有機金属前駆体の英語

金属酸化物前駆体を含酸素有機溶媒及び前記金属酸化物前駆体のモル数に対して１５〜５０倍の水を共存させてソルボサーマル法に供し、金属酸化物を得る。例文帳に追加

The metal oxide is obtained by treating an oxygen-containing organic solvent containing a metal oxide precursor and water coexisting in an amount of 15-50 times of the molar number of the metal oxide precursor by a solvothermal method. - 特許庁

金属酸化物前駆体を、金属酸化物前駆体に対してモル数で０．５倍以上１０倍以下のアミン類の存在下、含酸素有機溶媒を用いたソルボサーマル法に供して、金属酸化物ナノ結晶を得る。例文帳に追加

The metal oxide nanocrystal is obtained by making use of a precursor of the metal oxide for the solvothermal method using an oxygen-containing organic solvent in the presence of an amine of the number of moles from not less than 0.5 times to not more than 10 times the number of moles of the metal oxide precursor. - 特許庁

有機金属前駆体と、シリコン、金属窒化物及び他の金属層などの基材上にコンフォーマルな金属含有膜を製造するための堆積方法を提供する。例文帳に追加

To provide an organometallic precursor and to provide a method for depositing in order to produce a conformal metal-containing film on a substrate such as silicon, a metal nitride and other metal layers using the precursor. - 特許庁

所望の金属酸化物の前駆体となる金属有機化合物を有機溶媒中に分散し、該金属有機化合物分散溶液に浸漬した基材に可視領域乃至近赤外領域のレーザー光を照射することにより、該基材の光照射部位に前記金属酸化物の薄膜を生成する。例文帳に追加

An organic metal compound as a precursor of a desired metal oxide is dispersed in an organic solvent, and a substrate is immersed in the resulting organic metal compound dispersion and irradiated with laser light in a visible to near infrared region to form a thin film of the metal oxide on the irradiated part of the substrate. - 特許庁

貴金属成分、無機溶媒及び有機物を含む原料溶液を乾燥して、触媒前駆体を得る工程と、前記触媒前駆体を還元する工程とを有する方法により、貴金属含有触媒を製造する。例文帳に追加

The method for manufacturing the noble metal-containing catalyst comprises the steps of: drying a raw material solution containing a noble metal component, an inorganic solvent and organic matter to obtain a catalyst precursor; and reducing the catalyst precursor. - 特許庁

金属有機化合物を有機溶媒に分散させ加熱して超微粒子前駆体を形成し、この有機溶媒中に還元剤を添加して金属複合超微粒子を製造する。例文帳に追加

The metallic composite superfine particle is manufactured by dispersing the organometallic compound in an organic solvent and heating the solution to form a superfine particle precursor and adding a reducing agent in the organic solvent. - 特許庁

金属、金属窒化物、金属炭素窒化物、金属あるいはケイ素窒化物膜は、約20トル未満の圧力で、水素、窒素、アンモニア、シラン、及びそれらの組合せのような加工気体の存在下での、有機金属前駆体の熱あるいはプラズマ分解により、加熱基板上に堆積される。例文帳に追加

A metal, metallic nitride, metallic carbonitride, or silicon nitride film can be deposited on a heated substrate under the pressure of about <20 Torr by thermal or plasma decomposition in the presence of working gas of hydrogen, nitrogen, ammonia, silane or their combination. - 特許庁

この方法は半導体基板上に下部導電パターンを形成し、金属有機前駆体を使って、バリア金属膜を蒸着した後、蒸着されたバリア金属膜を浄化する段階を含む。例文帳に追加

The method includes a process of forming a lower conductive pattern on a semiconductor substrate and after the vapor deposition of a barrier metal film using a metal organic precursor, cleaning the vapor-deposited barrier metal film. - 特許庁