局在準位の英語

半導体ウェファの局在準位測定装置及び方法例文帳に追加

LOCALIZED LEVEL MEASURING EQUIPMENT AND METHOD FOR SEMICONDUCTOR WAFER - 特許庁

局在準位の発生を抑制すると共に、半導体層の厚みを容易且つ高精度に制御できるようにする。例文帳に追加

To suppress occurrence of a localized level and to easily and highly precisely control thickness of a semiconductor layer. - 特許庁

禁制帯中に局在準位または中間バンドをもつ半導体を光吸収層とする変換効率の高い太陽電池、及び、その製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a photovoltaic cell comprising a semiconductor, having a localized level or an intermediate band in the forbidden band as a light-absorbing layer, and to provide its production method. - 特許庁

この電流を測定することによって、電極３４の真下の空乏層３５の領域に存在する界面トラップのような局在準位を測定する。例文帳に追加

By measuring the current, the localized level like a boundary trap existing in the area of the depletion layer 35 right below the electrode 34 is measured. - 特許庁

電極３２，３４によって反転層３３及び空乏層３５を形成した状態において、空乏層３５の領域に存在する局在準位における電荷の再結合によって生じる電流は、電極３６と電極３１ｅとの間の反転層３３を流れる。例文帳に追加

In the state of forming an inversion layer 33 and a depletion layer 35 by electrodes 32 and 34, a current generated by the re-coupling of charges at the localized level existing in the area of the depletion layer 35 flows through the inversion layer 33 between the electrode 36 and the electrode 31e. - 特許庁

p型光吸収層の光入射側に、前記光吸収層よりも禁制帯幅の大きいn型半導体が積層したヘテロ接合型のpn接合の形成により、前記光吸収層は禁制帯中に局在準位または中間バンドをもつ太陽電池構造とする。例文帳に追加

A photovoltaic cell structure, wherein a p-type light absorption layer has a localized level or an intermediate band in the forbidden band is obtained, by forming a p-n heterojunction that is laminated of an n-type semiconductor, having the forbidden band width larger than that of the light-absorbing layer on the light-incident side thereof. - 特許庁

検査対象の印刷装置で作成された紙出力画像を基準画像と比較し、比較結果から出力画像の位置ずれの合否を判定する際、印刷装置に特別な動作を行わせることなく、処理が簡単で処理負担を小さくでき、局在する位置ずれ検出に適用でき検出精度を保つこと。例文帳に追加

To simplify processing, reduce processing load, detect local displacement, and keep detection accuracy without requiring a printer to be inspected to perform a special operation, when a paper output image prepared by the printer is compared with a reference image and the displacement of the output image is determined based on the comparison result. - 特許庁