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強膜トンネルの英語
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「強膜トンネル」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 58件
強磁性トンネル接合膜成膜装置例文帳に追加
第1トンネル絶縁膜の厚さは、第2トンネル絶縁膜の厚さと異なり、第1強磁性トンネル接合素子および第2強磁性トンネル接合素子は、共通のマスク材料を用いてエッチングにより形成される。例文帳に追加
The thickness of the first tunnel insulating film is different from the thickness of the second tunnel insulating film, and the first ferromagnetic tunnel junction element and second ferromagnetic tunnel junction element are formed using a common mask material by etching. - 特許庁
強磁性トンネル効果膜1は、トンネルバリア層11がフリー層12とピンド層13とによって挟まれた構造を有する。例文帳に追加
A ferromagnetic tunnel effect film 1 has a structure where a tunnel barrier layer 11 is held between a free layer 12 and a pinned layer 13. - 特許庁
強磁性トンネル効果膜1は、トンネルバリア層11がフリー層12とピンド層13とによって挟まれた構造を有する。例文帳に追加
A ferromagnetic tunnel effect layer 1 has a structure where a tunnel barrier layer 11 is horded by a free layer 12 and a pinned layer 14. - 特許庁
磁気抵抗素子は、第1固定層、第1トンネル絶縁膜および第1自由層が積層される第1強磁性トンネル接合素子と、第2固定層、第2トンネル絶縁膜および第2自由層が積層され、第1強磁性トンネル接合素子に直列に接続される第2強磁性トンネル接合素子とを有している。例文帳に追加
The magnetoresistive element comprises: a first ferromagnetic tunnel junction element where a first fixed layer, a first tunnel insulating film and a first free layer are laminated; and a second ferromagnetic tunnel junction element where a second fixed layer, a second tunnel insulating film and a second free layer are laminated, the second ferromagnetic tunnel junction element being connected to the first ferromagnetic tunnel junction element in series. - 特許庁
積層フェリ型磁性薄膜並びにそれを使用した磁気抵抗効果素子及び強磁性トンネル素子例文帳に追加
LAMINATED FERRIMAGNETIC THIN FILM, AND MAGNETO- RESISTANCE EFFECT ELEMENT AND FERROMAGNETIC TUNNEL ELEMENT USING THE SAME - 特許庁
強磁性層/バリア層/強磁性層の構造を備えるトンネル磁気抵抗効果膜において、磁気抵抗変化率が高いトンネル磁気抵抗効果膜の製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for manufacturing a tunnel magnetoresistance effect film having a structure of ferromagnetic layer/barrier layer/ferromagnetic layer and exhibiting a high magnetoresistance change ratio. - 特許庁
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「強膜トンネル」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 58件
MTJ膜の製造方法は、第1強磁性層を形成する工程と、第1強磁性層の上にトンネルバリア層を形成する工程と、トンネルバリア層の上に第2強磁性層を形成する工程と、を含む。例文帳に追加
The method of producing an MTJ film includes a step for forming a first ferromagnetic layer, a step for forming a tunnel barrier layer on the first ferromagnetic layer, and a step for forming a second ferromagnetic layer on the tunnel barrier layer. - 特許庁
磁気トンネル接合膜14は、強磁性フリー層20と、トンネルバリア層30と、強磁性ピンド層40とを有しており、フラックスガイド10は、強磁性フリー層20に磁気的に結合している。例文帳に追加
The magnetic tunnel junction film 14 has a ferromagnetic free layer 20, a tunnel barrier layer 30 and a ferromagnetic pinned layer 40 and the flux guide 10 is magnetically connected with the ferromagnetic free layer 20. - 特許庁
STO基板11上には、第1強磁性薄膜13、トンネル障壁層14及び第2強磁性薄膜15が、この順に積層されている。例文帳に追加
On an STO substrate 11, a first ferromagnetic thin film 13, a tunnel barrier layer 14, and a second ferromagnetic thin film 15 are laminated in this order. - 特許庁
第1および第2の強磁性体層ならびにこれらに挟まれたトンネル絶縁層を有する多層膜の構成層を良好にパターニングして、特性の改善された強磁性トンネル接合素子を有する装置を製造する。例文帳に追加
To provide a method of manufacturing a device, having a ferromagnetic tunnel junction element with improved characteristics by properly patterning constituent layers of a multilayered film having a first and a second ferromagnetic layer and a tunnel insulation layer interposed between these ferromagnetic layers. - 特許庁
トンネルバリア層の膜厚を極薄くした際にも、スピン散乱の要因となる酸化物強磁性層の生成を回避しつつ、トンネルバリア層自体には十分な酸化処理を施すことが可能な新規な素子構成を有するトンネル磁気抵抗効果素子と、その製造方法の提供。例文帳に追加
To provide a tunnel magnetoresistive effect element having new element constitution which can perform sufficient oxidation on a tunnel barrier layer itself while generation of an oxide ferromagnetic layer becoming the cause of spin dispersion when the film thickness of the tunnel barrier layer is made very thin and to provide the manufacturing method. - 特許庁
また、磁気抵抗効果素子は、強磁性層間にトンネルバリア層を挟み、一方の強磁性層の外側に反強磁性層を配置した強磁性トンネル接合素子において、反強磁性層側に位置する強磁性層(固定層)が少なくとも二層以上の強磁性体の多層膜より構成されることを特徴とする。例文帳に追加
As to a ferromagnetic tunnel junction element provided with a tunnel barrier layer pinched between ferromagnetic layers, the ferromagnetic layer (stationary layer) located on an anti-ferromagnetic layer side is formed of, at least, a two or more-layered ferromagnetic film. - 特許庁
多層膜16は、反強磁性体層25、第1および第2の強磁性体層21,22、ならびにトンネル絶縁層23からなる。例文帳に追加
The multilayered film 16 consists of an antiferromagnetic layer 25, first and second ferromagnetic layers 21, 22 and a tunnel insulation layer 23. - 特許庁
同時に、自由側強磁性層55、絶縁層56および第2固定側強磁性層57は第2トンネル接合膜を構成する。例文帳に追加
Simultaneously, a second tunnel junction film is comprised of the free-side ferromagnetic layer 55, an insulation layer 56, and a second fixed-side ferromagnetic layer 57. - 特許庁
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