localized levelとは 意味・読み方・使い方

By measuring the current, the localized level like a boundary trap existing in the area of the depletion layer 35 right below the electrode 34 is measured.例文帳に追加

この電流を測定することによって、電極３４の真下の空乏層３５の領域に存在する界面トラップのような局在準位を測定する。 - 特許庁

To provide a photovoltaic cell comprising a semiconductor, having a localized level or an intermediate band in the forbidden band as a light-absorbing layer, and to provide its production method.例文帳に追加

禁制帯中に局在準位または中間バンドをもつ半導体を光吸収層とする変換効率の高い太陽電池、及び、その製造方法を提供すること。 - 特許庁

The sound image localizing apparatus includes: an angle detection section 23 for detecting an angle of the sound image to be localized between a front speaker and a surround speaker; and an output level arithmetic section 25 for calculating a rate of a sound volume distributed on the basis of the localizing angle of the sound image.例文帳に追加

フロントスピーカとサラウンドスピーカとの間に定位すべき音像の角度を検出する角度検出部２３と、音像の定位角度に基づいて配分する音量の割合を演算する出力レベル演算部２５を備える。 - 特許庁

To provide a method for enhancing display ability of a flat panel display for a video or a still image through a localized dynamic control of a background lighting level in a single or a plurality of specified scenes or a video frame session, and to provide a software device and a display device.例文帳に追加

単一の又は複数の特定シーン、又はビデオフレームのセッションの背景照明レベルの局所的な動的制御を介してビデオ又は静止画のフラットパネルディスプレイの表示能力を高める方法、ソフトウェア装置及び表示装置を提供する。 - 特許庁

Collocation of the joint processor, the PIM, and the high-speed bus may increase noise immunity of the control system, and the localized processing of the sensor data from the joint motor 40 at the joint level may minimize the bus cabling to and from each control node.例文帳に追加

関節プロセッサ、ＰＩＭ、及び高速バスの並置により、制御システムの雑音イミュニティが増し、関節モータ４０からのセンサデータの関節レベルの局所的処理により、各制御ノードに対する往復のバスケーブルを最短にすることができる。 - 特許庁

In the state of forming an inversion layer 33 and a depletion layer 35 by electrodes 32 and 34, a current generated by the re-coupling of charges at the localized level existing in the area of the depletion layer 35 flows through the inversion layer 33 between the electrode 36 and the electrode 31e.例文帳に追加

電極３２，３４によって反転層３３及び空乏層３５を形成した状態において、空乏層３５の領域に存在する局在準位における電荷の再結合によって生じる電流は、電極３６と電極３１ｅとの間の反転層３３を流れる。 - 特許庁

A photovoltaic cell structure, wherein a p-type light absorption layer has a localized level or an intermediate band in the forbidden band is obtained, by forming a p-n heterojunction that is laminated of an n-type semiconductor, having the forbidden band width larger than that of the light-absorbing layer on the light-incident side thereof.例文帳に追加

p型光吸収層の光入射側に、前記光吸収層よりも禁制帯幅の大きいn型半導体が積層したヘテロ接合型のpn接合の形成により、前記光吸収層は禁制帯中に局在準位または中間バンドをもつ太陽電池構造とする。 - 特許庁

The bonding defect is eliminated by means of a laser beam directed onto each zone having the bonding defect in order to induce a localized melting of the protective coating and the underlying substrate and enable a sound bond, at the level of the zone, between the protective coating and the substrate after stopping the laser beam.例文帳に追加

接着不良は、保護コーティングと下にある基材との局所的な溶融を引き起こし、レーザビームの停止後に保護コーティングと基材との間の上記ゾーンの高さにおける適切な接着を可能とするために、接着不良を有する各ゾーン上に向けられたレーザビームを用いて除去される。 - 特許庁