単一量子井戸の英語

多重量子井戸構造からなる活性層の井戸層又は障壁層の単一層中にｎ型不純物を変調ドープすることで素子特性を悪化させることなく順方向電圧を低減することが可能な窒化物半導体素子が得られる。例文帳に追加

Forward voltage of a nitride semiconductor element can be lowered without sacrifice of the element characteristics by subjecting the well layer of an active layer having multiple quantum well structure or the single layer of a barrier wall layer to modulation doping with n-type impurities. - 特許庁

Ｎ源としてＮＨ_3を用い、Ａs分子線源としてＡs_2分子線を用いたＭＢＥ法によって、ＧaＡs基板１上に、ＡlＧaＡs下部バリア層２、ＡlＧaＡsＮ井戸層(発光層)３、ＡlＧaＡs上部バリア層４を、順次積層して単一量子井戸構造１０を作製する。例文帳に追加

A single quantum well structure 10 is produced by successively laminating an AlGaAs lower barrier layer 2, an AlGaAsN well layer (light- emitting layer) 3, and an AlGaAs upper barrier layer 4 upon a GaAs substrate 1 by the MBE method using NH_3 as an N source and an As_2 molecular beam as an As molecular beam source. - 特許庁

様々な例示的実施形態で、単一量子井戸窒化アルミニウムガリウム活性領域とキャリア閉込め層との間に、アンドープスペーサ層を設ける。例文帳に追加

In various illustrative embodiments, an undoped spacer layer is provided between a single quantum well aluminium nitride gallium active region and a carrier confinement layer. - 特許庁

半導体光増幅器において、単一の注入電流で偏光無依存動作を実現することができ、量子井戸構造の導入も可能な素子構造およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor optical amplifier which is constituted in such an element structure that the amplifier can make polarization- independent operations with a single injected current and a quantum well structure can also be introduced to the amplifier and a method for manufacturing the amplifier. - 特許庁

量子井戸構造を単一の半導体構造として結晶構造の作製を簡便にし、かつ、高ＪＰ、低ＶＰ、高ＶＲ−ＶＰを同時に実現可能にする共鳴トンネル障壁構造を提供する。例文帳に追加

To provide a resonance tunnel barrier structure, in which the manufac turing of crystal structure is simplified by allowing a quantum well structure to be a single semiconductor structure, while high-GP, low-VP, and high VR-VP can be realized simultaneously. - 特許庁