「強膜トンネル」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

積層フェリ型磁性薄膜並びにそれを使用した磁気抵抗効果素子及び強磁性トンネル素子例文帳に追加

LAMINATED FERRIMAGNETIC THIN FILM, AND MAGNETO- RESISTANCE EFFECT ELEMENT AND FERROMAGNETIC TUNNEL ELEMENT USING THE SAME - 特許庁

強磁性層／バリア層／強磁性層の構造を備えるトンネル磁気抵抗効果膜において、磁気抵抗変化率が高いトンネル磁気抵抗効果膜の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a tunnel magnetoresistance effect film having a structure of ferromagnetic layer/barrier layer/ferromagnetic layer and exhibiting a high magnetoresistance change ratio. - 特許庁

ＭＴＪ膜の製造方法は、第１強磁性層を形成する工程と、第１強磁性層の上にトンネルバリア層を形成する工程と、トンネルバリア層の上に第２強磁性層を形成する工程と、を含む。例文帳に追加

The method of producing an MTJ film includes a step for forming a first ferromagnetic layer, a step for forming a tunnel barrier layer on the first ferromagnetic layer, and a step for forming a second ferromagnetic layer on the tunnel barrier layer. - 特許庁

磁気トンネル接合膜１４は、強磁性フリー層２０と、トンネルバリア層３０と、強磁性ピンド層４０とを有しており、フラックスガイド１０は、強磁性フリー層２０に磁気的に結合している。例文帳に追加

The magnetic tunnel junction film 14 has a ferromagnetic free layer 20, a tunnel barrier layer 30 and a ferromagnetic pinned layer 40 and the flux guide 10 is magnetically connected with the ferromagnetic free layer 20. - 特許庁

ＳＴＯ基板１１上には、第１強磁性薄膜１３、トンネル障壁層１４及び第２強磁性薄膜１５が、この順に積層されている。例文帳に追加

On an STO substrate 11, a first ferromagnetic thin film 13, a tunnel barrier layer 14, and a second ferromagnetic thin film 15 are laminated in this order. - 特許庁

第１および第２の強磁性体層ならびにこれらに挟まれたトンネル絶縁層を有する多層膜の構成層を良好にパターニングして、特性の改善された強磁性トンネル接合素子を有する装置を製造する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a device, having a ferromagnetic tunnel junction element with improved characteristics by properly patterning constituent layers of a multilayered film having a first and a second ferromagnetic layer and a tunnel insulation layer interposed between these ferromagnetic layers. - 特許庁

トンネルバリア層の膜厚を極薄くした際にも、スピン散乱の要因となる酸化物強磁性層の生成を回避しつつ、トンネルバリア層自体には十分な酸化処理を施すことが可能な新規な素子構成を有するトンネル磁気抵抗効果素子と、その製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a tunnel magnetoresistive effect element having new element constitution which can perform sufficient oxidation on a tunnel barrier layer itself while generation of an oxide ferromagnetic layer becoming the cause of spin dispersion when the film thickness of the tunnel barrier layer is made very thin and to provide the manufacturing method. - 特許庁

また、磁気抵抗効果素子は、強磁性層間にトンネルバリア層を挟み、一方の強磁性層の外側に反強磁性層を配置した強磁性トンネル接合素子において、反強磁性層側に位置する強磁性層（固定層）が少なくとも二層以上の強磁性体の多層膜より構成されることを特徴とする。例文帳に追加

As to a ferromagnetic tunnel junction element provided with a tunnel barrier layer pinched between ferromagnetic layers, the ferromagnetic layer (stationary layer) located on an anti-ferromagnetic layer side is formed of, at least, a two or more-layered ferromagnetic film. - 特許庁

多層膜１６は、反強磁性体層２５、第１および第２の強磁性体層２１，２２、ならびにトンネル絶縁層２３からなる。例文帳に追加

The multilayered film 16 consists of an antiferromagnetic layer 25, first and second ferromagnetic layers 21, 22 and a tunnel insulation layer 23. - 特許庁

同時に、自由側強磁性層５５、絶縁層５６および第２固定側強磁性層５７は第２トンネル接合膜を構成する。例文帳に追加

Simultaneously, a second tunnel junction film is comprised of the free-side ferromagnetic layer 55, an insulation layer 56, and a second fixed-side ferromagnetic layer 57. - 特許庁

第１固定側強磁性層５３、絶縁層５４および自由側強磁性層５５は第１トンネル接合膜を構成する。例文帳に追加

A first tunnel junction film is comprised of a first fixed-side ferromagnetic layer 53, an insulation layer 54, and a free-side ferromagnetic layer 55. - 特許庁

本発明は、ＩｎＡｓを含む強磁性半導体膜と、強磁性金属膜と、前記強磁性半導体膜と前記強磁性金属膜との間に設けられた絶縁膜と、を具備するトンネル磁気抵抗素子およびスピントランジスタである。例文帳に追加

This invention relates to a tunnel magnetoresistive element and a spin transistor which have a ferromagnetic semiconductor film containing InAs, a ferromagnetic metal film, and an insulating film provided between the ferromagnetic semiconductor film and the ferromagnetic metal film. - 特許庁

基板１上に下部電極２を形成し、さらにその上に強磁性層３、トンネル絶縁膜４を順次形成する工程と、トンネル絶縁膜４の表面にレーザ光を一様に照射して加熱処理を行い、加熱処理後に、トンネル絶縁膜４上に強磁性層５を形成する工程とを含む。例文帳に追加

The manufacturing method includes a process of forming a lower electrode 2 on a substrate 1 and of forming a ferromagnetic layer 3 and a tunnel insulating film 4 on the lower electrode 2, and a process of uniformly applying laser beams onto the surface of the tunnel-insulating film 4, to carry out heating treatment and for forming a ferromagnetic layer 5 on the tunnel-insulating film 4. - 特許庁

強磁性トンネル接合部２１は、第１の強磁性膜２１１と第２の強磁性膜２１２とが絶縁膜２１０を介して積層され、第１の磁気シールド膜５１及び第２の磁気シールド膜５２の間に配置されている。例文帳に追加

The ferromagnetic tunnel junction part 21 is formed by laminating a first ferromagnetic film 211 and a second ferromagnetic film 212 via an insulating film 210 and is arranged between the first magnetic shielding film 51 and the second magnetic shielding film 52. - 特許庁

強磁性酸化物半導体薄膜及びその製造方法並びにこれを用いたスピントンネル磁気抵抗素子例文帳に追加

FERROMAGNETIC OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM, ITS PRODUCTION METHOD, AND SPIN TUNNEL MAGNETORESISTIVE ELEMENT USING THIS - 特許庁

強磁性トンネル接合を有する積層膜、その製造方法、磁気センサ、磁気記録装置、及び、磁気メモリ装置例文帳に追加

LAMINATED FILM HAVING FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION, MANUFACTURING METHOD THEREOF, MAGNETIC SENSOR, MAGNETIC RECORDER, AND MAGNETIC MEMORY UNIT - 特許庁

強磁性トンネル接合部２１の絶縁膜２１０によるバリアポテンシャルが０．５〜３ｅＶの範囲にある。例文帳に追加

The barrier potential by the insulating film 210 of the ferromagnetic tunnel junction part 21 ranges from 0.5 to 3 eV. - 特許庁

高出力且つ磁気抵抗比のバイアス依存性の小さい強磁性トンネル型磁気抵効果膜を提供する。例文帳に追加

To provide a high-output ferromagnetic tunneling magnetoresistive effect film which has a magnetoresistance ratio small in bias dependency. - 特許庁

強磁性トンネル磁気抵抗素子において、下地膜（非磁性又は反強磁性金属膜）１と、この下地膜１上に形成される極薄強磁性膜２と、この極薄強磁性膜２上に形成される絶縁膜３と、この絶縁膜３上に形成される強磁性電極４を有する。例文帳に追加

The ferromagnetic tunnel magnetoresistive element comprises a base film (non-magnetic or antiferromagnetic metal film) 1, an ultra-thin ferromagnetic film 2 formed on the base film 1, an insulation film 3 formed on the ultra-thin ferromagnetic film 2, and a ferromagnetic electrode 4 formed on the insulation film 3. - 特許庁

また、消去スピードを向上させるためにソース−コントロールゲート間の電位差Ｖｓｆを高電圧にする必要がないため、消去動作開始時にトンネル膜１４にかかる電界強度を低減でき、トンネル膜１４にダメージが入ることを防止できる。例文帳に追加

For increasing the erasing speed, it is unnecessary that the potential difference Vsf between the source and a control gate is made high voltage, so that intensity of an electric field applied on a tunnel film 14 can be reduced when erasing operation is started, and damage to the tunnel film 14 can be prevented. - 特許庁

例えば磁気トンネル接合素子の製法において、Ｎｉ−Ｆｅ合金等の強磁性層１６の上にトンネルバリア膜としてのアルミナ膜を形成する場合、強磁性層１６の上にスパッタ法によりアルミニウム膜１８を形成した後反応性スパッタ法によりアルミニウム膜１８の上にアルミナ膜を被着しつつアルミニウム膜１８を酸化する。例文帳に追加

In the method for fabricating a magnetic tunnel junction element, when an alumina film is formed as a tunnel barrier film on a ferromagnetic layer 16 of Ni-Fe alloy, or the like, an aluminum film 18 is formed by sputtering on the ferromagnetic layer 16 and then oxidized while coating it with an alumina film by reactive sputtering. - 特許庁

基板１０上に下部電極層２１を設けるとともに、同下部電極層２１上に強磁性膜２２，２３、絶縁層２４、強磁性膜２５、ダミー膜２６からなる一対の磁気トンネル効果素子を形成する。例文帳に追加

A lower electrode layer 21 is provided on a substrate 10, and a pair of magnetic tunnel effect elements is formed on the lower electrode layer 21 which comprises ferro-magnetic films 22 and 23, an insulating layer 24, a ferro-magnetic film 25, and a dummy film 26. - 特許庁

ＳｉＯ_2膜１２が上面に形成されたＳｉ基板１１上には、第１強磁性薄膜１３、トンネル障壁層１４及び第２強磁性薄膜１５が、この順に積層されている。例文帳に追加

On an Si substrate 11 having a formed SiO2 film 12 on its top surface, a first ferromagnetic thin film 13, a tunnel barrier layer 14, and a second ferromagnetic thin film 15 are laminated in this order. - 特許庁

トンネル磁気抵抗効果素子１は、ＣｏとＦｅとＢを含有する体心立方構造の強磁性膜３０４と、（１００）配向した岩塩構造のＭｇＯ絶縁膜３０５と、強磁性膜３０６とを積層した構造を有する。例文帳に追加

The tunnel magnetoresistive effect element 1 has a structure such that a ferromagnetic film 304 having a body-centered cubic structure containing Co, Fe and B, an MgO insulating film 305 having a rock-salt structure oriented in (100) and a ferromagnetic film 306 are stacked. - 特許庁

磁気抵抗効果再生ヘッドおよび磁気トンネル接合装置に組み込まれる積層構造は、改良された反強磁性結合(ＡＦＣ)膜に対して反強磁性的に結合された２層の強磁性層の強磁性構造を有する。例文帳に追加

A layer structure incorporated in the magnetoresistance effect reproducing head and the magnetic tunnel junction device has a ferromagnetic structure of two ferromagnetic layers which are antiferromagnetically coupled against an improved antiferromagnetic coupled (AFC) film. - 特許庁

強磁性層間にトンネルバリア層が挟設されてなるＴＭＲ素子の製造方法であって、トンネルバリア層を作製する工程が、強磁性層上に第１の金属材料膜を成膜し、成膜した第１の金属材料膜を不純物濃度が１Ｅ−０２以下の環境下で酸化することを含む。例文帳に追加

In the method for fabricating a TMR element having a tunnel barrier layer sandwiched between ferromagnetic layers, a process for making the tunnel barrier layer comprises a step for depositing a first metallic material film on the ferromagnetic layer, and a step for oxidizing the first metallic material film thus deposited under an environment where the impurity concentration is 1E-02 or less. - 特許庁

金属膜よりなる第１の電極１と、第１の電極１に積層されたトンネル絶縁膜３と、トンネル絶縁膜３を挟むように第１の電極１と積層され、固定磁化が付与された複数の強磁性金属層と非磁性金属層とが積層形成された強磁性積層膜５と、非磁性の金属よりなる第２の電極７を備えることを特徴とするスピン偏極エミッタを提供する。例文帳に追加

This spin polarization emitter comprises a first electrode 1 comprising a metal film, a tunnel insulating film 3 laminated on the first electrode 1, a ferromagnetic laminated film 5 laminated with the first electrode 1 to sandwich the tunnel insulating film 3 and wherein a plurality of fixed magnetization ferromagnetic metal layers and non-magnetic metal layers are laminated and a second electrode 7 comprising a nonmagnetic metal. - 特許庁

強磁性トンネル接合ランダムアクセスメモリ、スピンバルブランダムアクセスメモリ、単一強磁性膜ランダムアクセスメモリ、およびこれらをつかったメモリセルアレイ例文帳に追加

FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION RANDOM ACCESS MEMORY, SPIN VALVE RANDOM-ACCESS MEMORY, SINGLE FERROMAGNETIC FILM RANDOM-ACCESS MEMORY AND MEMORY CELL ARRAY USING THEM - 特許庁

ＴＥＧ素子１００は、テスト用下層強誘電体層１１２、テスト用トンネル絶縁膜１１４、及びテスト用上層強誘電体層１１６を有している。例文帳に追加

A TEG element 100 includes a test lower ferroelectric layer 112, a test tunnel insulation film 114 and a test upper ferroelectric layer 116. - 特許庁

ｎ形シリコン基板１から強電界ドリフト層６に注入された電子は、強電界ドリフト層６内を表面に向かってドリフトし金薄膜７をトンネルして放出される。例文帳に追加

An electron injected from the n-type silicon substrate 1 to the strong field drift layer 6 is drifted toward its surface in the strong field drift layer 6, and is emitted by tunneling the thin gold film 7. - 特許庁

ｎ形シリコン基板１から強電界ドリフト層６に注入された電子は、強電界ドリフト層６内を表面に向かってドリフトし導電性薄膜７をトンネルして放出される。例文帳に追加

An electron injected into the high field drift layer 6 from the n-type silicon substrate 1 drifts toward an internal surface through the high field drift layer 6 and is emitted by tunneling the conductive thin film 7. - 特許庁

（ａ）第１の強磁性層１１、導電層１２を真空中で連続形成し、（ｂ）真空を破ることなく純酸素を導入し、導電層１２の表面を自然酸化してトンネルバリア層１３を形成し、（ｃ）酸素を排気した後、第２の強磁性層１４を成膜して基本構造を完成させる強磁性トンネル接合素子の製造方法。例文帳に追加

A first ferromagnetic layer 11 and a conductive layer 12 are continuously formed in vacuum, pure oxygen is introduced without breaking the vacuum so that the surface of the conductive layer 12 is naturally oxidized to form a tunnel barrier layer 13, and after the oxygen is evacuated, a second ferromagnetic layer 14 is formed to complete a basic structure. - 特許庁

本発明は、第１の磁性層３／絶縁層４／第２の磁性層５の膜構造からなる強磁性トンネル接合６の絶縁層４を構成する材料として、ラジカル窒化法で窒化したラジカル窒化膜を用いる。例文帳に追加

A radical nitride film nitrided by a radical nitriding method is used as the constituting material of the insulation layer 4 for the ferromagnetic tunnel junction 6 formed of the film structure of a first magnetic layer 3/an insulation layer 4/a second magnetic layer 5. - 特許庁

強磁性トンネル接合を有する積層膜、その製造方法、磁気センサ、磁気記録装置、及び、磁気メモリ装置に関し、酸化アルミニウムより低抵抗で、且つ、高いＭＲ比が得られる絶縁膜を形成する。例文帳に追加

To form an insulation film wherein its resistance is lower than that of an aluminum oxide and its high MR ratio is obtained, with respect to a laminated film having a ferromagnetic tunnel junction, a manufacturing method thereof, a magnetic sensor, a magnetic recorder, and a magnetic memory unit. - 特許庁

そこで、化学的機械的研磨によって、凹所１５外の多層膜１６を除去すると、凹所１５内には、損傷を受けることなくパターニングされた多層膜１６からなる強磁性トンネル接合素子が形成される。例文帳に追加

By removing the multilayered film 16 other than in the recessed section 15 through chemical and mechanical polishing, the ferromagnetic tunnel junction element constituted of the multiplayer film 16 patterned, without being subjected to damages can be formed in the recessed section 15. - 特許庁

強磁性導電体薄膜とトンネル障壁薄膜を整合性よく接合することができ、それにより、接合の不具合による特性の低下が生じることを防ぐことができる磁気抵抗素子を提供する。例文帳に追加

To provide a magnetoresistive element in which a ferromagnetic conductor thin film and a tunnel barrier thin film can be bonded with sufficient alignment, thereby preventing the characteristics from deteriorating due to poor bonding. - 特許庁

スピン分極率の大きなｂｃｃ強磁性膜を、自由層、固定層に適用し、従来構造よりも高出力とできる、スピントンネル型磁気抵抗効果ヘッドを提供する。例文帳に追加

To provide a spin tunnel type magnetoresistance effect head which can output higher output than that of conventional structure by applying a bcc ferromagnetic film having high spin polarizability to a free layer and a fixed layer. - 特許庁

高い結晶配向性を有する強磁性層の上にトンネルバリア層を形成することによってＭＴＪ膜を作成する場合に、読み出し特性の劣化を抑制すること。例文帳に追加

To minimize deterioration in read characteristics when an MTJ film is produced by forming a tunnel barrier layer on a ferromagnetic layer having high crystal orientation. - 特許庁

緻密かつ絶縁耐性が強い高品質なゲート絶縁膜を形成し、トンネルリーク電流が少ない信頼性の高い有機トランジスタを提案することを目的とする。例文帳に追加

To provide a highly reliable organic transistor having less tunnel leak current by forming a high-quality gate insulation film which is dense and has high insulation resistance. - 特許庁

強磁性トンネル接合を有する磁気センサ及びその製造方法に関し、絶縁障壁高さが酸化アルミニウムより低く、且つ、高いＭＲ比が得られる絶縁膜を形成する。例文帳に追加

To form an insulation film whose insulation barrier level is lower than that of an aluminum oxide and which obtains a high MR (magnetoresistive) ratio, in a magnetic sensor having a ferromagnetic tunnel junction and its manufacture. - 特許庁

既存の磁気特性の優れた物質の化学的組成を変えることなく、その膜厚のみを変化させることにより、スピン偏極度を増大させ、より大きな磁気抵抗効果を得ることができる強磁性トンネル磁気抵抗素子を提供する。例文帳に追加

To provide a ferromagnetic tunnel magnetoresistive element of higher magnetoresistive effect by merely changing a film thickness to raise a spin polarization degree, with out changing the chemical composition of an existing material which is superior in magnetic characteristics. - 特許庁

バイアス磁界誘導層２１は、フリー層１２にバイアス磁界を印加するものであって、バイアス磁界の方向Ｆ１で見た幅が強磁性トンネル効果膜１の幅よりも大きい。例文帳に追加

A bias magnetic field inductive layer 21 applies a bias magnetic field to the free layer 12, and has a width seen in the direction F1 of the bias magnetic field larger than that of the ferromagnetic tunnel effect film 1. - 特許庁

スピントランスファートルクによる書込み方式をもつ不揮発性磁気メモリを構成するトンネル磁気抵抗効果膜１において、絶縁層３０４と非磁性導電層３０５を強磁性自由層３０３に積層する。例文帳に追加

An insulating layer 304 and a non-magnetic conductive layer 305 are laminated to a ferromagnetic free layer 303 in a tunnel magnetoresistance effect film 1, comprising the non-volatile magnetic memory having a writing method by a spin transfer torque. - 特許庁

各反強磁性膜８上に、下磁性層９，９、バリア膜１０，１０、上磁性層１１，１１及びダミー膜１６，１６からなる一対の磁気トンネル接合構造を、層間絶縁膜１２でそれぞれ絶縁分離して形成する。例文帳に追加

A pair of magnetic tunnel junction structures composed of lower magnetic layers 9 and 9, barrier films 10 and 10, upper magnetic layers 11 and 11, and dummy films 16 and 16 are formed respectively on the antiferromagnetic films 8, while being insulated and separated with an interlayer insulation film 12. - 特許庁

トンネルバリア層３０は、第１の強磁性層２４上に金属層もしくは非金属層を形成し、酸化処理することにより第１の薄膜３２を形成する工程と、第１の薄膜３２上に第２の薄膜３４を形成する工程とによって形成する。例文帳に追加

The tunnel barrier layer 30 is formed by the method comprising a step of forming a metal layer or a nonmagnetic layer on the first ferromagnetic layer 24 and oxidizing to form a first thin film 32, and a step of forming a second thin film 34 on the first thin film 32. - 特許庁