引っ張り歪みの英語

均一なミスフィット転位密度を含む緩和ＳｉＧｅ被膜上の引っ張り歪みシリコンおよびその形成方法例文帳に追加

TENSILE DISTORTIONAL SILICON ON LOOSENED SiGe FILM CONTAINING EVEN MISFIT DISLOCATION DENSITY AND FORMING METHOD OF SAME - 特許庁

引っ張り歪みＳｉチャネル層１３上にＴａ_2 Ｏ_5 層１５及びＴｉＮ層１６を介してＡｌゲート電極１７が形成されている。例文帳に追加

An Al gate electrode 17 is formed on the tensile strain Si channel layer 13 through the intermediary of a Ta2O5 layer 15 and a TiN layer 16. - 特許庁

ＮＭＯＳ及びＰＭＯＳトランジスタそれぞれのチャネルに同時に引っ張り及び圧縮歪みを与えるための方法例文帳に追加

METHOD FOR SIMULTANEOUSLY IMPARTING TENSION AND COMPRESSIVE STRAIN TO EACH CHANNEL OF NMOS AND PMOS TRANSISTOR - 特許庁

トランジスタのサイズによらない普遍的な引っ張り歪みをｎチャネル型ＭＯＳトランジスタに印加できる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of applying a universal tensile distortion not depending on a size of a transistor, to a n-channel type MOS transistor. - 特許庁

引っ張り歪みを受けたシリコン層の一部がチャネル領域１３となっており、このチャネル領域１３は電子が走行するｎチャネルとなっている。例文帳に追加

A part of the silicon layer subjected to tensile strain forms a channel region 13, which makes an N-channel for electron transit. - 特許庁

引っ張り歪みを受けたシリコン層をチャネル領域として利用することにより、特性のよいかつ安価な電界効果トランジスタを提供する。例文帳に追加

To obtain a low-cost field-effect transistor excellent in characteristics by using a silicon layer subjected to tensile strain, as a channel region. - 特許庁

さらに、ｐ−ＧａＮ第２コンタクト層の膜厚を臨界膜厚未満とすることで、ｐ−ＧａＮ第２コンタクト層には面内引っ張り歪みが発生し、当該面内引っ張り歪みによってｐ−ＧａＮ第２コンタクト層のバンドギャップエネルギーが低減する。例文帳に追加

In-plane tensile stress is produced on the p-GaN second contact layer by making the thickness of the p-GaN second contact layer less than a critical thickness, so that bandgap energy of the p-GaN second contact layer of the p-GaN second contact layer is reduced owing to the in-plane tensile stress. - 特許庁

起歪体３の矩形状をした表面の一方の対角線の一端に引っ張り圧縮力検出用歪みゲージ１６を縦方向に貼着し、一方の対角線の他端に引っ張り圧縮力検出用歪みゲージ１７を横方向に貼着する。例文帳に追加

A strain gauge 16 for detecting tensile/compressive forces is attached longitudinally to one end of one diagonal line, on the surface of the strain member 3 made up in a rectangular form, and a strain gauge 17 for detecting tensile/compressive forces is attached laterally to the other end of the one diagonal line. - 特許庁