffraction according to Sheller formula. - 特許庁

そのために、ポリエステル樹脂層の厚さ方向の断面における、直線偏光のレーザー光を用いたレーザーラマン分光分析法から求められる1730cm^-1近傍のC＝0伸縮振動に起因したピークの半価幅を、16.0cm^-1〜24.0cm^-1の範囲とする。例文帳に追加

For this purpose, a half-value width of a peak caused by C=0 stretching vibration around 1,730 cm^-1 obtained from a laser Raman spectroscopy method using direct polarized laser beam is set forth within a range of 16.0-24.0 cm^-1. - 特許庁

ＣＶＤ法により形成され、Ｘ線回折によって測定した結晶子径が３６〜５４nmであって、（１１１）面の半価幅が０．１５５〜０．２２４°の範囲にあり、電気抵抗率が１〜１０^6 Ωm であることを特徴とするＳｉＣ成形体。例文帳に追加

The SiC formed material is formed by a CVD method and has crystallite diameters of 36 to 54 nm, measured by X-ray diffraction, half- value width of (111) face in the range of 0.155 to 0.224° and a electrical resistivity of 1 to 106 Ωm. - 特許庁

Ｃｕ−Ｋα線を用いた粉末Ｘ線回折法における特定の面のピークの半価幅がそれぞれ０．２０度以下であり、かつ結晶子径が７００Å以上である結晶性が良好な酸化マグネシウム粉末を提供する。例文帳に追加

To provide a magnesium oxide powder having good crystallinity in which the half width of the peak of a specific surface in the powder X-ray diffractometry using Cu-Kα line is 0.20 degree or less, respectively, and the crystallite diameter is not less than 700 Å. - 特許庁