| 意味 | 例文 (58件) |
強膜トンネルの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 58件
本発明は、基板２０上にトンネル磁気抵抗効果多層膜を形成する場合において、一対の強磁性膜に挟まれる非磁性Ｒｕ膜をスパッタリング法によって形成する際、前記基板２０に所定のバイアス電位を与える工程を有するものである。例文帳に追加
The method of forming the Ru film includes a step of giving a predetermined bias potential to a substrate 20 when a non-magnetic Ru film interposed between a pair of ferromagnetic films is formed by a sputtering method, in the case that the tunnel magnetoresistance effect layer is formed on the substrate 20. - 特許庁
基板５上に下部電極3を設け、同下部電極３を共通にして同下部電極３上に、イオンビームエッチング処理により、反強磁性膜８、下磁性層９、バリア膜１０及び上磁性層１１からなる積層構造の一対の磁気トンネル抵抗素子２を独立に分離して形成する。例文帳に追加
A lower electrode 3 is provided on a substrate 5, and after the lower electrode 3 is made common, pair of magnetic tunnel effect elements 2 composed of an antiferromagnetic film 8, lower magnetic layer 9, barrier film 10, and upper magnetic film 11 such as laminated structure, are formed independently and separately on the lower electrode 3. - 特許庁
１μｍ以下の膜厚でシート抵抗が０．４Ω以下であり、かつ凹凸の小さな上部表面を有する下地電極を持つ、高ＭＲ比かつ高歩留まりの強磁性トンネル接合素子を、成膜後の表面処理を行うことなく、かつ安価な装置にて実現する製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a manufacturing method of a ferromagnetic tunnel junction element of high MR ratio and high yield, whose film thickness is 1 μm or less and sheet resistance is 0.4 Ω or less having a foundation electrode with an upper surface of small irregularities by an inexpensive device without carrying out surface treatment after film formation. - 特許庁
イオンミリングを行うことにより、バリアメタル層２１、保護層２０、フリー強磁性層１８ｂ、非磁性中間層１９、フリー強磁性層１８ａ、トンネルバリア層１７、ピンド強磁性層１４ｂ、非磁性中間層１５、ピンド強磁性層１４ａ、反強磁性層１３及び配向制御膜１２をパターニングする。例文帳に追加
A barrier metal layer 21, a protection layer 20, a free ferromagnetic layer 18b, a nonmagnetic intermediate layer 18a, a tunnel barrier layer 17, a pinned ferromagnetic layer 14b, a nonmagnetic intermediate layer 15, a pinned ferromagnetic layer 14a, an anti-ferromagnetic layer 13, and an alignment control film 12 are patterned by ion milling. - 特許庁
導電性基板から強電界ドリフト層たる急速熱酸化された多孔質ポリシリコン層６に注入された電子は、多孔質ポリシリコン層６内を表面に向かってドリフトし多孔質ポリシリコン層６上に形成された金属薄膜をトンネルして放出される。例文帳に追加
Electrons injected from a conductive board into a porous polysilicon layer 6 quickly thermally oxidized as a strong electric field drift layer drift towards the surface in the porous polysilicon layer 6 and are emitted through a metallic thin film formed on the porous polysilicon layer 6. - 特許庁
第１の導電材層及び反強磁性層の積層（又は第１の導電材層の単層）に絶縁膜からなるハードマスク４０ａ，４０ｂを選択マスクとする選択エッチング処理を施して分離溝４４を形成し、磁気トンネル接合部に対応したＴＭＲ素子Ｔａ〜Ｔｃを得る。例文帳に追加
Laminated layers formed of the first conductive material layer and the antiferromagnetic layer (or a single layer of the first conductive material layer) are selectively etched by using hard masks 40a, 40b constituted of insulating films as selecting masks, an isolating trenches 44 are formed, and TMR elements Ta-Tc corresponding to the magnetic tunnel junction part are obtained. - 特許庁
４００℃の熱処理プロセス後に、十分な反平行結合強度を有することで、高磁気抵抗素子の磁化自由層または磁化固定層に適用可能な、強磁性体／非磁性体／強磁性体の反平行結合膜構造体、その反平行結合膜構造体を用いたトンネル磁気抵抗素子および磁気デバイスを提供する。例文帳に追加
To provide the antiparallelly coupled film structure of a ferromagnetic material, a nonmagnetic material, and a ferromagnetic material which has sufficient antiparallel coupling strength after a heat treatment process of 400°C to be applicable to the magnetic free layer or magnetic pinned layer of a high magnetoresistive element; and to provide a tunnel magnetoresistive element and a magnetic device which use the antiparallelly coupled film structure. - 特許庁
そして、直流電源２６により薄膜電極２０にプラスの電圧を印加し、基板電極２２から半導体層１６に注入された電子を高電界強度の薄膜絶縁層１８において加速し、薄膜電極２０をトンネルして被帯電物１０に向かわせる際に、バイアス電源２８によるバイアス電圧を調整して、電子の運動エネルギーが２４．３ｅＶ未満になるようにする。例文帳に追加
In the case of applying plus voltage to the electrode 20 by a DC power supply 26, accelerating electrons injected from the electrode 22 into the layer 16 on the layer 18 having high field strength and directing the accelerated electrons to the object 10 through the electrode 20 acting as a tunnel, bias voltage from a bias power supply 28 is adjusted so that the kinetic energy of electrons becomes <24.3 eV. - 特許庁
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