半揮発性物質の英語

この発明に係る水処理方法は、揮発性有害物質を含有する被処理流体に、オゾンガスを注入するとともに、過酸化水素の注入または／及び紫外線の照射を行い、上記揮発性有害物質を分解処理する水処理方法において、上記オゾンガスのオゾン注入率を上記揮発性有害物質の濃度の半等量以上にするものである。例文帳に追加

In the water treating method of decomposing a volatile harmful material by injecting hydrogen peroxide and/or irradiating with ultraviolet ray with the injection of ozone gas to the fluid to be treated, which contains the volatile harmful material, the injection ratio of the ozone gas is controlled to be equal to or above half an equivalent of the concentration of the volatile harmful material. - 特許庁

ケース１２内に不揮発性酸を含むスクラバ物質４０を設けてなるスクラバ８において、前記ケース１２の全部または一部を透明または半透明に形成するとともに、腐食性成分と反応して有色の塩を形成する着色剤と、還元剤とをスクラバ物質４０に含ませてある。例文帳に追加

In the scrubber 8 having the scrubbing matter 40 including a non-volatile acid installed in a case 12, the scrubber 12 is totally or partly formed in transparency or translucency, and the scrubber matter 40 is impregnated with a coloring agent which is caused to react with a corrosive ingredient to form a colored salt and a reducing agent. - 特許庁

ケース１２内に不揮発性酸を含むスクラバ物質４０を設けてなるスクラバ８において、前記ケース１２の全部または一部を透明または半透明に形成するとともに、腐食性成分と反応して有色の塩を形成する着色剤と、還元剤とをスクラバ物質４０に含ませてある。例文帳に追加

In the scrubber 8 having the scrubbing matter 40 including a nonvolatile acid installed in a case 12, the case 12 is totally or partly formed in transparency or translucency, and the scrubber matter 40 contains a coloring agent which is caused to react with a corrosive ingredient to form a colored salt and a reducing agent. - 特許庁

本発明は導電物質とからなされたコントロールゲートが均一に形成される不揮発性メモリ装置またはその他の半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for a nonvolatile memory device or other semiconductor device where a control gate consisting of conductive material is formed equally. - 特許庁

揮発性炭化水素等の少ないプロピレン系樹脂組成物を用い製造され、特に半導体およびその関連部品を収納した場合に、特に揮発性物質などによる内容物への汚染や汚染による不具合の発生などの影響のないプロピレン系樹脂製の射出成形半導体関連部品搬送ケースを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor-related component carrier case formed by injection molding propylene resin, the case being produced from a propylene resin component with less volatile hydrocarbon or the like and being free from contamination of the contents with, in particular, a volatile substance or the like, especially, when a semiconducor and its related component are stored, and also free from faults resulting from the contamination. - 特許庁

有機半導体マトリックス物質をドーピングしてその電気特性を変化させるために、有機ドーパントとして有機メソメリー化合物を使用し、前記メソメリー化合物が、キノン、キノン誘導体、１，２，３−ジオクサボリン、または１，３，２−ジオクサボリン誘導体であり、前記メソメリー化合物の揮発性が、同一の気化条件下で、テトラフルオロテトラシアノキノンジメタン（Ｆ４ＴＣＮＱ）よりも低いこと。例文帳に追加

To dope organic semiconductor matrix materials and change the electrical properties, the organic dopant must be an organic mesomere compound which is quinone, quinone derivative, 1, 2, 3-Dioxaborin or 1, 3, 2-Dioxaborin derivative, and the volatility of the above organic mesomere compound must be lower than that of Tetrafuoro-Tetracyano quinonedi methane (F4TCNQ) under identical vaporization conditions. - 特許庁

さらに，本発明の不揮発性半導体記憶装置においては，メモリセルトランジスタの電荷蓄積層には，従来のような浮遊ゲートの替わりに，酸化珪素膜，窒化珪素膜，酸化珪素膜の積層構造，又はシリコン，金属その他の導電性物質のナノ結晶を含有する絶縁層を用いている。例文帳に追加

Additionally, the nonvolatile semiconductor memory device employs, for the charge storage layer of the memory cell transistor, a silicon oxide film 17, a silicon nitride film 18, the laminate structure 19 of a silicon oxide film, or an insulating layer involving a nanocrystal of silicon, metal, and other conductive substances, instead of such a floating gate as in prior art. - 特許庁