single quantum wellとは 意味・読み方・使い方

The resonance tunnel diode has a structure sandwiching a quantum well layer between a pair of energy barrier layers, and the quantum well layer is composed of a semiconductor nano-structure (e.g. a single-layer carbon nanotube (CNT)) having an anisotropic atomic arrangement.例文帳に追加

本発明の共鳴トンネルダイオードは、量子井戸層を一対のエネルギ障壁層で挟んだ構造を持ち、量子井戸層は、異方的原子配列を持つ半導体ナノ構造体（例えば単層カーボンナノチューブ（ＣＮＴ））からなる。 - 特許庁

In various illustrative embodiments, an undoped spacer layer is provided between a single quantum well aluminium nitride gallium active region and a carrier confinement layer.例文帳に追加

様々な例示的実施形態で、単一量子井戸窒化アルミニウムガリウム活性領域とキャリア閉込め層との間に、アンドープスペーサ層を設ける。 - 特許庁

In a semiconductor light emitting element having an active layer 3 including a strained quantum well layer 2, and a clad layer 4 for confining light and a carrier formed on a semiconductor substrate 1, the thickness of the strained quantum well layer 2 is larger than a critical film thickness h_c when a single layer film is grown on a substrate of an infinite thickness.例文帳に追加

半導体基板１上に、歪み量子井戸層２を含む活性層３と、光とキャリアを閉じ込めるクラッド層４とが形成されている半導体発光素子において、前記歪み量子井戸層２の厚さは、無限大の厚さの基板上に単層膜を成長するとした場合の臨界膜厚ｈ_ｃよりも厚いことを特徴とする。 - 特許庁

Forward voltage of a nitride semiconductor element can be lowered without sacrifice of the element characteristics by subjecting the well layer of an active layer having multiple quantum well structure or the single layer of a barrier wall layer to modulation doping with n-type impurities.例文帳に追加

多重量子井戸構造からなる活性層の井戸層又は障壁層の単一層中にｎ型不純物を変調ドープすることで素子特性を悪化させることなく順方向電圧を低減することが可能な窒化物半導体素子が得られる。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical amplifier which is constituted in such an element structure that the amplifier can make polarization- independent operations with a single injected current and a quantum well structure can also be introduced to the amplifier and a method for manufacturing the amplifier.例文帳に追加

半導体光増幅器において、単一の注入電流で偏光無依存動作を実現することができ、量子井戸構造の導入も可能な素子構造およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resonance tunnel barrier structure, in which the manufac turing of crystal structure is simplified by allowing a quantum well structure to be a single semiconductor structure, while high-GP, low-VP, and high VR-VP can be realized simultaneously.例文帳に追加

量子井戸構造を単一の半導体構造として結晶構造の作製を簡便にし、かつ、高ＪＰ、低ＶＰ、高ＶＲ−ＶＰを同時に実現可能にする共鳴トンネル障壁構造を提供する。 - 特許庁

A single quantum well structure 10 is produced by successively laminating an AlGaAs lower barrier layer 2, an AlGaAsN well layer (light- emitting layer) 3, and an AlGaAs upper barrier layer 4 upon a GaAs substrate 1 by the MBE method using NH_3 as an N source and an As_2 molecular beam as an As molecular beam source.例文帳に追加

Ｎ源としてＮＨ_3を用い、Ａs分子線源としてＡs_2分子線を用いたＭＢＥ法によって、ＧaＡs基板１上に、ＡlＧaＡs下部バリア層２、ＡlＧaＡsＮ井戸層(発光層)３、ＡlＧaＡs上部バリア層４を、順次積層して単一量子井戸構造１０を作製する。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor layer 2 has an n-type contact layer 21, a quantum well layer 22, a GaN final barrier layer 25, a p-type electron block layer 23, and a p-type contact layer 24 formed sequentially from the GaN single crystal substrate 1 side.例文帳に追加

III族窒化物半導体層２は、ＧａＮ単結晶基板１側から順に積層されたｎ型コンタクト層２１、量子井戸層２２、ＧａＮファイナルバリア層２５、ｐ型電子阻止層２３、およびｐ型コンタクト層２４を有している。 - 特許庁