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有機金属化学気相成長法の英語
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英訳・英語 organic metal chemistry gaseous phase growth method
「有機金属化学気相成長法」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 33件
有機金属化学気相成長装置および有機金属化学気相成長方法例文帳に追加
APPARATUS AND METHOD FOR ORGANOMETAL CHEMICAL VAPOR DEPOSITION - 特許庁
有機金属気相化学蒸着法による高品位ＩＩＩ−族窒化物薄膜の成長方法例文帳に追加
GROWTH METHOD OF HIGH QUALITY NITRIDE THIN FILM OF GROUP III ELEMENT BY ORGANOMETALLIC GASEOUS PHASE CHEMICAL DEPOSITION - 特許庁
アミン系化合物と金属アルコキシドとを原料として使用し、有機金属化学的気相成長法によって金属酸化物膜を製造する。例文帳に追加
The metal oxide film is produced by an organic metal chemical vapor phase growth method using an amine compound and a metal alkoxide as raw materials. - 特許庁
有機金属化学気相成長法用原料及び該原料を含む溶液原料並びに金属含有薄膜例文帳に追加
RAW MATERIAL FOR METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION, SOLUTION RAW MATERIAL CONTAINING THE RAW MATERIAL, AND METAL-CONTAINING THIN FILM - 特許庁
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長方法、半導体素子の製造方法および有機金属化学気相成長装置例文帳に追加
METHOD FOR GROWING GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR, MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT AND ORGANOMETALLIC CHEMICAL VAPOR GROWTH DEVICE - 特許庁
または金属を含まないアミン系化合物とニオブ金属アルコキシドとを原料として使用し、有機金属化学的気相成長法によって金属酸化物膜を製造する。例文帳に追加
And, the metal oxide is produced by an organic metal chemical vapor phase growth method using the amine compound not containing the metals and the niobium metal alkoxide as the raw materials. - 特許庁
保護膜１２は、イオンプレーティング、膨張性熱プラズマ、プラズマ励起化学気相成長法、有機金属化学気相成長法、有機金属気相エピタキシー、スパッタリング、電子ビーム、プラズマスプレーなどにより成膜することができる。例文帳に追加
The protective film 12 can be deposited by ion-plating, expansive thermal plasma, the plasma-excited chemical vapor deposition method, the organic metal vapor deposition method, the organic metal vapor deposition epitaxy, sputtering, electronic beams, plasma spray or the like. - 特許庁
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「有機金属化学気相成長法」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 33件
有機金属化学気相成長法によるＰｒＭｎＯ３／ＣａＭｎＯ３超格子構造を有するＰｒｘＣａ１−ｘＭｎＯ３薄膜の形成方法例文帳に追加
METHOD OF FORMING PrxCa1-xMnO3 THIN FILM HAVING PrMnO3/CaMnO3 SUPERLATTICE STRUCTURE BY METAL-ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION - 特許庁
有機金属化学気相成長法用原料液及び該原料液を用いたＨｆ−Ｓｉ含有複合酸化物膜の製造方法例文帳に追加
RAW MATERIAL LIQUID FOR METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AND METHOD OF PRODUCING Hf-Si CONTAINING COMPLEX OXIDE FILM USING THE RAW MATERIAL LIQUID - 特許庁
有機金属化学的気相成長法によるグレーディングＰｒｘＣａ１−ｘＭｎＯ３薄膜の堆積方法例文帳に追加
DEPOSITION METHOD OF GRADING PRXCA1-XMNO3 THIN FILMS BY METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD - 特許庁
ゲルマニウム酸化鉛（ＰＧＯ）薄膜の金属有機化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）およびアニーリングのための方法およびシステム例文帳に追加
PROCESS AND SYSTEM FOR METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION(MOCVD) FOR LEAD GERMANIUM OXIDE (PGO) THIN FILM AND ANNEALING - 特許庁
このＧａＮ基板１上に、有機金属化学気相成長法によって、ＧａＮ半導体層２が形成される。例文帳に追加
A GaN semiconductor layer 2 is formed on the GaN substrate 1 by an organic metal chemical vapor phase growth method. - 特許庁
このＧａＮ単結晶基板１上に、有機金属化学気相成長法によって、ＧａＮ半導体層２が形成される。例文帳に追加
A GaN semiconductor layer 2 is formed on the GaN monocrystal board 1 by a metalorganic chemical vapor deposition method. - 特許庁
化学気相成長法用液体原料に、有機金属化合物と、シロキサン化合物と、有機金属化合物およびシロキサン化合物を溶解させるための有機溶媒とを含ませる。例文帳に追加
An organometallic compound, a siloxane compound and an organic solvent for dissolving the organometallic compound and siloxane compound are incorporated into a liquid raw material for a chemical vapor growth method. - 特許庁
高品質のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶の成長が可能なＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長方法および有機金属化学気相成長装置を提供する。例文帳に追加
To provide a method for growing a group III-V compound semiconductor capable of growing a group III-V compound semiconductor crystal having a high quality and an organometallic chemical vapor growth device. - 特許庁
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